JPH09185551A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
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- JPH09185551A JPH09185551A JP70796A JP70796A JPH09185551A JP H09185551 A JPH09185551 A JP H09185551A JP 70796 A JP70796 A JP 70796A JP 70796 A JP70796 A JP 70796A JP H09185551 A JPH09185551 A JP H09185551A
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/0292—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing using tables or multilevel address translation means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/20—Employing a main memory using a specific memory technology
- G06F2212/202—Non-volatile memory
- G06F2212/2022—Flash memory
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
- Memory System (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少容量のアドレス変換テーブルを用いて、大
容量のフラッシュメモリを制御する半導体記憶装置を提
供する。 【解決手段】 本発明の半導体記憶装置では、ｎ個のセ
クタを１グループとし、複数のグループを消去単位とす
るフラッシュメモリと、論理グループ番号ＬＧＮに対す
る物理グループ番号ＰＧＮを特定するアドレス変換テー
ブルと、指定された論理セクタ番号ＬＳＮをｎで除算
し、商を論理グループ番号ＬＧＮとし、余りをオフセッ
トアドレスＯＡとする演算手段と、演算手段により求め
られた論理グループ番号ＬＧＮに対応する物理グループ
番号ＰＧＮをアドレス変換テーブルから求め、求めた物
理グループ番号ＰＧＮのオフセットアドレスＯＡにある
セクタをアクセスの対象とする制御部とを備える。
容量のフラッシュメモリを制御する半導体記憶装置を提
供する。 【解決手段】 本発明の半導体記憶装置では、ｎ個のセ
クタを１グループとし、複数のグループを消去単位とす
るフラッシュメモリと、論理グループ番号ＬＧＮに対す
る物理グループ番号ＰＧＮを特定するアドレス変換テー
ブルと、指定された論理セクタ番号ＬＳＮをｎで除算
し、商を論理グループ番号ＬＧＮとし、余りをオフセッ
トアドレスＯＡとする演算手段と、演算手段により求め
られた論理グループ番号ＬＧＮに対応する物理グループ
番号ＰＧＮをアドレス変換テーブルから求め、求めた物
理グループ番号ＰＧＮのオフセットアドレスＯＡにある
セクタをアクセスの対象とする制御部とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
などの不揮発性メモリを用いた半導体記憶装置に関する
ものである。
などの不揮発性メモリを用いた半導体記憶装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】大容量記憶装置の１つであるハードディ
スク（以下、ＨＤと表す）は、小型でコストパフォーマ
ンスに優れているため、パーソナルコンピュータ（以
下、ＰＣと表す）や一部のパームトップＰＣ（小型で携
帯可能なもの）に使用されている。小型のＰＣの普及に
伴い、搭載されるＨＤが野外で利用される機会も増えつ
つある。ＰＣを野外で利用するためには、バッテリーに
よる長時間動作、高耐久性が要求される。しかし、モー
タで動作し、振動に弱いＨＤは、携帯型のＰＣには不向
きである。このため、ＨＤ互換の半導体記憶装置が注目
されるようになった。半導体記憶装置は、記憶部がフラ
ッシュメモリなどの不揮発性メモリで構成されており、
コストパフォーマンスではＨＤに劣るものの、衝撃に強
く、また、モータを使用しないため低消費電力設計が可
能な記憶媒体である。同一セクタへデータの上書きを行
うことのできるＨＤに比べて、フラッシュメモリには、
以下のような特徴がある。即ち、データを書き込む前に
必ずその書き込みセクタのデータを消去する必要があ
り、データの追加書き込みができない。データの読み出
し、及び、書き込みはセクタ（５１２バイト）単位で行
うことができるが、データの消去は、例えば６４キロバ
イトなどの比較的大きなブロック単位でしか行うことが
できない。更に、セクタに書き込まれたデータを消去で
きる回数は、ＨＤに比べて少ない（約１０万回）。この
ように、フラッシュメモリを用いた半導体記憶装置の場
合、上記データの消去回数の制限と、データの消去を行
うブロックのサイズの問題より、ＨＤと全く同じに取り
扱うことはできない。ホストにより指定されたセクタ番
号のセクタに既にデータが書き込まれている場合、未使
用のセクタを検索し、検索した未使用のセクタにデータ
の書き込みを行う。この場合、ホストの指定したセクタ
番号とは異なる番号のセクタにデータの書き込みが行わ
れることとなる。そこで、ホストの指定するセクタ番号
（以下、これを論理セクタ番号ＬＳＮで表す）を、実際
にデータの書き込みを行ったセクタの番号（以下、これ
を物理セクタ番号ＰＳＮで表す）に変換するアドレス変
換テーブルを半導体記憶装置内に用意する。ホストから
データの読み取りを要求された場合、ホストにより指定
された論理セクタ番号ＬＳＮに対応する物理セクタ番号
ＰＳＮを、アドレス変換テーブルを用いて特定し、この
特定した物理セクタに書き込まれているデータを読み出
す。
スク（以下、ＨＤと表す）は、小型でコストパフォーマ
ンスに優れているため、パーソナルコンピュータ（以
下、ＰＣと表す）や一部のパームトップＰＣ（小型で携
帯可能なもの）に使用されている。小型のＰＣの普及に
伴い、搭載されるＨＤが野外で利用される機会も増えつ
つある。ＰＣを野外で利用するためには、バッテリーに
よる長時間動作、高耐久性が要求される。しかし、モー
タで動作し、振動に弱いＨＤは、携帯型のＰＣには不向
きである。このため、ＨＤ互換の半導体記憶装置が注目
されるようになった。半導体記憶装置は、記憶部がフラ
ッシュメモリなどの不揮発性メモリで構成されており、
コストパフォーマンスではＨＤに劣るものの、衝撃に強
く、また、モータを使用しないため低消費電力設計が可
能な記憶媒体である。同一セクタへデータの上書きを行
うことのできるＨＤに比べて、フラッシュメモリには、
以下のような特徴がある。即ち、データを書き込む前に
必ずその書き込みセクタのデータを消去する必要があ
り、データの追加書き込みができない。データの読み出
し、及び、書き込みはセクタ（５１２バイト）単位で行
うことができるが、データの消去は、例えば６４キロバ
イトなどの比較的大きなブロック単位でしか行うことが
できない。更に、セクタに書き込まれたデータを消去で
きる回数は、ＨＤに比べて少ない（約１０万回）。この
ように、フラッシュメモリを用いた半導体記憶装置の場
合、上記データの消去回数の制限と、データの消去を行
うブロックのサイズの問題より、ＨＤと全く同じに取り
扱うことはできない。ホストにより指定されたセクタ番
号のセクタに既にデータが書き込まれている場合、未使
用のセクタを検索し、検索した未使用のセクタにデータ
の書き込みを行う。この場合、ホストの指定したセクタ
番号とは異なる番号のセクタにデータの書き込みが行わ
れることとなる。そこで、ホストの指定するセクタ番号
（以下、これを論理セクタ番号ＬＳＮで表す）を、実際
にデータの書き込みを行ったセクタの番号（以下、これ
を物理セクタ番号ＰＳＮで表す）に変換するアドレス変
換テーブルを半導体記憶装置内に用意する。ホストから
データの読み取りを要求された場合、ホストにより指定
された論理セクタ番号ＬＳＮに対応する物理セクタ番号
ＰＳＮを、アドレス変換テーブルを用いて特定し、この
特定した物理セクタに書き込まれているデータを読み出
す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】例えば、４０メガバイ
トの容量の半導体記憶装置の場合、全てのセクタ（８１
９２０セクタ）を管理するアドレス変換テーブルを備え
るのには、１．３メガビット、即ち、１メガビットのＲ
ＡＭが２チップ、あるいは４メガビットのＲＡＭを１チ
ップを搭載する必要がある。フラッシュメモリの容量の
増大に伴い、アドレス変換テーブルに要するメモリＲＡ
Ｍの容量も大きくなり、装置のコストアップ、ＲＡＭの
サイズアップによる設計の自由度の制限といった問題が
生じる。
トの容量の半導体記憶装置の場合、全てのセクタ（８１
９２０セクタ）を管理するアドレス変換テーブルを備え
るのには、１．３メガビット、即ち、１メガビットのＲ
ＡＭが２チップ、あるいは４メガビットのＲＡＭを１チ
ップを搭載する必要がある。フラッシュメモリの容量の
増大に伴い、アドレス変換テーブルに要するメモリＲＡ
Ｍの容量も大きくなり、装置のコストアップ、ＲＡＭの
サイズアップによる設計の自由度の制限といった問題が
生じる。
【０００４】本発明の目的は、小容量のアドレス変換テ
ーブルを用いて、大容量のフラッシュメモリを制御する
半導体記憶装置を提供することである。
ーブルを用いて、大容量のフラッシュメモリを制御する
半導体記憶装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体記憶装置
は、ｎ個のセクタを１グループとし、複数のグループを
消去単位とするフラッシュメモリと、論理グループ番号
に対する物理グループ番号を特定するアドレス変換テー
ブルを記憶するＲＡＭと、指定された論理セクタ番号を
ｎで除算し、商を論理グループ番号とし、余りをオフセ
ットアドレスとする除算手段と、除算手段により求めら
れた論理グループ番号に対応する物理グループ番号をア
ドレス変換テーブルから求め、求めた物理グループ番号
のオフセットアドレスにあるセクタをアクセスの対象と
してデータの書き込み及び読み出しを行う制御部とを備
える。この半導体記憶装置では、ｎ個のセクタを１グル
ープとして管理するため、アドレス変換テーブルのサイ
ズが小さくなる。このため、小容量の小さなサイズのＲ
ＡＭを使用することができ、半導体記憶装置のサイズを
大きくすることなく、より大容量のフラッシュメモリを
搭載することができる。
は、ｎ個のセクタを１グループとし、複数のグループを
消去単位とするフラッシュメモリと、論理グループ番号
に対する物理グループ番号を特定するアドレス変換テー
ブルを記憶するＲＡＭと、指定された論理セクタ番号を
ｎで除算し、商を論理グループ番号とし、余りをオフセ
ットアドレスとする除算手段と、除算手段により求めら
れた論理グループ番号に対応する物理グループ番号をア
ドレス変換テーブルから求め、求めた物理グループ番号
のオフセットアドレスにあるセクタをアクセスの対象と
してデータの書き込み及び読み出しを行う制御部とを備
える。この半導体記憶装置では、ｎ個のセクタを１グル
ープとして管理するため、アドレス変換テーブルのサイ
ズが小さくなる。このため、小容量の小さなサイズのＲ
ＡＭを使用することができ、半導体記憶装置のサイズを
大きくすることなく、より大容量のフラッシュメモリを
搭載することができる。
【０００６】上記半導体記憶装置において、好ましく
は、さらに、グループ毎に、ｎ個のセクタの使用状態を
管理するための情報を記憶する記憶手段を備え、上記制
御部は、アクセスの対象のセクタにデータを書き込む場
合であって、上記記憶手段により当該セクタに既にデー
タが書き込まれていると判断される場合には、未使用の
グループを検索し、検索した未使用のグループの上記オ
フセットアドレスのセクタにデータの書き込みを行い、
アドレス変換テーブルの物理グループ番号に対する物理
グループ番号の値を、実際にデータの書き込みを行った
上記未使用のグループの番号に書き換え、データの書き
込みを行っていないセクタについて、書き換え前のアド
レス変換テーブルで指定された物理グループ番号の値を
記憶手段に記憶させる。この半導体記憶装置では、デー
タの追加書き込みを行う際、次々と新規のグループを使
用するのではなく、使用していないセクタへの追加書き
込みの際には、当該未使用のセクタへデータの書き込み
を行う。これにより、有効にグループ内のセクタを利用
する。
は、さらに、グループ毎に、ｎ個のセクタの使用状態を
管理するための情報を記憶する記憶手段を備え、上記制
御部は、アクセスの対象のセクタにデータを書き込む場
合であって、上記記憶手段により当該セクタに既にデー
タが書き込まれていると判断される場合には、未使用の
グループを検索し、検索した未使用のグループの上記オ
フセットアドレスのセクタにデータの書き込みを行い、
アドレス変換テーブルの物理グループ番号に対する物理
グループ番号の値を、実際にデータの書き込みを行った
上記未使用のグループの番号に書き換え、データの書き
込みを行っていないセクタについて、書き換え前のアド
レス変換テーブルで指定された物理グループ番号の値を
記憶手段に記憶させる。この半導体記憶装置では、デー
タの追加書き込みを行う際、次々と新規のグループを使
用するのではなく、使用していないセクタへの追加書き
込みの際には、当該未使用のセクタへデータの書き込み
を行う。これにより、有効にグループ内のセクタを利用
する。
【０００７】上記好ましい構成の半導体記憶装置におい
て、制御部は、アクセスの対象のセクタのデータを読み
出す際、上記記憶手段により当該セクタが使用中である
と判断される場合には、当該セクタのデータを読み出
し、当該セクタが未使用であると判断される場合には、
記憶手段に記憶してある番号のグループのオフセットア
ドレスのセクタ（第２セクタとする）の使用状態を調
べ、第２セクタが使用中の場合には、第２セクタのデー
タを読み出し、第２セクタが未使用の場合には、使用中
のセクタが検出されるまで、記憶手段に記憶されている
番号のグループのオフセットアドレスのセクタの使用状
態を繰り返し調べ、所定回数以上、記憶手段に記憶され
ている番号のグループのオフセットアドレスのセクタの
使用状態を調べた場合、未使用のグループを検索し、検
索した未使用のグループに各セクタの最新データをコピ
ーし、アドレス変換テーブルの物理グループ番号に対す
る物理グループ番号の値を、各セクタの最新データのコ
ピーを行ったグループの番号に書き換えることが好まし
い。この制御を行うことでグループ同士のリンク関係を
簡潔化することができ、各セクタへのアクセス時間を短
くすることができる。
て、制御部は、アクセスの対象のセクタのデータを読み
出す際、上記記憶手段により当該セクタが使用中である
と判断される場合には、当該セクタのデータを読み出
し、当該セクタが未使用であると判断される場合には、
記憶手段に記憶してある番号のグループのオフセットア
ドレスのセクタ（第２セクタとする）の使用状態を調
べ、第２セクタが使用中の場合には、第２セクタのデー
タを読み出し、第２セクタが未使用の場合には、使用中
のセクタが検出されるまで、記憶手段に記憶されている
番号のグループのオフセットアドレスのセクタの使用状
態を繰り返し調べ、所定回数以上、記憶手段に記憶され
ている番号のグループのオフセットアドレスのセクタの
使用状態を調べた場合、未使用のグループを検索し、検
索した未使用のグループに各セクタの最新データをコピ
ーし、アドレス変換テーブルの物理グループ番号に対す
る物理グループ番号の値を、各セクタの最新データのコ
ピーを行ったグループの番号に書き換えることが好まし
い。この制御を行うことでグループ同士のリンク関係を
簡潔化することができ、各セクタへのアクセス時間を短
くすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を用いて、本発
明の半導体記憶装置の実施形態の一例について説明す
る。 （１）半導体記憶装置の構成 図１は、半導体記憶装置１１の構成を示すブロック図で
ある。半導体記憶装置１１本体は、バスを介してホスト
１０に接続される。インターフェース回路１２は、ホス
ト１０とのデータのやり取りを行う。ＣＰＵ１３は、半
導体記憶装置の全体を制御する。フラッシュ制御回路１
４は、フラッシュメモリ１５からのデータ読み出し、及
び、フラッシュメモリ１５へのデータの書き込みを制御
する。バッファＲＡＭ１７は、フラッシュメモリ１５か
ら読み出したデータ、及び、フラッシュメモリ１５に書
き込むデータを一時的に保持する。１６は、アドレス変
換テーブルを記憶するＲＡＭである。半導体記憶装置１
１は、４セクタを１グループとして管理する。各グルー
プには物理グループ番号ＰＧＮが割り当てられる。ま
た、グループを構成する４個のセクタには、それぞれオ
フセットアドレスＯＡ（＝０、１、２、３）が割り当て
られる。アドレス変換テーブル１６には、論理グループ
番号ＬＧＮに対応する物理グループ番号ＰＧＮのデータ
が格納される。４セクタを１グループとして管理する場
合、セクタ単位で管理する場合に比べて、アドレス変換
テーブルに要するメモリの容量を節約することができ
る。例えば、４０メガバイトの半導体記憶装置の全ての
セクタ（８１９２０セクタ）を管理するのには、約１．
３メガビット、即ち、１メガビットのＲＡＭを２チッ
プ、又は４メガビットのＲＡＭを１チップ搭載する必要
があるのに対し、１グループを４セクタで構成する場
合、全てのグループ（２０４８０グループ）を管理する
のに２８０キロビット、即ち、５１２キロビットのＲＡ
Ｍを１チップ搭載するだけでよい。このように、小容量
のＲＡＭが使用可能になることで、コスト削減を行うこ
とができると共に、ＲＡＭに要するスペースを削減する
ことができ、より大容量のフラッシュメモリを搭載する
ことができるようになる。なお、１グループを構成する
セクタの数ｎを大きくすれば、必要とするアドレス変換
テーブルの容量を少なくすることができるが、データの
追加書き込みは未使用のグループに対して行われるた
め、余り多くのセクタでグループを構成するとメモリが
有効に活用されないといった問題がある。このため、１
グループを構成するセクタの数ｎは、双方のバランスを
考慮して定める必要がある。
明の半導体記憶装置の実施形態の一例について説明す
る。 （１）半導体記憶装置の構成 図１は、半導体記憶装置１１の構成を示すブロック図で
ある。半導体記憶装置１１本体は、バスを介してホスト
１０に接続される。インターフェース回路１２は、ホス
ト１０とのデータのやり取りを行う。ＣＰＵ１３は、半
導体記憶装置の全体を制御する。フラッシュ制御回路１
４は、フラッシュメモリ１５からのデータ読み出し、及
び、フラッシュメモリ１５へのデータの書き込みを制御
する。バッファＲＡＭ１７は、フラッシュメモリ１５か
ら読み出したデータ、及び、フラッシュメモリ１５に書
き込むデータを一時的に保持する。１６は、アドレス変
換テーブルを記憶するＲＡＭである。半導体記憶装置１
１は、４セクタを１グループとして管理する。各グルー
プには物理グループ番号ＰＧＮが割り当てられる。ま
た、グループを構成する４個のセクタには、それぞれオ
フセットアドレスＯＡ（＝０、１、２、３）が割り当て
られる。アドレス変換テーブル１６には、論理グループ
番号ＬＧＮに対応する物理グループ番号ＰＧＮのデータ
が格納される。４セクタを１グループとして管理する場
合、セクタ単位で管理する場合に比べて、アドレス変換
テーブルに要するメモリの容量を節約することができ
る。例えば、４０メガバイトの半導体記憶装置の全ての
セクタ（８１９２０セクタ）を管理するのには、約１．
３メガビット、即ち、１メガビットのＲＡＭを２チッ
プ、又は４メガビットのＲＡＭを１チップ搭載する必要
があるのに対し、１グループを４セクタで構成する場
合、全てのグループ（２０４８０グループ）を管理する
のに２８０キロビット、即ち、５１２キロビットのＲＡ
Ｍを１チップ搭載するだけでよい。このように、小容量
のＲＡＭが使用可能になることで、コスト削減を行うこ
とができると共に、ＲＡＭに要するスペースを削減する
ことができ、より大容量のフラッシュメモリを搭載する
ことができるようになる。なお、１グループを構成する
セクタの数ｎを大きくすれば、必要とするアドレス変換
テーブルの容量を少なくすることができるが、データの
追加書き込みは未使用のグループに対して行われるた
め、余り多くのセクタでグループを構成するとメモリが
有効に活用されないといった問題がある。このため、１
グループを構成するセクタの数ｎは、双方のバランスを
考慮して定める必要がある。
【０００９】フラッシュメモリ１５は、複数の消去ブロ
ックで構成される。デフォルトでは、全アドレスに”
１”のデータが書き込まれており、実際のデータの書き
込みは、必要なアドレスに”０”のデータを書き込んで
実行される。図２は、ある消去ブロック２０の構成を示
す。ブロックサイズは、６４キロバイトである。消去ブ
ロック２０は、ブロック管理用データ領域２１と、グル
ープ管理用データ領域２２と、使用者のデータが格納さ
れるデータ格納領域２３とからなる。ブロック管理用デ
ータ領域２１は、消去ブロック２０に関する情報が書き
込まれている。この消去ブロック２０に関する情報と
は、消去回数をカウントするためのカウンタ値やこのブ
ロックの使用を禁止するための禁止フラグなどである。
グループ管理用データ領域２２は、消去ブロック２０内
の各グループを管理するための管理情報が書き込まれて
いる。このグループ管理情報は、グループ毎に用意され
ている。例えば、消去ブロック２０内に６０のグループ
が存在する場合には、６０セットのグループ管理情報が
記憶される。グループ毎に記憶される管理情報の内容
は、次の表１に示すとおりである。
ックで構成される。デフォルトでは、全アドレスに”
１”のデータが書き込まれており、実際のデータの書き
込みは、必要なアドレスに”０”のデータを書き込んで
実行される。図２は、ある消去ブロック２０の構成を示
す。ブロックサイズは、６４キロバイトである。消去ブ
ロック２０は、ブロック管理用データ領域２１と、グル
ープ管理用データ領域２２と、使用者のデータが格納さ
れるデータ格納領域２３とからなる。ブロック管理用デ
ータ領域２１は、消去ブロック２０に関する情報が書き
込まれている。この消去ブロック２０に関する情報と
は、消去回数をカウントするためのカウンタ値やこのブ
ロックの使用を禁止するための禁止フラグなどである。
グループ管理用データ領域２２は、消去ブロック２０内
の各グループを管理するための管理情報が書き込まれて
いる。このグループ管理情報は、グループ毎に用意され
ている。例えば、消去ブロック２０内に６０のグループ
が存在する場合には、６０セットのグループ管理情報が
記憶される。グループ毎に記憶される管理情報の内容
は、次の表１に示すとおりである。
【表１】 グループ消去可能フラグＦ１は、グループ２０が未使
用、又は、使用中の場合”１”であり、グループ内に必
要なデータが存在しない場合には”０”にセットされ
る。グループ使用状態確認フラグＦ２は、グループを構
成するセクタの使用状況を示すフラグであり、使用中の
セクタについて０にセットされる。１グループが４つの
セクタで構成されている場合、フラグＦ２は４ビットの
データで表され、セクタ０、１、２が使用されてる場合
には、”０００１”となる。論理グループ番号ＬＧＮ
は、グループに対応する論理グループ番号のデータであ
り、電源投入時のアドレス変換テーブル１６の作成時に
参照される。グループ内の全セクタが未使用の場合、デ
フォルトの値が書き込まれている。ＥＣＣ(Error Corre
ction Code)データは、論理グループ番号の信頼性を向
上させるために使用する、誤り訂正符号のデータであ
る。グループ内セクタ０の最新のアドレスAdd0は、デー
タの読み出し時に、グループ内のセクタ０が最新か否か
を判断するのに用いられる。最新のデータの場合には、
デフォルト値の”１１１１”がセットされており、一つ
前のグループにデータが書き込まれている場合には、そ
のグループの物理番号ＰＧＮのデータが書き込まれる。
この最新のアドレスAddのデータは、１グループが４セ
クタで構成されている場合には、Add0〜Add3の４つ設け
られる。最新データフラグＦ３は、上記グループ内の少
なくとも１つのセクタに書き込まれているデータが最新
の場合に１にセットされるフラグである。ここで、最新
のデータが書き込まれているセクタとは、上記グループ
使用状態確認フラグＦ２の値が０にセットされているセ
クタであって、最新のアドレスAddに”１１１１”が書
き込まれているセクタのことを示す。半導体記憶装置１
１の電源投入時、ＣＰＵ１３は、グループ消去可能フラ
グＦ１及び最新データフラグＦ３の値が共に１のグルー
プの論理グループ番号ＬＧＮのデータに基づいて、アド
レス変換テーブル１６を形成する。
用、又は、使用中の場合”１”であり、グループ内に必
要なデータが存在しない場合には”０”にセットされ
る。グループ使用状態確認フラグＦ２は、グループを構
成するセクタの使用状況を示すフラグであり、使用中の
セクタについて０にセットされる。１グループが４つの
セクタで構成されている場合、フラグＦ２は４ビットの
データで表され、セクタ０、１、２が使用されてる場合
には、”０００１”となる。論理グループ番号ＬＧＮ
は、グループに対応する論理グループ番号のデータであ
り、電源投入時のアドレス変換テーブル１６の作成時に
参照される。グループ内の全セクタが未使用の場合、デ
フォルトの値が書き込まれている。ＥＣＣ(Error Corre
ction Code)データは、論理グループ番号の信頼性を向
上させるために使用する、誤り訂正符号のデータであ
る。グループ内セクタ０の最新のアドレスAdd0は、デー
タの読み出し時に、グループ内のセクタ０が最新か否か
を判断するのに用いられる。最新のデータの場合には、
デフォルト値の”１１１１”がセットされており、一つ
前のグループにデータが書き込まれている場合には、そ
のグループの物理番号ＰＧＮのデータが書き込まれる。
この最新のアドレスAddのデータは、１グループが４セ
クタで構成されている場合には、Add0〜Add3の４つ設け
られる。最新データフラグＦ３は、上記グループ内の少
なくとも１つのセクタに書き込まれているデータが最新
の場合に１にセットされるフラグである。ここで、最新
のデータが書き込まれているセクタとは、上記グループ
使用状態確認フラグＦ２の値が０にセットされているセ
クタであって、最新のアドレスAddに”１１１１”が書
き込まれているセクタのことを示す。半導体記憶装置１
１の電源投入時、ＣＰＵ１３は、グループ消去可能フラ
グＦ１及び最新データフラグＦ３の値が共に１のグルー
プの論理グループ番号ＬＧＮのデータに基づいて、アド
レス変換テーブル１６を形成する。
【００１０】（２）データの書き込み処理 データの書き込み処理には、データの新規書き込みと、
データの追加書き込みとの２つの場合がある。図３は、
図２に示した消去ブロック２０の論理グループ番号ＬＧ
Ｎ＝αのセクタ０、１、２に対してデータの新規書き込
みを行った場合の消去ブロック２０内の状態を示す図で
ある。アドレス変換テーブル１６にＬＧＮ＝αに対応す
る論理グループ番号ＰＧＮが記憶されていない場合、新
規データの書き込みであると判断する。この場合、未使
用のグループＰＧＮ＝Ｘに対してデータの書き込みが行
われる。物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘのグループのセク
タ０、１、２に対してデータの書き込みを行った後、グ
ループ管理用データ領域２２に記憶されているＰＧＮ＝
Ｘについての各種フラグの値を更新する。また、図４に
示すように、アドレス変換テーブル１６の論理グループ
番号ＬＧＮ＝αに対応する物理グループ番号ＰＧＮを未
設定の状態から”Ｘ”に書き換える。
データの追加書き込みとの２つの場合がある。図３は、
図２に示した消去ブロック２０の論理グループ番号ＬＧ
Ｎ＝αのセクタ０、１、２に対してデータの新規書き込
みを行った場合の消去ブロック２０内の状態を示す図で
ある。アドレス変換テーブル１６にＬＧＮ＝αに対応す
る論理グループ番号ＰＧＮが記憶されていない場合、新
規データの書き込みであると判断する。この場合、未使
用のグループＰＧＮ＝Ｘに対してデータの書き込みが行
われる。物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘのグループのセク
タ０、１、２に対してデータの書き込みを行った後、グ
ループ管理用データ領域２２に記憶されているＰＧＮ＝
Ｘについての各種フラグの値を更新する。また、図４に
示すように、アドレス変換テーブル１６の論理グループ
番号ＬＧＮ＝αに対応する物理グループ番号ＰＧＮを未
設定の状態から”Ｘ”に書き換える。
【００１１】図５は、既に論理グループＬＧＮ＝αのセ
クタ０、１、２に対してデータの書き込みが行われてい
る場合であって、同じく論理グループＬＧＮ＝αのセク
タ０に対してデータの追加書き込みを行う場合の消去ブ
ロック２０内の状態を示す図である。アドレス変換テー
ブル１６により論理グループ番号ＬＧＮ＝αに対応する
物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘが特定される。フラッシュ
メモリでは、データの上書きを行うことができない。そ
こで、未使用のグループを検索し、検索した未使用のグ
ループＰＧＮ＝Ｙのセクタ０に追加データを書き込む。
グループ管理用データ領域２２に記憶されている物理グ
ループ番号ＰＧＮ＝Ｘ、及び、ＰＧＮ＝Ｙの各種フラグ
の値を更新する。また、図６に示すように、アドレス変
換テーブル１６の論理グループ番号ＬＧＮ＝αに対応す
る物理グループ番号ＰＧＮを”Ｘ”から”Ｙ”に書き換
える。
クタ０、１、２に対してデータの書き込みが行われてい
る場合であって、同じく論理グループＬＧＮ＝αのセク
タ０に対してデータの追加書き込みを行う場合の消去ブ
ロック２０内の状態を示す図である。アドレス変換テー
ブル１６により論理グループ番号ＬＧＮ＝αに対応する
物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘが特定される。フラッシュ
メモリでは、データの上書きを行うことができない。そ
こで、未使用のグループを検索し、検索した未使用のグ
ループＰＧＮ＝Ｙのセクタ０に追加データを書き込む。
グループ管理用データ領域２２に記憶されている物理グ
ループ番号ＰＧＮ＝Ｘ、及び、ＰＧＮ＝Ｙの各種フラグ
の値を更新する。また、図６に示すように、アドレス変
換テーブル１６の論理グループ番号ＬＧＮ＝αに対応す
る物理グループ番号ＰＧＮを”Ｘ”から”Ｙ”に書き換
える。
【００１２】表２は、論理グループ番号ＬＧＮ＝αに対
応する物理番号ＰＧＮ＝Ｘのグループのセクタ０、１、
２に既にデータが書き込まれている場合に、セクタ０に
データの追加書き込みを行った場合における、旧グルー
プ（ＰＧＮ＝Ｘ）と新規グループ（ＰＧＮ＝Ｙ）に関す
る各フラグの値を示す。
応する物理番号ＰＧＮ＝Ｘのグループのセクタ０、１、
２に既にデータが書き込まれている場合に、セクタ０に
データの追加書き込みを行った場合における、旧グルー
プ（ＰＧＮ＝Ｘ）と新規グループ（ＰＧＮ＝Ｙ）に関す
る各フラグの値を示す。
【表２】 表２にに示すように、ＰＧＮ＝Ｘの旧グループでは、最
新データフラグＦ４の値が０にセットされる。また、Ｐ
ＧＮ＝Ｙの新規グループでは、グループ使用状態確認フ
ラグＦ２のセクタ０に対応する最下位ビットの値が０に
セットされると共に、セクタ１及びセクタ２のアドレス
Add1,Add2にそれぞれ旧グループのＰＧＮ、即ちＸが書
き込まれる。ホスト１０より論理グループ番号ＬＧＮ＝
αのセクタ０の読み出しが要求された場合には、そのま
ま当該セクタのデータをホスト１０に出力する。しか
し、ホスト１０より論理グループ番号ＬＧＮ＝αのセク
タ１の読み出しが要求された場合には、セクタ１のアド
レスAdd1に記憶されている旧グループのＰＧＮ＝Ｘを参
照して、番号ＰＧＮ＝Ｘのグループのセクタ１のデータ
を読み出す。
新データフラグＦ４の値が０にセットされる。また、Ｐ
ＧＮ＝Ｙの新規グループでは、グループ使用状態確認フ
ラグＦ２のセクタ０に対応する最下位ビットの値が０に
セットされると共に、セクタ１及びセクタ２のアドレス
Add1,Add2にそれぞれ旧グループのＰＧＮ、即ちＸが書
き込まれる。ホスト１０より論理グループ番号ＬＧＮ＝
αのセクタ０の読み出しが要求された場合には、そのま
ま当該セクタのデータをホスト１０に出力する。しか
し、ホスト１０より論理グループ番号ＬＧＮ＝αのセク
タ１の読み出しが要求された場合には、セクタ１のアド
レスAdd1に記憶されている旧グループのＰＧＮ＝Ｘを参
照して、番号ＰＧＮ＝Ｘのグループのセクタ１のデータ
を読み出す。
【００１３】図７及び図８は、データの書き込み処理の
フローチャートを示す。まず、ホスト１０から論理セク
タの番号ＬＳＮ＝αを受け取る（ステップＳ１００）。
受け取った論理セクタ番号ＬＳＮの値αをｎで除算し、
商を論理グループ番号ＬＧＮ、余りをオフセットアドレ
スＯＡとする（ステップＳ１０１）。グループを構成す
る４つのセクタには、物理アドレスの値の小さなものか
ら順に、０、１、２、３のオフセットアドレスＯＡが割
り当てられている。例えば、ホスト１０より指定された
論理セクタの番号ＬＳＮが４、５、６の場合、論理グル
ープ番号ＬＧＮは１、オフセットアドレスＯＡは、０、
１、２となる。上記除算により求められた論理グループ
番号ＬＧＮに対応する物理グループ番号ＰＧＮがアドレ
ス変換テーブル１６に格納されているか否かを確認する
（ステップＳ１０２）。ここで、アドレス変換テーブル
１６に対応する物理グループ番号ＰＧＮが未登録の場合
（ステップＳ１０３でＮＯ）、論理セクタ番号ＬＳＮへ
の新規のデータの書き込みであると判断し、以下の処理
を実行する。まず、消去ブロック１０内のグループ管理
用データ領域１２に書き込まれているグループ使用状態
確認フラグＦ２の値を調べ、グループを構成する全セク
タが未使用のグループ（即ちフラグＦ２＝”１１１
１”）を検索する（ステップＳ１０４）。検索した未使
用のグループ（物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘとする）の
オフセットアドレスＯＡのセクタにデータの書き込みを
行う（ステップＳ１０５）。データの書き込みを行った
グループについての表１に示した管理情報のデータを更
新する。即ち、グループ使用状態確認フラグＦ２の該当
するビットデータの値を０に書き換えると共に（ステッ
プＳ１０６）、ステップＳ１０１において算出した論理
グループ番号ＬＧＮのデータ（表１の第３項目）を書き
込む。アドレス変換テーブル１６に当該データの書き込
みを行ったグループの物理グループ番号ＰＧＮを書き込
み、内容を更新する（ステップＳ１０９）。
フローチャートを示す。まず、ホスト１０から論理セク
タの番号ＬＳＮ＝αを受け取る（ステップＳ１００）。
受け取った論理セクタ番号ＬＳＮの値αをｎで除算し、
商を論理グループ番号ＬＧＮ、余りをオフセットアドレ
スＯＡとする（ステップＳ１０１）。グループを構成す
る４つのセクタには、物理アドレスの値の小さなものか
ら順に、０、１、２、３のオフセットアドレスＯＡが割
り当てられている。例えば、ホスト１０より指定された
論理セクタの番号ＬＳＮが４、５、６の場合、論理グル
ープ番号ＬＧＮは１、オフセットアドレスＯＡは、０、
１、２となる。上記除算により求められた論理グループ
番号ＬＧＮに対応する物理グループ番号ＰＧＮがアドレ
ス変換テーブル１６に格納されているか否かを確認する
（ステップＳ１０２）。ここで、アドレス変換テーブル
１６に対応する物理グループ番号ＰＧＮが未登録の場合
（ステップＳ１０３でＮＯ）、論理セクタ番号ＬＳＮへ
の新規のデータの書き込みであると判断し、以下の処理
を実行する。まず、消去ブロック１０内のグループ管理
用データ領域１２に書き込まれているグループ使用状態
確認フラグＦ２の値を調べ、グループを構成する全セク
タが未使用のグループ（即ちフラグＦ２＝”１１１
１”）を検索する（ステップＳ１０４）。検索した未使
用のグループ（物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘとする）の
オフセットアドレスＯＡのセクタにデータの書き込みを
行う（ステップＳ１０５）。データの書き込みを行った
グループについての表１に示した管理情報のデータを更
新する。即ち、グループ使用状態確認フラグＦ２の該当
するビットデータの値を０に書き換えると共に（ステッ
プＳ１０６）、ステップＳ１０１において算出した論理
グループ番号ＬＧＮのデータ（表１の第３項目）を書き
込む。アドレス変換テーブル１６に当該データの書き込
みを行ったグループの物理グループ番号ＰＧＮを書き込
み、内容を更新する（ステップＳ１０９）。
【００１４】一方、上記ステップＳ１０３において、ア
ドレス変換テーブル１６に対応する物理グループ番号Ｐ
ＧＮがある場合（ステップＳ１０３でＹＥＳ）、該当す
るセクタにデータが書き込まれているか否かを判断する
（ステップＳ１１７）。該当するセクタに既にデータが
書き込まれている場合（ステップＳ１１７でＹＥＳ）、
以下の追加書き込み処理を実行する。まず、消去ブロッ
ク１０内のグループ管理用データ領域１２に書き込まれ
ているグループ使用状態確認フラグの値を調べて、各セ
クタが未使用のグループを検索する（図８、ステップＳ
１２０）。検索した未使用のグループのオフセットアド
レスＯＡのセクタにデータの書き込みを行うと共に（ス
テップＳ１２１）、アドレス変換テーブル１６に書き込
まれている物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘのグループ（以
下、これを旧グループという）と、今回データの書き込
みを行った物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｙのグループ（以
下、これを新規グループという）に関するフラグの値の
更新を行う。具体的には、新規グループの使用状態確認
フラグＦ２の値を更新する（ステップＳ１２２）。即
ち、追加書き込みを行ったセクタに対応するフラグを０
にセットする。論理グループ番号ＬＧＮのデータ、及
び、ＥＣＣデータを書き込む（ステップＳ１２３）。デ
ータの書き込みを行ったセクタの最新物理アドレスAdd
に旧グループの物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘのデータを
書き込む（ステップＳ１２４）。旧グループの最新デー
タフラグＦ３の値を０にセットする（ステップＳ１２
５）。アドレス変換テーブル１６に当該データの書き込
みを行ったグループの物理グループ番号ＰＧＮを書き込
み、内容を更新する（ステップＳ１２６）。なお、上記
ステップＳ１１７において、該当するセクタが未使用の
場合（ステップＳ１１７でＮＯ）、該当するセクタにデ
ータを書き込んだ後に（ステップＳ１１８）、当該グル
ープの使用状態確認フラグＦ２の値を更新（該当するビ
ットデータの値を０にする）する（ステップＳ１１
９）。
ドレス変換テーブル１６に対応する物理グループ番号Ｐ
ＧＮがある場合（ステップＳ１０３でＹＥＳ）、該当す
るセクタにデータが書き込まれているか否かを判断する
（ステップＳ１１７）。該当するセクタに既にデータが
書き込まれている場合（ステップＳ１１７でＹＥＳ）、
以下の追加書き込み処理を実行する。まず、消去ブロッ
ク１０内のグループ管理用データ領域１２に書き込まれ
ているグループ使用状態確認フラグの値を調べて、各セ
クタが未使用のグループを検索する（図８、ステップＳ
１２０）。検索した未使用のグループのオフセットアド
レスＯＡのセクタにデータの書き込みを行うと共に（ス
テップＳ１２１）、アドレス変換テーブル１６に書き込
まれている物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘのグループ（以
下、これを旧グループという）と、今回データの書き込
みを行った物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｙのグループ（以
下、これを新規グループという）に関するフラグの値の
更新を行う。具体的には、新規グループの使用状態確認
フラグＦ２の値を更新する（ステップＳ１２２）。即
ち、追加書き込みを行ったセクタに対応するフラグを０
にセットする。論理グループ番号ＬＧＮのデータ、及
び、ＥＣＣデータを書き込む（ステップＳ１２３）。デ
ータの書き込みを行ったセクタの最新物理アドレスAdd
に旧グループの物理グループ番号ＰＧＮ＝Ｘのデータを
書き込む（ステップＳ１２４）。旧グループの最新デー
タフラグＦ３の値を０にセットする（ステップＳ１２
５）。アドレス変換テーブル１６に当該データの書き込
みを行ったグループの物理グループ番号ＰＧＮを書き込
み、内容を更新する（ステップＳ１２６）。なお、上記
ステップＳ１１７において、該当するセクタが未使用の
場合（ステップＳ１１７でＮＯ）、該当するセクタにデ
ータを書き込んだ後に（ステップＳ１１８）、当該グル
ープの使用状態確認フラグＦ２の値を更新（該当するビ
ットデータの値を０にする）する（ステップＳ１１
９）。
【００１５】（３）データの読み出し処理 データの読み出しを行う場合、物理グループ番号ＰＧＮ
のオフセットアドレスＯＡのセクタに関するアドレスAd
dを調べる。アドレスAddが”１１１１”の場合には、そ
のセクタに書き込まれているデータを読み出す。ここ
で、”１１１１”以外のデータが書き込まれている場合
には、当該セクタ以外のセクタについて追加の書き込み
が行われ、当該セクタのデータは一つ以上古い旧グルー
プの同じオフセットアドレスＯＡのセクタに書き込まれ
ていると判断する。そこで、アドレスAddが”１１１
１”となるまで、アドレスAddの値の物理グループ番号
の該当するセクタのアドレスAddを調べ、アドレスAdd
が”１１１１”のセクタのデータを読み出す。データの
追加書き込みが繰り返し行われた場合、アドレスAddの
値に基づいて、グループを遡るのに時間を要するように
なる。そこで、遡って調べるグループの数をカウント
し、カウント値が４以上になった場合、未使用のグルー
プに各セクタのそれぞれ最新のデータをコピーし、各旧
グループの消去可能フラグＦ１の値を０にセットすると
共に、最新データフラグＦ３の値を０にする。以下、こ
の処理をリンクの簡潔化処理という。このリンクの簡潔
化処理は、本例のように、グループのリンクが所定数以
上になった場合に実行する他、リンクを遡るのに要する
時間が一定時間以上になった場合に実行するようにして
も良い。リンクの簡潔化処理は、データの読み出し時間
をある一定のレベルに保つことを目的とするからであ
る。図９の上段は、物理グループ番号ＬＧＮ＝βのセク
タ０、１、２にデータの書き込み要求がされ、対応する
物理グループ番号ＰＧＮ＝Ａのセクタ０、１、２にデー
タが書き込まれた後に、セクタ１についてデータの追加
書き込み、セクタ１、２についての追加書き込み、セク
タ２、３についての追加書き込み、さらに、セクタ３に
ついての追加書き込みが行われた場合の各物理グループ
番号ＰＧＮ＝Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの各フラグの値を示す
図である。この場合において、論理グループ番号ＬＧＮ
＝βのセクタ０のデータの読み出しを行う場合、矢印で
示すように、Ｅ→Ｄ→Ｃ→Ｂ→Ａの順に４回グループを
遡る。図１０は、上記リンクの簡略化処理実行後の、各
グループ（ＰＧＮ＝Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ）の各フラ
グの値を示す。図示するように、未使用の物理セクタ番
号ＰＧＮ＝Ｆにセクタ０、１、２、３のそれぞれの最新
データをコピーし、各グループ（ＰＧＮ＝Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ）の消去可能フラグＦ１の値を０にセットすると
共に、最新データフラグＦ３の値を０にする。
のオフセットアドレスＯＡのセクタに関するアドレスAd
dを調べる。アドレスAddが”１１１１”の場合には、そ
のセクタに書き込まれているデータを読み出す。ここ
で、”１１１１”以外のデータが書き込まれている場合
には、当該セクタ以外のセクタについて追加の書き込み
が行われ、当該セクタのデータは一つ以上古い旧グルー
プの同じオフセットアドレスＯＡのセクタに書き込まれ
ていると判断する。そこで、アドレスAddが”１１１
１”となるまで、アドレスAddの値の物理グループ番号
の該当するセクタのアドレスAddを調べ、アドレスAdd
が”１１１１”のセクタのデータを読み出す。データの
追加書き込みが繰り返し行われた場合、アドレスAddの
値に基づいて、グループを遡るのに時間を要するように
なる。そこで、遡って調べるグループの数をカウント
し、カウント値が４以上になった場合、未使用のグルー
プに各セクタのそれぞれ最新のデータをコピーし、各旧
グループの消去可能フラグＦ１の値を０にセットすると
共に、最新データフラグＦ３の値を０にする。以下、こ
の処理をリンクの簡潔化処理という。このリンクの簡潔
化処理は、本例のように、グループのリンクが所定数以
上になった場合に実行する他、リンクを遡るのに要する
時間が一定時間以上になった場合に実行するようにして
も良い。リンクの簡潔化処理は、データの読み出し時間
をある一定のレベルに保つことを目的とするからであ
る。図９の上段は、物理グループ番号ＬＧＮ＝βのセク
タ０、１、２にデータの書き込み要求がされ、対応する
物理グループ番号ＰＧＮ＝Ａのセクタ０、１、２にデー
タが書き込まれた後に、セクタ１についてデータの追加
書き込み、セクタ１、２についての追加書き込み、セク
タ２、３についての追加書き込み、さらに、セクタ３に
ついての追加書き込みが行われた場合の各物理グループ
番号ＰＧＮ＝Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの各フラグの値を示す
図である。この場合において、論理グループ番号ＬＧＮ
＝βのセクタ０のデータの読み出しを行う場合、矢印で
示すように、Ｅ→Ｄ→Ｃ→Ｂ→Ａの順に４回グループを
遡る。図１０は、上記リンクの簡略化処理実行後の、各
グループ（ＰＧＮ＝Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ）の各フラ
グの値を示す。図示するように、未使用の物理セクタ番
号ＰＧＮ＝Ｆにセクタ０、１、２、３のそれぞれの最新
データをコピーし、各グループ（ＰＧＮ＝Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ）の消去可能フラグＦ１の値を０にセットすると
共に、最新データフラグＦ３の値を０にする。
【００１６】図１１は、読み出し処理のフローチャート
である。まず、ホスト１０よりデータの読み出しの指定
された論理セクタ番号ＬＳＮを認識する（ステップＳ２
００）。認識したＬＳＮの値を４で除算し、商を論理グ
ループ番号ＬＧＮに、余りをオフセットアドレスＯＡと
する（ステップＳ２０１）。アドレス変換テーブル１６
を参照して対応する物理グループ番号ＰＧＮを認識する
（ステップＳ２０２）。認識した物理グループ番号ＰＧ
Ｎの該当するセクタに関するアドレスAddを確認する
（ステップＳ２０３）。後の処理のためにカウント値Ｃ
の値を初期化（＝１）する。上記ステップＳ２０２にお
いて調べたアドレスAdd の値が”１１１１”の場合（ス
テップＳ２０５でＹＥＳ）、当該セクタのデータを読み
出す（ステップＳ２０６）。また、アドレスAddの値
が”１１１１”でない場合（ステップＳ２０５でＮ
Ｏ）、アドレスAddの値と同じ物理グループ番号ＰＧＮ
のセクタに関するアドレスAddの確認を行うと共に（ス
テップＳ２０７）、カウンタ値Ｃの値に１を加算した後
に（ステップＳ２０８）、上記ステップＳ２０５に戻
る。ここで、上記ステップＳ２０７において調べたアド
レスAdd の値が”１１１１”の場合（ステップＳ２０５
でＹＥＳ）、当該セクタのデータを読み出す（ステップ
Ｓ２０６）。データの読み出しを行った後、カウンタ値
Ｃの値を調べる。カウンタ値Ｃの値が４以上の場合（ス
テップＳ２０９でＹＥＳ）、未使用グループの検索を行
い（ステップＳ２１０）、検索した未使用グループに各
セクタの最新データをコピーする（ステップＳ２１
１）。新規グループの各フラグを更新する（ステップＳ
２１２）。旧グループ全てのグループ消去可能フラグＦ
１を０にセットすると共に、上記ステップＳ２０２にお
いて特定した物理グループ番号ＰＧＮの最新データフラ
グＦ４を０にセットする（ステップＳ２１３）。アドレ
ス変換テーブル１６の論理グループ番号ＬＧＮに対応す
る物理グループ番号ＰＧＮを上記ステップＳ２１１にお
いて各セクタの最新データをコピーしたグループの番号
に変更する（ステップＳ２１４）。これにより、長くな
りすぎたグループ同士のリンクを簡潔にすることができ
る。なお、このリンクの簡潔化処理にはある程度の時間
を要するため、カウント値が４未満の場合には（ステッ
プＳ２０９でＮＯ）、スキップする。
である。まず、ホスト１０よりデータの読み出しの指定
された論理セクタ番号ＬＳＮを認識する（ステップＳ２
００）。認識したＬＳＮの値を４で除算し、商を論理グ
ループ番号ＬＧＮに、余りをオフセットアドレスＯＡと
する（ステップＳ２０１）。アドレス変換テーブル１６
を参照して対応する物理グループ番号ＰＧＮを認識する
（ステップＳ２０２）。認識した物理グループ番号ＰＧ
Ｎの該当するセクタに関するアドレスAddを確認する
（ステップＳ２０３）。後の処理のためにカウント値Ｃ
の値を初期化（＝１）する。上記ステップＳ２０２にお
いて調べたアドレスAdd の値が”１１１１”の場合（ス
テップＳ２０５でＹＥＳ）、当該セクタのデータを読み
出す（ステップＳ２０６）。また、アドレスAddの値
が”１１１１”でない場合（ステップＳ２０５でＮ
Ｏ）、アドレスAddの値と同じ物理グループ番号ＰＧＮ
のセクタに関するアドレスAddの確認を行うと共に（ス
テップＳ２０７）、カウンタ値Ｃの値に１を加算した後
に（ステップＳ２０８）、上記ステップＳ２０５に戻
る。ここで、上記ステップＳ２０７において調べたアド
レスAdd の値が”１１１１”の場合（ステップＳ２０５
でＹＥＳ）、当該セクタのデータを読み出す（ステップ
Ｓ２０６）。データの読み出しを行った後、カウンタ値
Ｃの値を調べる。カウンタ値Ｃの値が４以上の場合（ス
テップＳ２０９でＹＥＳ）、未使用グループの検索を行
い（ステップＳ２１０）、検索した未使用グループに各
セクタの最新データをコピーする（ステップＳ２１
１）。新規グループの各フラグを更新する（ステップＳ
２１２）。旧グループ全てのグループ消去可能フラグＦ
１を０にセットすると共に、上記ステップＳ２０２にお
いて特定した物理グループ番号ＰＧＮの最新データフラ
グＦ４を０にセットする（ステップＳ２１３）。アドレ
ス変換テーブル１６の論理グループ番号ＬＧＮに対応す
る物理グループ番号ＰＧＮを上記ステップＳ２１１にお
いて各セクタの最新データをコピーしたグループの番号
に変更する（ステップＳ２１４）。これにより、長くな
りすぎたグループ同士のリンクを簡潔にすることができ
る。なお、このリンクの簡潔化処理にはある程度の時間
を要するため、カウント値が４未満の場合には（ステッ
プＳ２０９でＮＯ）、スキップする。
【００１７】
【発明の効果】本発明の半導体記憶装置では、ｎ個のセ
クタを一つのグループとして管理するため、アドレス変
換テーブルを記憶するＲＡＭの容量を少なくすることが
できる。これにより、よりサイズの大きな容量の大きい
フラッシュメモリを搭載することができる。
クタを一つのグループとして管理するため、アドレス変
換テーブルを記憶するＲＡＭの容量を少なくすることが
できる。これにより、よりサイズの大きな容量の大きい
フラッシュメモリを搭載することができる。
【００１８】好ましい構成の半導体記憶装置では、デー
タの追加書き込みが行われた場合に、次々と新規のグル
ープを使用するのではなく、使用していないセクタへの
追加書き込みの際には、当該未使用のセクタへデータの
書き込みを行う。これにより、有効にグループ内のセク
タを利用することができる。
タの追加書き込みが行われた場合に、次々と新規のグル
ープを使用するのではなく、使用していないセクタへの
追加書き込みの際には、当該未使用のセクタへデータの
書き込みを行う。これにより、有効にグループ内のセク
タを利用することができる。
【００１９】また、より好ましい構成の半導体記憶装置
では、データの追加書き込みが繰り返し行われた場合で
あっても、リンク簡潔化手段によりグループ同士のリン
ク状態を簡潔に保ち、アクセスに要する時間をある一定
のレベルに保つことができる。
では、データの追加書き込みが繰り返し行われた場合で
あっても、リンク簡潔化手段によりグループ同士のリン
ク状態を簡潔に保ち、アクセスに要する時間をある一定
のレベルに保つことができる。
【図１】 本発明の半導体記憶装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】 消去ブロックの内部構成を示す図である。
【図３】 新規データ書き込み時における消去ブロック
内の状態を示す図である。
内の状態を示す図である。
【図４】 アドレス変換テーブルを示す。
【図５】 データの追加書き込み時における消去ブロッ
ク内の状態を示す図である。
ク内の状態を示す図である。
【図６】 アドレス変換テーブルを示す。
【図７】 データの書き込み処理のフローチャートであ
る。
る。
【図８】 データの書き込み処理のフローチャートであ
る。
る。
【図９】 データの読み出しに関係する各グループのフ
ラグの状態を示す図である。
ラグの状態を示す図である。
【図１０】 リンクの簡潔化処理後における各グループ
のフラグの状態を示す図である。
のフラグの状態を示す図である。
【図１１】 読み出し処理のフローチャートである。
１０…ホスト １１…半導体記憶装置 １２…インターフェース １３…ＣＰＵ １４…フラッシュ制御回路 １５…フラッシュメモリ １６…アドレス変換テーブル １７…バッファＲＡＭ
Claims (3)
- 【請求項１】 ｎ個のセクタを１グループとし、複数の
グループを消去単位とするフラッシュメモリと、 論理グループ番号に対する物理グループ番号を特定する
アドレス変換テーブルを記憶するＲＡＭと、 指定された論理セクタ番号をｎで除算し、商を論理グル
ープ番号とし、余りをオフセットアドレスとする除算手
段と、 除算手段により求められた論理グループ番号に対応する
物理グループ番号をアドレス変換テーブルから求め、求
めた物理グループ番号のオフセットアドレスにあるセク
タをアクセスの対象としてデータの書き込み及び読み出
しを行う制御部とを備えることを特徴とする半導体記憶
装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載された半導体記憶装置に
おいて、さらに、 グループ毎に、ｎ個のセクタの使用状態を管理するため
の情報を記憶する記憶手段を備え、 上記制御部は、アクセスの対象のセクタにデータを書き
込む場合であって、上記記憶手段により当該セクタに既
にデータが書き込まれていると判断される場合には、未
使用のグループを検索し、検索した未使用のグループの
上記オフセットアドレスのセクタにデータの書き込みを
行い、アドレス変換テーブルの物理グループ番号に対す
る物理グループ番号の値を、実際にデータの書き込みを
行った上記未使用のグループの番号に書き換え、データ
の書き込みを行っていないセクタについて、書き換え前
のアドレス変換テーブルで指定された物理グループ番号
の値を記憶手段に記憶させることを特徴とする半導体記
憶装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載された半導体記憶装置に
おいて、さらに、 上記制御部は、アクセスの対象のセクタのデータを読み
出す際、上記記憶手段により当該セクタが使用中である
と判断される場合には、当該セクタのデータを読み出
し、当該セクタが未使用であると判断される場合には、
記憶手段に記憶してある番号のグループのオフセットア
ドレスのセクタ（第２セクタとする）の使用状態を調
べ、第２セクタが使用中の場合には、第２セクタのデー
タを読み出し、第２セクタが未使用の場合には、使用中
のセクタが検出されるまで、記憶手段に記憶されている
番号のグループのオフセットアドレスのセクタの使用状
態を繰り返し調べ、所定回数以上、記憶手段に記憶され
ている番号のグループのオフセットアドレスのセクタの
使用状態を調べた場合、未使用のグループを検索し、検
索した未使用のグループに各セクタの最新データをコピ
ーし、アドレス変換テーブルの物理グループ番号に対す
る物理グループ番号の値を、各セクタの最新データのコ
ピーを行ったグループの番号に書き換えることを特徴と
する半導体記憶装置。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002366423A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュメモリの管理方法 |
| US6639843B2 (en) | 2001-08-31 | 2003-10-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device with block-unit erase type nonvolatile memory |
| JP2006515086A (ja) * | 2002-10-28 | 2006-05-18 | サンディスク コーポレイション | ブロック内のページをグループ化する方法及び装置 |
| WO2007066720A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不揮発性記憶装置並びにデータ書込み方法及びデータ読み出し方法 |
| JP2009026062A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Tdk Corp | メモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法 |
| US7529880B2 (en) | 2005-02-07 | 2009-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Address mapping table and method of storing mapping data in the same |
| JP2011054187A (ja) * | 1999-04-05 | 2011-03-17 | Sandisk Il Ltd | ユニバーサル・シリアル・バスに基づくｐｃフラッシュディスクのためのアーキテクチャ |
| JP2017068804A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | 情報処理装置、アクセスコントローラ、および情報処理方法 |
| US10635596B2 (en) | 2015-10-02 | 2020-04-28 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Information processing device, access controller, information processing method, and computer program for accessing memory having access units of different sizes |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6347051B2 (en) * | 1991-11-26 | 2002-02-12 | Hitachi, Ltd. | Storage device employing a flash memory |
| JP4079506B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2008-04-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリシステムの制御方法 |
| JP2002175211A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Sharp Corp | データ管理システムおよびデータ管理方法 |
| JP2003162433A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Fujitsu Ltd | メモリシステム |
| WO2004001605A1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Tokyo Electron Device Limited | Memory device, memory managing method and program |
| US7526599B2 (en) * | 2002-10-28 | 2009-04-28 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for effectively enabling an out of sequence write process within a non-volatile memory system |
| US7174440B2 (en) * | 2002-10-28 | 2007-02-06 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for performing block caching in a non-volatile memory system |
| US7287068B1 (en) * | 2002-12-13 | 2007-10-23 | Bmc Software, Inc. | System and method for updating devices that execute an operating system or application program directly from nonvolatile storage |
| GB2400927A (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-27 | Hewlett Packard Development Co | Method of managing memory by checking that none of the sectors in a block is needed before erasing the block. |
| ITMI20031126A1 (it) * | 2003-06-05 | 2004-12-06 | St Microelectronics Srl | Dispositivo di memoria di massa basato su una memoria |
| US20050251617A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-10 | Sinclair Alan W | Hybrid non-volatile memory system |
| KR100526188B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2005-11-04 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리의 주소 사상 방법, 사상 정보 관리 방법 및상기 방법을 이용한 플래시 메모리 |
| US7299314B2 (en) * | 2003-12-31 | 2007-11-20 | Sandisk Corporation | Flash storage system with write/erase abort detection mechanism |
| JP3942612B2 (ja) | 2004-09-10 | 2007-07-11 | 東京エレクトロンデバイス株式会社 | 記憶装置、メモリ管理方法及びプログラム |
| US20070100893A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Sigmatel, Inc. | System and method for accessing data from a memory device |
| US7624239B2 (en) * | 2005-11-14 | 2009-11-24 | Sandisk Corporation | Methods for the management of erase operations in non-volatile memories |
| US7783845B2 (en) * | 2005-11-14 | 2010-08-24 | Sandisk Corporation | Structures for the management of erase operations in non-volatile memories |
| US20080005449A1 (en) * | 2006-07-03 | 2008-01-03 | Phison Electronics Corp. | Generalized flash memory and method thereof |
| TWI341491B (en) * | 2007-03-07 | 2011-05-01 | Via Tech Inc | Memory access system and memory access method thereof |
| US20080320253A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Andrew Tomlin | Memory device with circuitry for writing data of an atomic transaction |
| US8266391B2 (en) * | 2007-06-19 | 2012-09-11 | SanDisk Technologies, Inc. | Method for writing data of an atomic transaction to a memory device |
| US8775758B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-08 | Sandisk Technologies Inc. | Memory device and method for performing a write-abort-safe firmware update |
| JP2010020586A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Nec Electronics Corp | データ処理装置 |
| US11249652B1 (en) | 2013-01-28 | 2022-02-15 | Radian Memory Systems, Inc. | Maintenance of nonvolatile memory on host selected namespaces by a common memory controller |
| US9652376B2 (en) | 2013-01-28 | 2017-05-16 | Radian Memory Systems, Inc. | Cooperative flash memory control |
| US9158678B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory address management system and method |
| US9542118B1 (en) | 2014-09-09 | 2017-01-10 | Radian Memory Systems, Inc. | Expositive flash memory control |
| US10552085B1 (en) | 2014-09-09 | 2020-02-04 | Radian Memory Systems, Inc. | Techniques for directed data migration |
| US9846552B2 (en) | 2014-11-13 | 2017-12-19 | Toshiba Memory Corporation | Memory device and storage system having the same |
| US9778864B2 (en) * | 2015-03-10 | 2017-10-03 | SK Hynix Inc. | Data storage device using non-sequential segment access and operating method thereof |
| CN104866345B (zh) * | 2015-05-21 | 2018-03-23 | 福建升腾资讯有限公司 | 一种ARMv7m架构下可执行代码的存储方法 |
| US11188501B1 (en) * | 2017-08-15 | 2021-11-30 | Amazon Technologies, Inc. | Transactional and batch-updated data store search |
| US11586385B1 (en) | 2020-05-06 | 2023-02-21 | Radian Memory Systems, Inc. | Techniques for managing writes in nonvolatile memory |
| CN116661704B (zh) * | 2023-07-07 | 2024-03-08 | 深圳宏芯宇电子股份有限公司 | 存储装置数据读写方法、存储器存储装置及存储器控制器 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5113512A (en) * | 1988-06-21 | 1992-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System for managing a storage medium reducing physical space needed |
| GB2251323B (en) * | 1990-12-31 | 1994-10-12 | Intel Corp | Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory |
| US5590300A (en) * | 1991-03-05 | 1996-12-31 | Zitel Corporation | Cache memory utilizing address translation table |
| JP3178909B2 (ja) * | 1992-01-10 | 2001-06-25 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置 |
| JP3175371B2 (ja) * | 1992-03-06 | 2001-06-11 | 三菱電機株式会社 | データ記憶フォーマット変換方式及びその変換方法及びアクセス制御装置及びデータアクセス方法 |
| JP3105092B2 (ja) * | 1992-10-06 | 2000-10-30 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置 |
| US5471604A (en) * | 1992-10-30 | 1995-11-28 | Intel Corporation | Method for locating sector data in a memory disk by examining a plurality of headers near an initial pointer |
| JP2856621B2 (ja) * | 1993-02-24 | 1999-02-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置 |
| US5404485A (en) * | 1993-03-08 | 1995-04-04 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash file system |
| JPH08137634A (ja) * | 1994-11-09 | 1996-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | フラッシュディスクカード |
| JPH08212019A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ディスク装置 |
| JP3706167B2 (ja) * | 1995-02-16 | 2005-10-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体ディスク装置 |
| JP3426385B2 (ja) * | 1995-03-09 | 2003-07-14 | 富士通株式会社 | ディスク制御装置 |
-
1996
- 1996-01-08 JP JP70796A patent/JPH09185551A/ja active Pending
- 1996-06-14 DE DE19623853A patent/DE19623853A1/de not_active Ceased
- 1996-06-17 US US08/665,364 patent/US6430650B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011054187A (ja) * | 1999-04-05 | 2011-03-17 | Sandisk Il Ltd | ユニバーサル・シリアル・バスに基づくｐｃフラッシュディスクのためのアーキテクチャ |
| JP2002366423A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュメモリの管理方法 |
| US6639843B2 (en) | 2001-08-31 | 2003-10-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device with block-unit erase type nonvolatile memory |
| JP2006515086A (ja) * | 2002-10-28 | 2006-05-18 | サンディスク コーポレイション | ブロック内のページをグループ化する方法及び装置 |
| US7529880B2 (en) | 2005-02-07 | 2009-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Address mapping table and method of storing mapping data in the same |
| JPWO2007066720A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2009-05-21 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置及びデータ読み出し方法及び管理テーブル作成方法 |
| JP4633802B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置及びデータ読み出し方法及び管理テーブル作成方法 |
| WO2007066720A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不揮発性記憶装置並びにデータ書込み方法及びデータ読み出し方法 |
| JP2009026062A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Tdk Corp | メモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法 |
| JP2017068804A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | 情報処理装置、アクセスコントローラ、および情報処理方法 |
| US10635596B2 (en) | 2015-10-02 | 2020-04-28 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Information processing device, access controller, information processing method, and computer program for accessing memory having access units of different sizes |
| US11144464B2 (en) | 2015-10-02 | 2021-10-12 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Information processing device, access controller, information processing method, and computer program for issuing access requests from a processor to a sub-processor |
| US11907129B2 (en) | 2015-10-02 | 2024-02-20 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Information processing device, access controller, information processing method, and computer program for issuing access requests from a processor to a sub-processor |
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| DE19623853A1 (de) | 1997-07-17 |
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