KR950034271A - 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리 - Google Patents

비휘발성 반도체 플래쉬 메모리 Download PDF

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Abstract

비휘발성 메모리의 각 워드선에 대해 고쳐쓰기와 소거의 사이클의 누적수를 기록한 확정메모리부의 어드레스를 제어하기 위한 스페어로 디코더와 메모리 어레이부의 비트선과 병렬로 비휘발성 메모리와 연결된 보조 비트부로 구성되어 있는 구성인 플래쉬 EEPROM은 섹터의 사이클수가 한계값에 이르면 저장되어 사이클의 저장된 누적수를 판단하고, 그것에 이르러 특정워드선의 사이클의 누적수가 한계값에 이를 때조차도 메모리의 생명을 연장하기위해 확장워드선을 가진 워드선을 바꾸고, 데이터 “1” 또는 “0”의 수가 데이터를 쓸시 소정의 수보다 크거나 적을때 다른 위상에 관련하여 데이터를 저장하고, 드레인방행을 감소시키도록 데이터를 읽을때 위상정보에 기초한 저장정보를 가져온다.

Description

비휘발성 반도체 플래쉬 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체 비휘발성 메모리의 제1실시예에 대한 블록도이다. 제6도는 제5도의 메모리 어레이부의 구성의 예를 나타낸다. 제7도는 제5도의 메모리동작을 설명하는 플로우차트이다.

Claims (11)

  1. 워드선 섹터소거를 수행하는 반도체 비휘발성 메모리에서, 저장부는 각 워드선에 대해 고쳐쓰기와 소거의 사이클수를 저장하기위해 제공되며, 각 워드선의 사이클의 누적수는 고쳐쓰기와 소거의 각 사이클에서 상기 저장부에 저장되도록 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저장부는 보조비트선과 상기 워드선에 의해 운반된 보조비휘발성 메모리셀의 복수와 본 워드선을 교차시키도록 제공된 보보비트선의 복수개로 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보조비휘발성 메모리셀의 수(m×워드선의 수)와 상기 보조비트선의 수(m)는 저장된 사이클의 누적수의 비트길이로 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 메모리셀은 병렬로 접속되어 있는 적어도 하나의 확장워드선과, 워드선을 차단하고 상기 저장부의 저장된 워드선의 상기 사이클 누적수가 프리세트값에 이를때 그것을 확장워드선으로 바꾸는 회로를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  5. 제2항에 있어서, 메모리셀은 병렬로 접속되어 있는 적어도 하나의 확장워드선과, 워드선을 차단하고 상기 저장부의 저장된 워드선의 상기 사이클 누적수가 프리세트값에 이를때 그것을 확장워드선으로 바꾸는 회로를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  6. 비휘발성 메모리 어레이는 매트릭스에 정렬된 복수개의 반도체 비휘발성 메모리를 가지는 복수개의 워드선 및 복수개의 비트선과, 비휘발성 메모리 어레이의 각 비트선에 대한 위상정보를 저장하기 위한 보조메모리 수단을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  7. 제6항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 어레이는 비트선의 확장방향으로 복수개의 부 - 어레이로 분할되고, 각 부어레이는 부 - 비트선과, 부 - 비트선 및 상기 비트선을 동작적으로 연결하는 전환수단을 가지고, 상기 보조메모리수단은 부어레이이의 각 부비트선에 대한 상기 저장된 정보의 위상을 저장하기위한 수단을 가지도록 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  8. 제6항에 있어서, 입력정보를 저장하기위한 상기 반도체 비휘발성 메모리셀은 전기적으로 고쳐쓸수 있고, 상기 위상 정보를 저장한 수단은 저장된 정보가 상기 반도체 비휘발성 메모리셀에서 상기 저장된 정보를 쓸때에 반전위상으로 쓰여진 것에 일치하여 상기 보조메모리수단으로 제공되고, 상기 보조메모리수단의 상기 위상정보에 일치하여 상기 저장된 정보를 반전하기위한 수단을 상기 반도체 비휘발성 메모리셀의 상기 저장된 정보를 읽을때 제공되도록 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  9. 제6항에 있어서, 입력정보를 저장하기위한 상기 반도체 비휘발성 메모리셀은 반도체 제조공정에서 마스크패턴에 의해 저장된 정보로 쓰여질 수 있고, 위상정보를 저장하기 위한 수단은 저장된 정보가 상기 반도체 비휘발성 메모리셀에서 상기 저장된 정보를 쓸 경우에 반전 위상에서 쓰여지고, 상기 저장된 정보를 반전시키기위한 수단은 상기 반도체 비휘발성 메모리셀의 상기 저장된 정보를 읽을때 상기 보조메모리수단의 상기 위상정보에 일치하여 제공되도록 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
  10. 제7항에 있어서, 입력정보를 저장하기위한 상기 반도체 비휘발성 메모리는 전기적으로 고쳐쓸 수 있고, 상기 위상정보를 저장하기위한 수단은 저장된 정보가 상기 반도체 비휘발성 메모리셀의 상기 저장된 정보를 쓸 경우에 반전위상으로 쓰여진 것에 일치하여 상기 보조메모리수단에 제공되고, 상기 저장된 정보를 반전하기 위한 수단은 상기 반도체 비휘발성 메모리셀의 상기 저장된 정보를 읽을때 상기 보조메모리수단의 상기 위상정보에 관련하여 제공되도록 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 빈도체 플래쉬 메모리.
  11. 제7항에 있어서, 상기 반도체 비휘발성 메모리셀은 반도체 제조공정에서 마스크 패턴에 의한 저장된 정보로 쓰여질 수 있고, 상기 위상정보를 저장하기위한 수단은 저장된 정보가 상기 반도체 비휘발성 메모리에서 상기 저장된 정보를 쓸 경우에 반전위상으로 쓰여진 것에 일치하여 상기 보조메모리수단으로 공급되고, 상기 저장된 정보를 반전하기위한 수단은 상기 반도체 비휘발성 메모리셀의 상기 저장된 정보를 읽을때 본 보조메모리수단의 정보에 관련하여 제공되도록 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 플래쉬 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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