JP4980914B2 - 半導体装置およびその制御方法 - Google Patents
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- 複数の不揮発性メモリセルを有する第1セクタと、
複数の不揮発性メモリセルを有する第2セクタと、
複数のセクタから前記第1セクタおよび前記第2セクタの2つのセクタを選択するセクタ選択回路と、
記憶装置と、
前記第2セクタのデータを前記記憶装置へ書き込み後、前記セクタ選択回路で選択された前記第1セクタおよび前記第2セクタのデータを同時に消去し、その後、前記記憶装置が保持しているデータを前記第2セクタに書き込む制御回路と、を具備する半導体装置。 - 前記第2セクタの不揮発性メモリセルのデータを読み出すリード回路と、
前記リード回路からの前記データを前記記憶装置に書き込む記憶装置ライト回路と、を具備する請求項1記載の半導体装置。 - 前記記憶装置から前記データを読み出す記憶装置リード回路と、
前記記憶装置リード回路から前記データを受け取り、前記第2セクタに書き込むライト回路と、を具備する請求項2記載の半導体装置。 - 前記第1セクタと前記第2セクタとは実質的に同じ記憶容量である請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1セクタと前記第2セクタのそれぞれの記憶容量は、前記記憶装置の記憶容量と実質的に同じである請求項4記載の半導体装置。
- 前記記憶装置の記憶容量は、前記第1セクタおよび前記第2セクタのいずれか記憶容量の大きい方の記憶容量以上である請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記セクタ選択回路を介し前記複数のセクタに接続されるメインビットラインと、
前記第1セクタおよび前記第2セクタに共通に設けられ、前記第1セクタおよび前記第2セクタの有する不揮発性メモリセルと接続されたサブビットラインと、を具備し
前記セクタ選択回路は、前記メインビットラインと前記サブビットラインとを接続する選択トランジスタを有する請求項1から6のいずれか一項記載の半導体装置。 - 前記不揮発性メモリセルはフラッシュメモリである請求項1から7のいずれか一項記載の半導体装置。
- 複数の不揮発性メモリセルを有する第1セクタと、
複数の不揮発性メモリセルを有する第2セクタと、
複数のセクタから前記第1セクタおよび前記第2セクタの2つのセクタを選択するセクタ選択回路と、
記憶装置と、
制御回路と、を具備する半導体装置の制御方法であって、
前記セクタ選択回路が、前記複数のセクタから前記第1セクタおよび前記第2セクタの2つのセクタを選択するステップと、
前記制御回路が、前記第2セクタから読み出されたデータを前記記憶装置に書き込ませた後、前記第1セクタおよび前記第2セクタのデータを全て同時に消去させ、その後、前記記憶装置から読み出したデータを前記第2セクタに書き込ませるステップと、を具備する半導体装置の制御方法。 - 複数の不揮発性メモリセルを有する第1セクタと、
複数の不揮発性メモリセルを有する第2セクタと、
複数のセクタから前記第1セクタおよび前記第2セクタの2つのセクタを選択するセクタ選択回路と、
記憶装置と、
前記複数のセクタのデータを読み出すリード回路と、
前記複数のセクタにデータを書き込むライト回路と、
前記記憶装置にデータを書き込む記憶装置ライト回路と、
前記記憶装置のデータを読み出す記憶装置リード回路と、を具備する半導体装置の制御方法であって、
前記セクタ選択回路が、前記複数のセクタから前記第1セクタおよび前記第2セクタの2つのセクタを選択するステップと、
前記リード回路が、前記第2セクタのデータを読み出すステップと、
前記記憶装置ライト回路が、前記リード回路の読み出す前記第2セクタのデータを前記記憶装置に書き込むステップと、
前記制御回路が、前記記憶装置への第2セクタデータ書込み後、前記第1セクタおよび前記第2セクタのデータを全て同時に消去させるステップと、
前記記憶装置リード回路が、前記記憶装置のデータを読み出すステップと、
前記ライト回路が、前記記憶装置からの読み出しデータを前記第2セクタに書き込むステップと、を具備する半導体装置の制御方法。
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