JP2007157331A - 複合化フラッシュメモリ及びそれを搭載した携帯用機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリ部としてフラッシュメモリ素子のメモリアレイからなる制御命令メモリ部12Aと、やはりフラッシュメモリ素子の小さなセクターサイズ群で構成されるデータメモリ部12Bを備え、制御命令メモリ部12Aのアクセスを可能にするPFE信号とデータメモリ部12Bのアクセスを可能にするDFE信号の切換えによって、選択されたメモリ部で使用される。DFE信号によってデータメモリ部12Bを選択して書込み又は消去が開始されると、その後はDFE信号とPFE信号を切り換えて制御命令メモリ部12Aのアクセスを可能にすることにより、制御命令メモリ部12Aの情報を読み出すことができるようになる。
【選択図】 図2
Description
メモリ部として制御命令格納用の制御命令メモリ部12Aとデータ格納用のデータメモリ部12Bを備えている。制御命令メモリ部12Aはフラッシュメモリ素子のメモリアレイであり、その容量は例えば4Mビットで、全体で1つのセクターを構成している。それに対し、データメモリ部12Bもフラッシュメモリ素子のメモリアレイであるが、容量は例えば2.5Mビットであり、128バイト(1バイトは8ビット)のメモリ素子を1セクターとして、2560セクターに分割されている。セクターは消去の最小単位である。
6 Xデコーダ
8 Yデコーダ
10A,10B Yゲート/センスアンプ
12A 制御命令メモリ部
12B データメモリ部
40 ブロック
42−1〜42−64 セクター
Claims (8)
- フラッシュメモリ素子からなる第1のメモリ部と第2のメモリ部を備え、
前記第1のメモリ部と第2のメモリ部は消去単位であるセクターで構成され、互いにそのセクター数とメモリサイズが異なり、
前記第1のメモリ部は複数個のメモリ素子からなる最小消去単位の均一なサイズのセクターに分割されており、
前記第1のメモリ部の書込み又は消去時に第2のメモリ部の読出しを行なうことができることを特徴とする複合化フラッシュメモリ。 - フラッシュメモリ素子からなる第1のメモリ部と第2のメモリ部を備え、
前記第1のメモリ部と第2のメモリ部は消去単位であるセクターで構成され、互いにそのセクター数とメモリサイズが異なり、
前記第1のメモリ部は複数個のメモリ素子からなるセクターに分割され、該セクターは最小消去単位の均一なサイズのものと、それとはサイズの異なる消去単位のものとを含んでおり、
前記第1のメモリ部の書込み又は消去時に第2のメモリ部の読出しを行なうことができることを特徴とする複合化フラッシュメモリ。 - 前記第1のメモリ部はデータ格納用のデータメモリ部であり、前記第2のメモリ部は制御命令格納用の制御命令メモリ部である請求項1又は2に記載の複合化フラッシュメモリ。
- 前記第1のメモリ部と第2のメモリ部はアドレスピンを共用しそれぞれのアドレス空間の全部又は一部を使用してアクセスされることにより前記第1のメモリ部の書込み又は消去時に第2のメモリ部の読出しが行なわれる請求項1から3のいずれかに記載の複合化フラッシュメモリ。
- 前記第1のメモリ部のアクセスを可能にするイネーブル信号と前記第2のメモリ部のアクセスを可能にするイネーブル信号とを備え、
これらのイネーブル信号を切り替えることにより前記第1のメモリ部の書込み又は消去時に第2のメモリ部の読出しが行なわれる請求項1から4のいずれかに記載の複合化フラッシュメモリ。 - 前記第1のメモリ部と第2のメモリ部は適当な大きさの単位に機能ブロック化されており、かつその両メモリ部は機能ブロックを単位として適当な大きさのメモリサイズに設計されたものである請求項1から5のいずれかに記載の複合化フラッシュメモリ。
- 請求項1から6のいずれかに記載の複合化フラッシュメモリを搭載した携帯用機器。
- 該携帯用機器は携帯電話である請求項7に記載の携帯用機器。
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