KR900008526A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR900008526A
KR900008526A KR1019890015695A KR890015695A KR900008526A KR 900008526 A KR900008526 A KR 900008526A KR 1019890015695 A KR1019890015695 A KR 1019890015695A KR 890015695 A KR890015695 A KR 890015695A KR 900008526 A KR900008526 A KR 900008526A
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decoder
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KR1019890015695A
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아끼노리 마쯔오
마사시 와따나베
마사시 와다
다께시 와다
야스히로 나까무라
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미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
오노 미노루
히다찌초 엘 에스 아이엔지니어링 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 데이타 래치회로의 1실시예를 도시한 회로도,
제3도는 제2의 Y디코더 회로의 1실시예를 도시한 회로도,
제4도는 제2의 용장용 디코더 회로의 1실시예를 도시한 회로도,
제6도는 고전압검출회로의 1실시예를 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 전기적인 라이트 정보에 따라 임계값 전압이 변화되는 불휘발성 기억소자가 매트릭스를 형태로 배치된 다수의 메모리블럭, 상기 다수의 메모리블럭에 대해서 마련된 1개 또는 다수개의 용장용 데이타선을 포함하는 용장용블럭, 상기 각 메모리블럭의 데이타선을 제1의 Y 디코더 출력에 따라 제1의 공통 데이타선에 각각 결합시킨 Y선택회로, 상기 용장용 데이타선을 제1의 용장용 디코더의 출력에 따라 용장용 공통 데이타선에 결할시킨 용장용 선택회로, 상기 각 공통데이타선 및 용장용 공통데이타선에 대응하여 마련되고, 제2의 Y디코더 또는 2의 용장용 디코더 출력에 따라 데이타 입력 버퍼에서 라이트 데이타가 전달되는 다수개의 래치회로, 상기 래치회로의 기억정보에 따라서 각각 대응하는 상기 공통 데이타선 및 용장용공통 데이타선에 라이트 신호를 전달하는 라이트 앰프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 래치회로를 통해서 다수의 비트로된 데이타를 동시에 라이트 하는 프로그램 모드의 설정은 전원전압 이상의 고레벨의 입력을 검출하는 고입력신호의 출력신호를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 특허 청구의 범위 제1항에 또는 제2항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자는 EPROM을구성하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  4. 전기적인 라이트 정보에 따라서 임계값 전압이 변화되는 불휘발성 기억소자가 매트릭스 형태로 배치된 다수의 메모리 블럭, 상기 다수의 메모리 블럭에 대해 마련된 1개 또는 다수개로 이루어진 용장용 데이타선을 포함하는 용장용 블럭, 상기 각 메모리블럭의 데이타선을 제1의 Y디코더 출력에 따라 제1의 공통데이타선에 각각 결합시킨 Y선택회로, 상기 각 공통데이타선 및 용장용 공통 데이타선에 대응 하여 마련되고, 제2의 Y디코더 또는 제2의 용장용 디코더 출력에 따라 데이타 입력버퍼에서 라이트 데이타가 전달되는 다수개의 래치회로, 상기 래치회로의 기억정보에 따라 각각 대응하는 상기 공통데이타선 및 용장용 데이타선에 라이트 신호를 전달하는 라이트 앰프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  5. 특허 청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 래치회로를 통해서 다수의 비트로된 데이타를 동시에 라이트 하는 프로그램모드의 설정은 전원전압이상의 고레벨 입력을 검출하는 고입력신호 회로의 출력신호를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  6. 특허 청구의 범위 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 발휘발성 기억소자는EPROM을 구성하는 것을 특징으로하는 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890015695A 1988-11-22 1989-10-31 반도체기억장치 KR0166060B1 (ko)

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