KR900010778A - 반도체 메모리장치 - Google Patents

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KR900010778A
KR900010778A KR1019890017968A KR890017968A KR900010778A KR 900010778 A KR900010778 A KR 900010778A KR 1019890017968 A KR1019890017968 A KR 1019890017968A KR 890017968 A KR890017968 A KR 890017968A KR 900010778 A KR900010778 A KR 900010778A
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사도루 기시다
히사시 마쓰모도
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가비시끼가이샤
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 1실시예를 표시하는 감지증폭기(Sense Amplifier)의 회로도, 제2도는 제1도에 표시된 감지 증폭기에 의한 판독동작을 설명하기 위한 타임차트.

Claims (1)

  1. 외부에서 어드레스신호를 받는 수단과, 각각이 상기 비트선과 소정의 제1의 전위와의 사이에 접속되어, 어드레스 신호에 응답하고 그중에 기억된 데이터 신호를 비트선에 제공하는 복수의 메모리셀과, 상기 비트선에 접속되어, 상기 비트선의 전압을 증폭하기 위해서의 감지증폭기와 상기 비트선과 감지증폭기와의 사이에 접속되어, 어드레스신호에 응답하고 동작하는 제1의 스위칭수단을 포함하고, 상기 감지증폭기는, 그의 입력이 상기 제1의 스위칭수단을 통하여 제1의 노드로 상기 비트선에 접속되어, 상기 비트선은, 상기 제1의 스위칭수단이 오인되기전에 상기 제1의 전위가까이에 설정되여지는 것이있고, 그와 같이 반도체메모리 장치에 있어서, 상기 감지증폭기는, 상기 제1의 노드에 접속되어, 상기 제1의 노드의 전압에 응답하고 반전된 전압을 지연을 수반하여 출력하는 인버터수단과, 소정의 제2의 전위와 상기 제1의 노드 사이에 접속되어, 상기 인버터수단의 출력의 전위에 응답하고 동작하는 제2의 스위칭 수단과, 상기 제2의 전위와 상기 인버터 수단의 출력과의 사이에 접속되어, 상기 인버터수단의 출력을 미리정해진 제3의 전위보다도 상기 제2의 전위에 가까운 전위에 유지하는 전위 유지수단을 포함하고, 상기 제3의 전위는, 상기 제1 및 제2의 전위 사이에 있고, 상기 인버터 수단의 출력전위에 응답하고 증폭된 신호를 출력하는 증폭수단을 포함하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890017968A 1988-12-06 1989-12-05 반도체 메모리장치와 감지 증폭기 KR930009463B1 (ko)

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KR930009463B1 KR930009463B1 (ko) 1993-10-04

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KR930009463B1 (ko) 1993-10-04
US4989184A (en) 1991-01-29
DE3938638A1 (de) 1990-06-07

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