KR930001229A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR930001229A
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아자끼 아쭈시
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 한 실시예를 표시한 출력 버퍼(buffer)회로의 회로도,
제2도는 제1도에 표시한 회로의 동작을 설명하기 위한 티이밍챠-트,
제3도는 제4도에 표시한 타이밍신호 발생 회로내에 새롭게 설치되는 제어회로의 회로도,
제4도는 이 발명의 배경을 표시한 필드(field)메모리의 블록도.

Claims (2)

  1. 복수의 메모리셀 열과, 각각은 상기 복수의 메모리셀 열에 대응하는 1개의 접속된 복수의 비트선대와, 상기 복수의 비트선대에 결합되어, 상기 복수의 비트선대로 부터 주어지는 데이타 신호 전송선대에 접속되어, 상기 신호 전송선대를 이퀄라이즈 수단과, 외부적으로 주어진 클록 신호에 응답하여, 상기 신호 전송선대를 통해서 전송되는 데이타 신호 증폭하는 증폭 수단과, 상기 증폭 수단의 증폭 동작이 개시된 후, 상기 신호 전송선대와 증폭 수단과의 사이를 전기적으로 절단하는 절단을 포함한다.
    상기 이퀄라이즈 수단은, 상기 절단 수단이 동작한 후, 상기 신호 전송선대의 이퀄라이즈 동작을 개시하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는, 다시, 상기 증폭 수단의 입력 노드에 접속되어, 상기 신호 전송선대을 통해서 전송되는 데이타 신호 전하를 보지하는 전하 보지 수단을 포함하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920008329A 1991-06-12 1992-05-18 반도체 메모리 장치 KR960009949B1 (ko)

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JP91-140136 1991-06-12

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