KR930001226A - 고속 센싱 동작을 수행하는 센스 앰프 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

고속 센싱 동작을 수행하는 센스 앰프
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 센스앰프 회로도.

Claims (8)

  1. 다수개의 메모리 셀이 존재하는 제1및 제2메모리 어레이 블록과, 상기 제1및 제2메모리 어레이 블록에 공통 연결된 한쌍의 비트라인(63,64)과, 상기 한쌍의 비트라인(63,64)상에 각각 위치하고 소정의 메모리 셀이 선택될시에 상기 제1메모리 어레이 블록과 상기 제2메모리 어레이 블록을 분해하는 제1및 제2분리 트랜지스터쌍(51,52)(53,54)과, 칩 외부와의 데이타 입출력을 전송하는 한쌍의 공통 입출력선 (65,66)과, 상기 한쌍의 비트라인 (63,64) 및 공통 입출력선 (65,66)사이에 각각 접속되는 데이타 입출력 트랜지스터(61,62)를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 제1및 제2분리 트랜지스터쌍(51,52)(53,54)사이의 제1및 제2비트라인 각각에 연결되어, 소정의 제1동작시 상기 제1및 제2비트라인을 전원전압 레벨을 프리차아지 시킴과, 제2동작시 상기 제1(또는 제2) 비트라인을 전원전압 레벨로 상기 제2(또는 제1)비트라인을 접지전압 레벨로 증폭시킴을 특징으로 하는 센스 앰프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2동작이, 각각 소정의 메모리 셀이 선택되지 않을 시의 동작 및 상기 메모리 셀이 선택될시의 동작임을 특징으로 하는 센스 앰프.
  3. 제1항에 있어서, 상기 센스 앰프가, 상기 제1및 제2비트라인에 각각 연결되어 소정의 제어 신호에 의해 상기 제1및 제2비트라인을 전원전압 레벨로 프리차아지 시키기 위한 프리아차아지 수단과, 상기 제1및 제2비트라인 각각에 연결되어 상기 제1및 제2비트라인의 전위치를 증폭하기 위한 센싱 수단을 구비함을 특징으로 하는 센스 앰프.
  4. 제3항에 있어서, 상기 프리차아지 수단이, 게이트가 상기 제어신호에 접속되고 채널이 전원전압단 및 상기 제1(또는 제2)비트라인 사이에 접속된 제1부하트랜지스터와, 게이트가 상기 제어신호에 접속되고 채널이 전원전압단 및 상기 제2(또는 제1)비트라인 상이에 접속된 제2부하 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 센스 앰프.
  5. 제3항에 있어서, 상기 센싱 수단이, 소정의 제1클록 신호가 인가되는 제1노드 및 상기 제1비트라인 사이에 채널이 연결되고 상기 제2비트라인에 게이트가 연결된 파형 제1센싱 트랜지스터와, 상기 제1노드의 상기 제2비트라인 사이에 채널이 연결되고 상기 제1비트라인에 게이트가 연결된 파형 제2센싱 트랜지스터와, 소정의 제2클록신호가 인가되는 제2노드 및 상기 제1비트라인 사이에 채널이 연결되고 상기 제2비트라인에 게이트가 연결된 엔형 제1센싱 트랜지스터와, 상기 제2노드 및 상기 제2비트라인에 채널이 연결되고 상기 제1비트라인에 게이트가 연결된 엔형 제2센싱 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 센스 앰프.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1클록 신호가 센싱동작 이전과 센싱 동작시에 계속 전원전압 레벨로 인가되는 신호임과, 상기 제2클록 신호가 센싱동작 이전에는 전원전압 레벨로 인가되고 센싱 동작시에는 접지전압 레벨로 인가되는 신호임을 특징으로 하는 센스 앰프.
  7. 반도체 메모리 장치의 메모리 셀에 연결된 한 쌍의 비트라인 각각에 연결되고, 소정의 제1상태시에는 동일한 논리 레벨로 인가되고 소정의 제2상태시에는 서로 상보적인 논리 레벨로 인가되는 한쌍의 클록 신호에 의해 동작되는 센스 앰프에 있어서, 상기 제1및 제2상태에서는 전원전압 레벨의 전위로 유지되는 제1센싱 노드와, 상기 제1상태시에는 상기 전원전압 레벨의 전위로 상기 제2상태시에는 상기 전원전압 보다 낮은 레벨의 전위로 유지되는 제2센싱 노드를 상기 제1및 제2비트라인상에 구비함을 특징으로 하는 센스 앰프.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1및 제2상태가, 각각 상기 비트라인이 선택되지 않을 시의 상태 및 상기 비트라인의 선택될시의 상태임을 특징으로 하는 센스 앰프.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100328555B1 (ko) * 1999-06-29 2002-03-14 박종섭 비트라인 센스 앰프

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3302734B2 (ja) * 1992-09-16 2002-07-15 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP3178946B2 (ja) * 1993-08-31 2001-06-25 沖電気工業株式会社 半導体記憶装置及びその駆動方法
JPH07122069A (ja) * 1993-10-29 1995-05-12 Nec Corp 半導体メモリ
US5488584A (en) * 1994-08-26 1996-01-30 Micron Technology, Inc. Circuit and method for externally controlling signal development in a serial access memory
JP3739104B2 (ja) * 1995-02-27 2006-01-25 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
JPH08273362A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体記憶装置
US5561630A (en) * 1995-09-28 1996-10-01 International Business Machines Coporation Data sense circuit for dynamic random access memories
US5689454A (en) * 1996-01-11 1997-11-18 Cyrix Corporation Circuitry and methodology for pulse capture
US5835433A (en) * 1997-06-09 1998-11-10 Micron Technology, Inc. Floating isolation gate from DRAM sensing
US5862089A (en) * 1997-08-14 1999-01-19 Micron Technology, Inc. Method and memory device for dynamic cell plate sensing with ac equilibrate
US5875141A (en) * 1997-08-14 1999-02-23 Micron Technology, Inc. Circuit and method for a memory device with P-channel isolation gates
KR100261217B1 (ko) * 1997-11-21 2000-07-01 윤종용 반도체 메모리장치의 셀 어레이 제어장치
KR100279058B1 (ko) * 1998-07-13 2001-01-15 윤종용 낮은 전원 전압 하에서 고속 쓰기/읽기 동작을 수행하는 반도체메모리 장치
KR100388318B1 (ko) * 1998-12-24 2003-10-10 주식회사 하이닉스반도체 비트라인디커플링방법
US6275435B1 (en) * 1999-03-31 2001-08-14 Vanguard International Semiconductor Corp. Bi-directional sense amplifier stage for memory datapath
US6301179B1 (en) * 1999-06-01 2001-10-09 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Self-equalized low power precharge sense amp for high speed SRAMs
KR100322540B1 (ko) * 1999-07-14 2002-03-18 윤종용 입출력 센스앰프가 차지하는 면적을 최소화하는 메모리 장치
WO2001057875A1 (fr) * 2000-02-04 2001-08-09 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur
US6426905B1 (en) * 2001-02-07 2002-07-30 International Business Machines Corporation High speed DRAM local bit line sense amplifier
JP4338010B2 (ja) * 2002-04-22 2009-09-30 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
TWI281159B (en) * 2003-03-21 2007-05-11 Mediatek Inc Sense out circuit for single-bitline semiconductor memory device
US7130233B2 (en) * 2003-03-21 2006-10-31 Mediatek Incorporation Sensing circuit for single bit-line semiconductor memory device
JP4304697B2 (ja) 2003-07-30 2009-07-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ダイナミック半導体記憶装置及びその動作方法
US7286425B2 (en) * 2005-10-31 2007-10-23 International Business Machines Corporation System and method for capacitive mis-match bit-line sensing
JP4996422B2 (ja) * 2007-11-05 2012-08-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US20110044121A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Kim Joung-Yeal Semiconductor memory device having device for controlling bit line loading and improving sensing efficiency of bit line sense amplifier
US9053817B2 (en) * 2013-03-15 2015-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Amplifier

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890003488B1 (ko) * 1986-06-30 1989-09-22 삼성전자 주식회사 데이터 전송회로
JPS6394499A (ja) * 1986-10-07 1988-04-25 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPS63166090A (ja) * 1986-12-26 1988-07-09 Toshiba Corp スタティック型メモリ
KR900004635B1 (ko) * 1987-06-27 1990-06-30 삼성반도체통신 주식회사 반도체 메모리장치의 충전 및 등화회로
JPH01119982A (ja) * 1987-10-31 1989-05-12 Toshiba Corp スタティック型ランダムアクセスメモリ
US4802129A (en) * 1987-12-03 1989-01-31 Motorola, Inc. RAM with dual precharge circuit and write recovery circuitry
JPH01171195A (ja) * 1987-12-25 1989-07-06 Sony Corp メモリ装置
JPH01278065A (ja) * 1988-04-28 1989-11-08 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
EP0384673B1 (en) * 1989-02-18 1995-05-24 Sony Corporation Memory devices
US5043945A (en) * 1989-09-05 1991-08-27 Motorola, Inc. Memory with improved bit line and write data line equalization

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100328555B1 (ko) * 1999-06-29 2002-03-14 박종섭 비트라인 센스 앰프

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Publication number Publication date
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KR940008296B1 (ko) 1994-09-10
JPH04370596A (ja) 1992-12-22
JPH0713866B2 (ja) 1995-02-15

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