KR950034259A - 전류차 감지 방식의 고속 감지 증폭기 - Google Patents

전류차 감지 방식의 고속 감지 증폭기 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 비트라인 간의 전압차를 데이타 버스라인 간의 전류차로 바꿔 감지하여 데이타 증폭동작을 실형하도록 감지 증폭기를 구현함으로써, 종래의 감지 증폭기에 비해 전력소모가 적으면서도 고속 증폭동작이 가능하고 구성이 간단하여 좁은 면적에 효율적으로 래이아웃될 수 있는 전류차 방식의 비트라인 감지 증폭기 및 전류차 데이타 버스라인 감지 증폭기에 관한 기술이다.

Description

전류차 감지 방식의 고속 감지 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 전류차 비트라인 감지 증폭기의 실시예를 도시한 회로도, 제6도는 본 발명에 의한 데이타 버스라인 감지 증폭기의 실시예를 도시한 회로도.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 비트라인 감지 증폭기에 있어서, 비트라인(BL,/BL)간의 전압차를 전류차로 증폭, 감지하여 데이타 감지·증폭 동작을 수행하기 위하여, 비트라인(BL./BL) 사이에 접속되며 제1제어신호에 의해 제어되어 비트라인(BL,/BL)에 전하를 공급하는 데이타 재생 증폭기와, 비트라인(BL,/BL)과 제1 및 제2 출력노드 사이에 각각 접속되며 게이트로 제3제어신호가 공통으로 인가되는 제1 및 제2트랜지스터와, 드레인 각각 제2출력노드와 제1출력노드에 연결되고 게이트가 각가 비트라인(BL./BL)에 접속되며 소오스로 제2제어신호가 공통으로 인가되는 제3 및 제4트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비트라인 감지 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 데이타 재생 증폭기로, 제1제어신호와 비트라인(BL) 사이에 접속되며 게이트가 비트라인(/BL)에 연결된 제1피모스 트랜지스터와, 제1제어신호와 비트라인(/BL) 사이에 접속되며 게이트가 비트라인(BL)에 연결된 제2피모스 트랜지스터로 구성된 피모스 래치회로를 사용하는 것을 특징으로 하는 바트라인 감지 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 데이타 재생 증폭기는, 전원접압과 비트라인(BL,/BL) 사이에 구현되며 각각의 게이트가 제1제어신호에 의해 제어되는 제1 및 제2엔모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비트라인 감지 증폭기.
  4. 반도체 소자의 데이타 버스라인 감지 증폭기에 있어서, 데이타 버스라인 감지 증폭기 제 1 및 제2제어신호에 의해 제어되며 데이타 버스라인(DB)의 신호를 증폭하여 제1노드로 출력하는 제1전류증폭부와, 상기 제1전류 증폭부와 동일한 구조로, 데이타 버스라인 감지 증폭기 제1 및 제2제어신호에 의해 제어되며 데이타 버스라인(/DB)의 신호를 증폭하여 제2노드로 출력하는 제2 전류 증폭부와, 데이타 버스라인 감지 증폭기 제3 제어신호에 의해 동작이 제어되며, 상기 제1노드 및 제2노드의 전류차를 감지하여 재증폭한 후에 제1 및 제2출력단으로 출력하는 차동 증폭기 구조의 제3전류 증폭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 버스라인 감지 증폭기.
  5. 제4항에 있어서, 제1전류 증폭부는, 소오스로 전원전압이 인가되며 게이트가 데이타 버스라인 감지 증폭기 제1제어신호에 의해 제어되는 제1피모스 트랜지스터와, 소오스가 상기 제1피모스 트랜지스터의 드레인에 연결되고 게이트와 드레인이 데이타 버스라인(DB)에 접속된 제2피모스 트랜지스트와, 전원전압과 제1노드사이에 접속되며 게이트가 데이타 버스라인(DB)에 연결된 제3피모스 트랜지스터와, 드레인과 게이트가 상기 제1노드에 접속된 다이오드 구조의 제1엔모스 트랜지스터와 상기 제1엔모스 트렌지스터의 소오스와 접지전압 사이에 접속되며 게이트가 데이타 버스라인 감지 증폭기 제2제어신호에 의해 제어되는 제3엔모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 버스라인 감지 증폭기.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제3전류 증폭부는, 크로스 커플드 구조로 제1 및 제2출력단에 전하를 공급하는 제1 및 제2피모스 트랜지스터와, 제1 및 제2출력단에 드레인 각각 접속되며 게이트가 제1노드 및 제2노드에 각각 연결되고 각각의 소오스가 공통노드에 접속된 제1 및 제2엔모스 트랜지스터와, 상기 제1 및 제2엔모스 트랜지스터의 공통 소오스와 접지전압 사이에 접속되며 게이트가 데이타 버스라인 감지 증폭기 제3제어신호에 의해 제어되는 제3엔모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 버스라인 감지 증폭기.
  7. 제4항에 있어서, 상기 데이타 버스라인 감지 증폭기의 동작을 제어하는 제1, 제2 및 제3제어신호는 데이타 감지 동작이 진행됨에 따라 일정한 시간차를 두고 인에이블되는 것을 특징으로 하는 데이타 버스라인 감지 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101282805B1 (ko) * 2012-04-27 2013-07-05 (주)에스피에스 전압 비교기

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0153602B1 (ko) * 1995-10-04 1998-12-01 김광호 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
KR0180781B1 (ko) * 1995-12-29 1999-04-15 김주용 비트라인 센스 앰프 구동 회로
KR100259338B1 (ko) * 1997-05-21 2000-06-15 김영환 반도체소자의 읽기회로
JP3968818B2 (ja) * 1997-05-26 2007-08-29 富士通株式会社 アンプ
WO1999012259A2 (en) * 1997-09-05 1999-03-11 Rambus Incorporated Duty cycle correction circuit using two differential amplifiers
US6201418B1 (en) * 1998-08-13 2001-03-13 Compaq Computer Corporation Differential sense amplifier with reduced hold time
US6643790B1 (en) * 2000-03-06 2003-11-04 Rambus Inc. Duty cycle correction circuit with frequency-dependent bias generator
KR100346418B1 (ko) * 2000-09-28 2002-08-01 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 구제 방법
KR100382734B1 (ko) * 2001-02-26 2003-05-09 삼성전자주식회사 전류소모가 작고 ｄｃ전류가 작은 반도체 메모리장치의입출력라인 감지증폭기
JP4075777B2 (ja) * 2003-11-19 2008-04-16 沖電気工業株式会社 コンパレータ回路
TW200721163A (en) * 2005-09-23 2007-06-01 Zmos Technology Inc Low power memory control circuits and methods
US7724585B2 (en) * 2008-08-20 2010-05-25 International Business Machines Corporation Implementing local evaluation of domino read SRAM with enhanced SRAM cell stability
US7724586B2 (en) * 2008-08-20 2010-05-25 International Business Machines Corporation Implementing local evaluation of domino read SRAM with enhanced SRAM cell stability with minimized area usage
US8497710B2 (en) * 2011-05-16 2013-07-30 National Tsing Hua University Low-offset current-sense amplifier and operating method thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4644196A (en) * 1985-01-28 1987-02-17 Motorola, Inc. Tri-state differential amplifier
JPS62197992A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Mitsubishi Electric Corp ダイナミツクｒａｍ
JPS62200596A (ja) * 1986-02-26 1987-09-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ
JPH07111823B2 (ja) * 1986-03-18 1995-11-29 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US4831287A (en) * 1988-04-11 1989-05-16 Motorola, Inc. Latching sense amplifier
JPH0713857B2 (ja) * 1988-06-27 1995-02-15 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH0727717B2 (ja) * 1988-07-13 1995-03-29 株式会社東芝 センス回路
US4871933A (en) * 1988-08-10 1989-10-03 Actel Corporation High-speed static differential sense amplifier
JPH07109702B2 (ja) * 1988-09-12 1995-11-22 株式会社東芝 ダイナミック型メモリ
JP3101298B2 (ja) * 1990-03-30 2000-10-23 株式会社東芝 半導体メモリ装置
US5241503A (en) * 1991-02-25 1993-08-31 Motorola, Inc. Dynamic random access memory with improved page-mode performance and method therefor having isolator between memory cells and sense amplifiers
JP2792258B2 (ja) * 1991-04-19 1998-09-03 松下電器産業株式会社 ダイナミックｒａｍの読み出し回路
JPH0620465A (ja) * 1991-09-02 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3154821B2 (ja) * 1992-06-26 2001-04-09 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体集積回路装置
KR100256120B1 (ko) * 1993-09-22 2000-05-15 김영환 고속 감지 증폭기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101282805B1 (ko) * 2012-04-27 2013-07-05 (주)에스피에스 전압 비교기

Also Published As

Publication number Publication date
DE19518953A1 (de) 1995-12-14
KR0121777B1 (ko) 1997-12-05
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US5696724A (en) 1997-12-09
DE19518953B4 (de) 2006-03-02
US5648935A (en) 1997-07-15
JPH0845274A (ja) 1996-02-16
GB2289781A (en) 1995-11-29
GB2289781B (en) 1999-03-10
JP2788209B2 (ja) 1998-08-20

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