JP4304697B2 - ダイナミック半導体記憶装置及びその動作方法 - Google Patents
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Description
図1に示すように、本実施の形態によるDRAMは、トップアレイTA及びボトムアレイBAと、アイソレータBLIt及びBLIbと、P型センスアンプPSAと、N型センスアンプNSAt及びNSAbとを備える。
次に、このDRAMの読出動作を図2に示したタイミング図を参照して説明する。
次に、このDRAMの書込動作を図3に示したタイミング図を参照して説明する。
以上のように本実施の形態によれば、分離制御信号ISOt及びISObを昇圧する必要はなく、電源電圧Vddをそのまま使用できるため、待機時に直流電流を消費する昇圧回路やレギュレータが不要になる。
BLt,/BLt,BLb,/BLb ビット線
BLIt,BLIb アイソレータ
PSA P型センスアンプ
NSAt,NSAb N型センスアンプ
N13,N14 カラム選択ゲート
Claims (6)
- ダイナミック半導体記憶装置であって、
第1の共有線と、
前記第1の共有線と対をなす第2の共有線と、
第1のビット線と、
前記第1のビット線と対をなす第2のビット線と、
第3のビット線と、
前記第3のビット線と対をなす第4のビット線と、
前記第1〜第4のビット線と交差する複数のワード線と、
前記第1及び第2の共有線と前記第1及び第2のビット線との間に接続された第1のアイソレータと、
前記第1及び第2の共有線と前記第3及び第4のビット線との間に接続された第2のアイソレータと、
前記第1及び第2の共有線の間に接続されたP型センスアンプと、
第1及び第2のN型センスアンプと、
第1及び第2のデータ線と、
前記第1及び第2の共有線と前記第1及び第2のデータ線との間にそれぞれ接続された第1及び第2のカラム選択ゲートとを備え、
前記P型センスアンプは、
前記第2の共有線に接続されたゲートと、電源に直接接続されたソースと、前記第1の共有線に接続されたドレインとを有する第1のP型電界効果トランジスタと、
前記第1の共有線に接続されたゲートと、電源に直接接続されたソースと、前記第2の共有線に接続されたドレインとを有する第2のP型電界効果トランジスタとを含み、
前記第1のN型センスアンプは、
前記第1のビット線に接続されたゲートと、前記第2の共有線に接続されたドレインとを有する第1のN型電界効果トランジスタと、
前記第2のビット線に接続されたゲートと、前記第1の共有線に接続されたドレインとを有する第2のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記第2のN型センスアンプは、
前記第3のビット線に接続されたゲートと、前記第2の共有線に接続されたドレインとを有する第3のN型電界効果トランジスタと、
前記第4のビット線に接続されたゲートと、前記第1の共有線に接続されたドレインとを有する第4のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記第1のアイソレータは、
前記第1の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第1のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第5のN型電界効果トランジスタと、
前記第2の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第2のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第6のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記第2のアイソレータは、
前記第1の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第3のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第7のN型電界効果トランジスタと、
前記第2の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第4のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第8のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記ダイナミック半導体記憶装置はさらに、
前記第1〜第4のビット線を電源電圧よりも前記第5〜第8のN型電界効果トランジスタのしきい値電圧だけ低い電圧と接地電圧との間の第1のプリチャージ電圧にプリチャージし、かつ、前記第1及び第2の共有線を電源電圧と接地電圧との間であって前記第1のプリチャージ電圧よりも高い第2のプリチャージ電圧にプリチャージし、次に前記ワード線の電圧を上昇させ、次に前記第1又は第2のN型センスアンプを活性化し、次に前記第1又は第2のアイソレータを構成するN型電界効果トランジスタのゲートに電源電圧を与え、次に前記第1及び第2のカラム選択ゲートをオンにし、次に前記ワード線の電圧を接地電圧まで下降させる読出動作制御手段を備えたことを特徴とするダイナミック半導体記憶装置。 - 請求項1に記載のダイナミック半導体記憶装置であってさらに、
前記ワード線の電圧を上昇させ、次に前記第1又は第2のN型センスアンプを活性化し、かつ、前記第1及び第2のカラム選択ゲートをオンにし、次に前記第1又は第2のアイソレータを構成するN型電界効果トランジスタのゲートに電源電圧を与える書込動作制御手段を備えたことを特徴とするダイナミック半導体記憶装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のダイナミック半導体記憶装置であって、
前記第1〜第4のN型電界効果トランジスタは前記第1及び第2のP型電界効果トランジスタのしきい値電圧よりも小さいしきい値電圧を有することを特徴とするダイナミック半導体記憶装置。 - ダイナミック半導体記憶装置の動作方法であって、
前記ダイナミック半導体記憶装置は、
第1の共有線と、
前記第1の共有線と対をなす第2の共有線と、
第1のビット線と、
前記第1のビット線と対をなす第2のビット線と、
第3のビット線と、
前記第3のビット線と対をなす第4のビット線と、
前記第1〜第4のビット線と交差する複数のワード線と、
前記第1及び第2の共有線と前記第1及び第2のビット線との間に接続された第1のアイソレータと、
前記第1及び第2の共有線と前記第3及び第4のビット線との間に接続された第2のアイソレータと、
前記第1及び第2の共有線の間に接続されたP型センスアンプと、
第1及び第2のN型センスアンプと、
第1及び第2のデータ線と、
前記第1及び第2の共有線と前記第1及び第2のデータ線との間にそれぞれ接続された第1及び第2のカラム選択ゲートとを備え、
前記P型センスアンプは、
前記第2の共有線に接続されたゲートと、電源に直接接続されたソースと、前記第1の共有線に接続されたドレインとを有する第1のP型電界効果トランジスタと、
前記第1の共有線に接続されたゲートと、電源に直接接続されたソースと、前記第2の共有線に接続されたドレインとを有する第2のP型電界効果トランジスタとを含み、
前記第1のN型センスアンプは、
前記第1のビット線に接続されたゲートと、前記第2の共有線に接続されたドレインとを有する第1のN型電界効果トランジスタと、
前記第2のビット線に接続されたゲートと、前記第1の共有線に接続されたドレインとを有する第2のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記第2のN型センスアンプは、
前記第3のビット線に接続されたゲートと、前記第2の共有線に接続されたドレインとを有する第3のN型電界効果トランジスタと、
前記第4のビット線に接続されたゲートと、前記第1の共有線に接続されたドレインとを有する第4のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記第1のアイソレータは、
前記第1の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第1のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第5のN型電界効果トランジスタと、
前記第2の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第2のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第6のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記第2のアイソレータは、
前記第1の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第3のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第7のN型電界効果トランジスタと、
前記第2の共有線に接続されたソース/ドレインと、前記第4のビット線に接続されたソース/ドレインとを有する第8のN型電界効果トランジスタとを含み、
前記動作方法は、
前記第1〜第4のビット線を電源電圧よりも前記第5〜第8のN型電界効果トランジスタのしきい値電圧だけ低い電圧と接地電圧との間の第1のプリチャージ電圧にプリチャージし、かつ、前記第1及び第2の共有線を電源電圧と接地電圧との間であって前記第1のプリチャージ電圧よりも高い第2のプリチャージ電圧にプリチャージするステップと、
前記第1〜第4のビット線並びに前記第1及び第2の共有線をプリチャージした後に、前記ワード線の電圧を上昇させるステップと、
前記ワード線の電圧を上昇させた後に、前記第1又は第2のN型センスアンプを活性化するステップと、
前記第1又は第2のN型センスアンプを活性化した後に、前記第1又は第2のアイソレータを構成するN型電界効果トランジスタのゲートに電源電圧を与えるステップと、
前記第1又は第2のアイソレータを構成するN型電界効果トランジスタのゲートに電源電圧を与えた後に、前記第1及び第2のカラム選択ゲートをオンにするステップと、
前記第1及び第2のカラム選択ゲートをオンにした後に、前記ワード線の電圧を接地電圧まで下降させるステップとを備えたことを特徴とするダイナミック半導体記憶装置の動作方法。 - 請求項4に記載のダイナミック半導体記憶装置の動作方法であってさらに、
前記ワード線の電圧を上昇させるステップと、
前記ワード線の電圧を上昇させた後に、前記第1又は第2のN型センスアンプを活性化するステップと、
前記ワード線の電圧を上昇させた後に、前記第1及び第2のカラム選択ゲートをオンにするステップと、
前記第1又は第2のN型センスアンプを活性化しかつ前記カラム選択ゲートをオンにした後に、前記第1又は第2のアイソレータを構成するN型電界効果トランジスタのゲートに電源電圧を与えるステップとを備えたことを特徴とするダイナミック半導体記憶装置の動作方法。 - 請求項4又は請求項5に記載のダイナミック半導体記憶装置の動作方法であって、
前記第1〜第4のN型電界効果トランジスタは前記第1及び第2のP型電界効果トランジスタのしきい値電圧よりも小さいしきい値電圧を有することを特徴とするダイナミック半導体記憶装置の動作方法。
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