KR890001091A - 스태틱 ram회로 - Google Patents
스태틱 ram회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR890001091A KR890001091A KR1019880007532A KR880007532A KR890001091A KR 890001091 A KR890001091 A KR 890001091A KR 1019880007532 A KR1019880007532 A KR 1019880007532A KR 880007532 A KR880007532 A KR 880007532A KR 890001091 A KR890001091 A KR 890001091A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pulse
- data
- detecting
- generating
- bit lines
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/414—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the bipolar type
- G11C11/416—Read-write [R-W] circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
- G11C11/419—Read-write [R-W] circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 스태틱 RAM회로의 일실시예의 블록도.
제2도는 제1도에 도시된 스태틱 RAM회로의 타이밍챠아트.
Claims (5)
- 행렬로 설치된 데이타를 저장하는 복수의 메모리셀과, 상기 복수의 메모리셀을 선택하는 복수의 워드선과, 상기 복수의 메모리셀에서 판독된 데이타를 전송하는 복수의 비트선과, 상기 복수의 비트선에서 전송된 데이타를 출력단자에 공급하기위해 상기 복수의 비트선에 결합된 데이타 출력수단과, 어드레스신호를 코우드해석하고 상기 복수의 워드선의 어느 하나를 연속적으로 선택하는 복수의 워드선 선택신호를 발생하는 어드레스코우드 해석수단과, 상기 어드레스 신호의 레벨의 천이를 검출하고 어드레스천이펄스를 발생하는 검출 펄스발생수단과, 상기 어드레스천이펄스의 개시모서리를 검출함에 의해 제1펄스를 발생하는 펄스발생수단과, 선택된 메모리셀에 저장된 데이타가 상기 복수의 비트선사이의 대응비트선에 판독되도록 상기 복수의 워드선 선택신호의 하나에 의해 상기 복수의 워드선의 어느 하나를 선택하고 상기 제1펄스에 의해 상기 선택된 워드선을 활성화하는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스태틱 RAM회로.
- 제1항에 있어서, 상기 워드선의 전부는 상기 제1펄스의 종료모서리를 검출함에 의해 비활성화 되는 것을 특징으로 하는 스태틱 RAM회로.
- 행렬로 설치된 데이타를 저장하는 복수의 메모리셀과, 상기 복수의 메모리셀을 선택하는 복수의 워드선과, 상기 복수의 메모리셀에서 판독된 데이타를 전송하는 복수의 비트선과, 상기 복수의 비트선에서 전송된 데이타를 출력단자에 공급하기 위해 상기 복수의 워드선의 어느 하나를 연속적으로 선택하는 복수의 워드선 선택신호를 발생하는 어드레스코우드 해석수단과, 상기 어드레스신호의 레벨의 천이를 검출하고 어드레스천이펄스를 발생하는 검출펄스발생수단과, 상기 어드레스천이펄스의 개시모서리를 검출하는 제1펄스를 발생하고 상기 어드레스천이펄스의 종료모서리를 검출함에 의해 제2펄스를 발생하는 펄스발생수단과, 선택된 메모리셀에 저장된 데이타가 상기 복수의 비트선 사이의 대응비트선에 판독되도록 상기 복수의 워드선 선택신호의 하나에 의해 상기 복수의 워드선의 어느 하나를 선택하고 상기 제1펄스에 의해 상기 선택된 워드선을 활성화하는 수단과, 상기 제2펄스에 의해 상기 데이타 출력수단을 활성화하는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스태틱 RAM회로.
- 제3항에 있어서, 상기 워드선의 전부는 상기 제1펄스의 종료모서리를 검출함에 의해 비활성화되는 것을 특징으로 하는 스태틱 RAM회로.
- 제3항에 있어서, 상기 데이타출력수단은, 상기 복수의 비트선위에 데이타를 전송하기 위해 상기 복수의 비트선에 결합된 데이타전송회로와, 상기 데이타 전송회로에서 전송된 상기 데이타를 증폭하는 감지증폭기와, 상기 감지증폭기에서 공급된 상기 데이타를 래치하고 상기 래치된 데이타를 상기 출력단자에 공급하는 출력버퍼와, 상기 데이타전송회로와, 상기 감지증폭기가 상기 제2펄스의 소멸후 비활성화되고 상기 데이타는 상기 제2펄스의 소멸후 상기 출력버퍼에 의해 래치가 유지되도록 상기 제2펄스를 상기 데이타 전송회로와 상기 감지증폭기에 공급하는 수단을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 스태틱 RAM회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62154745A JPH0812756B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | スタチックram回路 |
JP154745 | 1987-06-22 | ||
JP62-154745 | 1987-06-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890001091A true KR890001091A (ko) | 1989-03-18 |
KR910009439B1 KR910009439B1 (ko) | 1991-11-16 |
Family
ID=15590983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019880007532A KR910009439B1 (ko) | 1987-06-22 | 1988-06-22 | 스태틱 ram 회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4947379A (ko) |
EP (1) | EP0296760B1 (ko) |
JP (1) | JPH0812756B2 (ko) |
KR (1) | KR910009439B1 (ko) |
DE (1) | DE3878320T2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100439839B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2004-07-12 | 주식회사 한일농원 | 닭고기 육포의 제조방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2527050B2 (ja) * | 1989-10-27 | 1996-08-21 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ用センスアンプ回路 |
JP2925600B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1999-07-28 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5327394A (en) * | 1992-02-04 | 1994-07-05 | Micron Technology, Inc. | Timing and control circuit for a static RAM responsive to an address transition pulse |
JPH05325569A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US5349566A (en) * | 1993-05-19 | 1994-09-20 | Micron Semiconductor, Inc. | Memory device with pulse circuit for timing data output, and method for outputting data |
KR0141933B1 (ko) * | 1994-10-20 | 1998-07-15 | 문정환 | 저전력의 스테이틱 랜덤 억세스 메모리장치 |
KR0136668B1 (ko) * | 1995-02-16 | 1998-05-15 | 문정환 | 메모리의 펄스 발생회로 |
JPH08293198A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH09282889A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
KR100218307B1 (ko) * | 1996-07-01 | 1999-09-01 | 구본준 | 반도체 메모리소자의 칼럼디코딩회로 |
KR100253282B1 (ko) * | 1997-04-01 | 2000-05-01 | 김영환 | 메모리소자의소모전력자동감소회로 |
SE514107C2 (sv) * | 1999-05-05 | 2001-01-08 | Valmet Karlstad Ab | Arrangemang för positionering av en värmare vid en vals och en pressanordning med ett sådant arrangemang |
US7000065B2 (en) * | 2002-01-02 | 2006-02-14 | Intel Corporation | Method and apparatus for reducing power consumption in a memory bus interface by selectively disabling and enabling sense amplifiers |
US7152167B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-12-19 | Intel Corporation | Apparatus and method for data bus power control |
US20040128416A1 (en) * | 2002-12-11 | 2004-07-01 | Tsvika Kurts | Apparatus and method for address bus power control |
KR100642759B1 (ko) * | 2005-01-28 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 선택적 리프레쉬가 가능한 반도체 메모리 디바이스 |
KR100761848B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서의 데이터 출력장치 및 방법 |
US8279659B2 (en) * | 2009-11-12 | 2012-10-02 | Qualcomm Incorporated | System and method of operating a memory device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58169383A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-05 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS5954093A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPS5963094A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-10 | Fujitsu Ltd | メモリ装置 |
JPS60154709A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Toshiba Corp | クロツク信号発生回路 |
JPS60254485A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Nec Corp | スタテイツク型半導体記憶装置 |
US4712194A (en) * | 1984-06-08 | 1987-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Static random access memory |
JPS6124091A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Nec Corp | メモリ回路 |
US4728820A (en) * | 1986-08-28 | 1988-03-01 | Harris Corporation | Logic state transition detection circuit for CMOS devices |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP62154745A patent/JPH0812756B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-16 EP EP88305509A patent/EP0296760B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-16 DE DE8888305509T patent/DE3878320T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-16 US US07/207,650 patent/US4947379A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-22 KR KR1019880007532A patent/KR910009439B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100439839B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2004-07-12 | 주식회사 한일농원 | 닭고기 육포의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0296760A3 (en) | 1990-11-28 |
DE3878320T2 (de) | 1993-05-27 |
KR910009439B1 (ko) | 1991-11-16 |
EP0296760B1 (en) | 1993-02-10 |
JPS63318000A (ja) | 1988-12-26 |
DE3878320D1 (de) | 1993-03-25 |
JPH0812756B2 (ja) | 1996-02-07 |
EP0296760A2 (en) | 1988-12-28 |
US4947379A (en) | 1990-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR890001091A (ko) | 스태틱 ram회로 | |
KR950004854B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR890017706A (ko) | 다이나믹형 반도체 기억장치 | |
KR900010561A (ko) | 듀얼 포트 판독/기입 레지스터 파일 메모리 및 그 구성방법 | |
KR890005993A (ko) | 프로그래블 로직디바이스 | |
KR880013168A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR900010417A (ko) | 고밀도 메모리의 테스트를 위한 병렬 리드 회로 | |
KR930001216A (ko) | 랜덤 액세스 메모리 장치와 그 제어방법 | |
KR890015271A (ko) | 스태틱형 ram | |
KR880011803A (ko) | 메모리 장치 | |
KR940010585A (ko) | 동기식 스태틱 랜덤 액세스 메모리 및 전화 통신 패킷 스위치에 사용하기 위한 방법 | |
KR910010506A (ko) | 반도체 장치 | |
KR910003662A (ko) | 다이나믹 랜덤 액세스 메모리와 그 데이터기록방법 | |
KR910003666A (ko) | 반도체기억장치의 데이터출력제어회로 | |
KR930011242A (ko) | 스태틱형 메모리 | |
KR920001528A (ko) | 동기형 데이터전송회로를 갖춘 다이나믹형 반도체기억장치 | |
US5901110A (en) | Synchronous memory with dual sensing output path each of which is connected to latch circuit | |
KR910010530A (ko) | 램 테스트시 고속 기록회로 | |
KR870009392A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR930020459A (ko) | 간단화된 제어하에서 필요한 데이터를 융통성좋게 출력할 수 있는 반도체 메모리장치 및 동작방법 | |
KR870006574A (ko) | 반도체 메모리 | |
KR960015230A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
KR930001229A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR920017115A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR940016263A (ko) | 반도체 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20071106 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Expiration of term |