KR920003311A - 메모리 장치 - Google Patents

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KR920003311A
KR920003311A KR1019910011745A KR910011745A KR920003311A KR 920003311 A KR920003311 A KR 920003311A KR 1019910011745 A KR1019910011745 A KR 1019910011745A KR 910011745 A KR910011745 A KR 910011745A KR 920003311 A KR920003311 A KR 920003311A
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KR
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voltage
precharge
performs
bit line
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KR1019910011745A
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Inventor
히데끼 아라가와
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 메모리장치의 일예의 요부회로도,
제2도는 그 일예의 동작을 설명하기 위한 파형도,
제3도는 본원 발명의 메모리장치의 다른 일예의 요부회로도.

Claims (3)

  1. 부하와 전압제한회로의 사이의 노드에 있어서의 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 센스앰프를 구비한 메모리장치에 있어서, 입출력단자가 각 스위치수단을 통하여 접속되는 최소한 2단이 상의 증폭수단을 사용하여 상기 센스앰프를 구성하고, 그들 스위치수단을 제어함으로써, 상기 노드측의 증폭수단으로부터 차례로 증폭상태로 하는 것을 특징으로 하는 메모리장치.
  2. 비트선을 소정의 전압까지 프리차지한 수, 센스동작을 행하는 메모리장치에 있어서, 프리차지와 동시 또는 프리자치에 앞서서 비트선의 방전을 행하는것을 특징으로 하는 메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 비트선의 프리자치와 동시 또는 프리차지에 앞서서 비트선의 방전이 행해지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011745A 1990-07-13 1991-07-11 메모리장치 KR0183999B1 (ko)

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JP2184039A JPH0478097A (ja) 1990-07-13 1990-07-13 メモリ装置
JP90-184039 1990-07-13

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Publication Number Publication Date
KR920003311A true KR920003311A (ko) 1992-02-29
KR0183999B1 KR0183999B1 (ko) 1999-04-15

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3152762B2 (ja) * 1992-10-06 2001-04-03 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5528541A (en) * 1994-11-09 1996-06-18 Sony Corporation Of Japan Charge shared precharge scheme to reduce compare output delays
KR0140161B1 (ko) * 1994-12-29 1998-07-15 김주용 메모리 셀의 검출 및 확인 겸용회로
DE69621323T2 (de) * 1995-02-10 2002-09-05 Micron Technology Inc Schneller leseverstärker für einen flash-speicher
US6108237A (en) 1997-07-17 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Fast-sensing amplifier for flash memory
JP3919879B2 (ja) * 1997-05-16 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ メモリ装置
EP1046226A1 (en) * 1998-09-21 2000-10-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Amplifier
US6535026B2 (en) * 2001-04-30 2003-03-18 Macronix International Co., Ltd. High-speed sense amplifier with auto-shutdown precharge path
US6608787B1 (en) * 2002-04-11 2003-08-19 Atmel Corporation Single-ended current sense amplifier
US7203096B2 (en) * 2005-06-30 2007-04-10 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Method and apparatus for sensing a state of a memory cell
JP2007133927A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその制御方法
US7733704B2 (en) * 2005-12-29 2010-06-08 Sandisk Corporation Non-volatile memory with power-saving multi-pass sensing
KR100825788B1 (ko) * 2006-10-31 2008-04-28 삼성전자주식회사 메모리 셀 센싱 이전에 비트라인의 프리차아지 전압 레벨을유지할 수 있는 플래쉬 메모리 장치의 센스 앰프 회로 및플래쉬 메모리 셀 센싱 방법
CN101800082B (zh) * 2009-02-11 2012-12-05 北京兆易创新科技有限公司 一种用于mlc闪存的灵敏放大器和电流电压转换电路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4488265A (en) * 1982-06-30 1984-12-11 Ibm Corporation Integrated dynamic RAM and ROS
US4785424A (en) * 1986-05-27 1988-11-15 Seeq Technology, Inc. Apparatus for page mode programming of an EEPROM cell array with false loading protection
JPH0758592B2 (ja) * 1987-11-30 1995-06-21 日本電気株式会社 半導体メモリ
US5022006A (en) * 1988-04-01 1991-06-04 International Business Machines Corporation Semiconductor memory having bit lines with isolation circuits connected between redundant and normal memory cells
GB8907045D0 (en) * 1989-03-29 1989-05-10 Hughes Microelectronics Ltd Sense amplifier
JP2830066B2 (ja) * 1989-05-25 1998-12-02 ソニー株式会社 半導体メモリ
JPH0814996B2 (ja) * 1989-06-27 1996-02-14 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2685656B2 (ja) * 1990-12-28 1997-12-03 サムサン エレクトロニクス シーオー．， エルティーディー センスアンプの出力制御回路
US5187392A (en) * 1991-07-31 1993-02-16 Intel Corporation Programmable logic device with limited signal swing

Also Published As

Publication number Publication date
US5388078A (en) 1995-02-07
DE69124310T2 (de) 1997-08-14
JPH0478097A (ja) 1992-03-12
KR0183999B1 (ko) 1999-04-15
DE69124310D1 (de) 1997-03-06
EP0470394A1 (en) 1992-02-12
EP0470394B1 (en) 1997-01-22

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