KR870002594A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR870002594A
KR870002594A KR1019860006585A KR860006585A KR870002594A KR 870002594 A KR870002594 A KR 870002594A KR 1019860006585 A KR1019860006585 A KR 1019860006585A KR 860006585 A KR860006585 A KR 860006585A KR 870002594 A KR870002594 A KR 870002594A
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KR
South Korea
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semiconductor memory
parity bit
bits
memory device
error correction
Prior art date
Application number
KR1019860006585A
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English (en)
Inventor
기구오 사가이
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
오노 미노루
히다찌초에루 에스 아이 엔지니어링 가부시끼가이샤
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 마스크형 ROM의 1실시예를 도시한 블럭 도면.
제2도는 본 발명의 ECC회로의 구체적 1실시예를 도시한 회로도.
제3도는 제2도에 있어서 사용되는 논리 회로의 구체적 1실시예를 도시한 회로도.

Claims (5)

  1. 정보를 기억하기 위한 기억 수단과, 상기 기억 수단에서 호출되고, 1조가 다수개 비트로 되는 다수개조로 구성된 제1의 기억 정보를 받아, 상기 다수 개조의 각각에서 소정의 비트를 선택하여 다수개 비트로 되는 제2의 기억 정보를 형성하기 위한 선택 수단과, 상기 제2의 기억 정보에 대해서 에러 정정을 행하기 위한 에러 정정 수단으로 되는 반도체 기억장치.
  2. 특허 청구의 범위 제1항의 반도체 기억 장치에 있어서, 상기 에러 정정 수단은 상기 다수개 조중의 에러가 생긴 조의 검출을 행하기 위한 제1의 패리티 비트와, 상기 제2의 기억 정보의 에러 검출을 행하기 위한 제2의 패리티 비트에 따라서 에러 정정을 행한다.
  3. 특허 청구의 범위 제2항의 반도체 기억 장치에 있어서, 상기 제1의 패리티 비트와 제2의 패리티 비트는 상기 기억 수단에 기억되어 있다.
  4. 특허청구의 범위 제3항의 반도체 기억 장치에 있어서, 상기 기억 수단은 마스크형 ROM이다.
  5. 특허청구의 범위 제2항의 반도체 기억 장치에 있어서, 상기 1조는 4비트로 되며, 상기 다수 개조는 8조로 되며, 제1의 패리티 비트는 3비트로 되어 제2의 패리티 비트는 4비트로 된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860006585A 1985-08-23 1986-08-11 반도체 기억장치 KR870002594A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60-184232 1985-08-23
JP60184232A JPS6246357A (ja) 1985-08-23 1985-08-23 半導体記憶装置

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Family

ID=16149684

Family Applications (1)

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KR1019860006585A KR870002594A (ko) 1985-08-23 1986-08-11 반도체 기억장치

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US (1) US4780875A (ko)
JP (1) JPS6246357A (ko)
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US4780875A (en) 1988-10-25
JPS6246357A (ja) 1987-02-28

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