KR910006998A - 반도체 기억 장치 - Google Patents

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KR910006998A
KR910006998A KR1019900014165A KR900014165A KR910006998A KR 910006998 A KR910006998 A KR 910006998A KR 1019900014165 A KR1019900014165 A KR 1019900014165A KR 900014165 A KR900014165 A KR 900014165A KR 910006998 A KR910006998 A KR 910006998A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bits
semiconductor memory
error detection
memory device
detection correction
Prior art date
Application number
KR1019900014165A
Other languages
English (en)
Inventor
류우지 시바따
Original Assignee
미다 가쯔시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 미다 가쯔시게, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 미다 가쯔시게
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 나타내는 종형 마스크 ROM의 전체를 나타내는 블록도.
제6도는 제2실시예에 관한 종형 플래시(flash) EEPROM의 회로도.

Claims (10)

  1. 반도체 기억장치에 있어서, 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정용 패리티 비트와; 상기 패리티 비트를 이용하여 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정을 행하기 위한 에러 검출 정정회로와; 그리고 상기 데이터 비트마다 워드선 및 비트선을 독립시킨 복수개의 메모리 어레이를 구비하며, 어드레스 신호에 따라서 복수의 데이터 비트를 병렬적으로 출력 가능하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패리티 비트 마다 워드선 및 비트선을 독립시킨 복수개의 메모리 어레이가 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 데이터 비트용 메모리 어레이는 종형 ROM회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 패리티 비트용 메모리 어레이는 종형 ROM회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
  5. 반도체 기억장치에 있어서, 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정용 패리티 비트와; 상기 패리티 비트를 이용하여 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정을 행하기 위한 에러 검출 정정회로와; 그리고 상기 데이터 비트 및 패리티 비트마다 워드선 및 비트선을 독립시킨, 종형 ROM 회로를 구성하는 복수개의 메모리 어레이를 구비하며, 어드레스 신호에 따라서 복수의 데이터 비트를 병렬적으로 출력 가능하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  6. 반도체 기억장치에 있어서, 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정용 패리티 비트와; 상기 패리티 비트를 이용하여 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정을 행하기 위한 에러 검출 정정회로와; 그리고 각각의 데이터 비트와 패리티 비트에 대하여 워드선 선택용 디코더 및 비트선 선택용 디코더가 갖추어진 종형 ROM회로를 구성하는 복수개의 메모리 어레이를 구비하며, 어드레스 신호에 따라서 복수의 데이터 비트를 병렬적으로 출력 가능하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 데이터 비트가 16비트이고, 상기 패리티 비트가 5비트인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  8. 반도체 기억장치에 있어서, 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정용 패리티 비트와; 상기 패리티 비트를 이용하여 판독 데이터 비트에 대한 에러 검출 정정을 행하기 위한 에러 검출 정정회로와; 그리고 상기 각 데이터 비트 및 패리티 비트에 대하여 워드선 및 비트선을 독립시킨 복수개의 메모리 어레이를 구비하며, 어드레스 신호에 따라서 복수의 데이터 비트를 병렬적으로 출력 가능하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 메모리 어레이의 각각을 구성하는 메모리 셀이 전기적으로 판독 가능한 메모리 셀인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 워드선이 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900014165A 1989-09-12 1990-09-07 반도체 기억 장치 KR910006998A (ko)

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JP1236737A JPH03100999A (ja) 1989-09-12 1989-09-12 半導体記憶装置
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KR960000681B1 (ko) * 1992-11-23 1996-01-11 삼성전자주식회사 반도체메모리장치 및 그 메모리쎌 어레이 배열방법
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KR100905712B1 (ko) * 2006-09-29 2009-07-01 삼성전자주식회사 에러 정정 코드를 이용한 병렬 비트 테스트 장치

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JPH03100999A (ja) 1991-04-25

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