KR940002864A - 멀티-이씨씨(ecc)회로를 내장하는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

멀티-이씨씨(ecc)회로를 내장하는 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 ECC(error correcting code)를 내장하는 반도체 메모리 장치에서 특히 메모리 어레이가 다수개의 서브 어레이로 구성되는 반도체 메모리 장치에 ECC를 내장하는 아키텍쳐에 관한 것으로, 다수개로 배열되는 쎌 어레이에 ECC회로가 각각 내장되는 멀티-ECC회로를 실현하므로서, 칩의 수율 및 신뢰성을 보장함과 동시에 전류소모를 최대한 억제할 수 있고, 칩의 상층부를 형성하는 메탈층의 변경만으로 고속 액세스타임을 실현할 수 있는 잇점이 있다.

Description

멀티-이씨씨(ECC)회로를 내장하는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 멀티-ECC 내장 아키텍쳐의 일실시예,
제6도는 제5도에서의 제어신호발생회로도.

Claims (9)

  1. 반도체 메모리 장치에 있어서; 어레이 구성이 다수개의 서브어레이로 분할배열되고, 하나의 서브어레이내에 노멀 메모리쎌과 패리티쎌이 함께 존재하는 메모리 셀 어레이와, 상기 다수개의 서브어레이에 각각 하나씩 연결되어 쎌 데이타의 센싱 동작을 수행 하는 센스앰프그룹과, 상기 각각의 센스앰프그룹에 하나씩 연결되고, 서브 어레이내의 비트성 결함을 구제하기 위한 ECC회로와, 상기 각각의 ECC회로의 출력에 하나씩 연결되는 출력 디코더를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치가, 상기 다수개의 서브어레이 중 특정한 서브어레이만 선택하는 블럭선택신호를 출력하는 블럭디코더를 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 블럭선택신호에 의해서 소정의 선택된 서브어레이에 연결되는 센스앰프그룹과 ECC 회로만 동작함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각각의 센스앰프그룹과 ECC회로 사이에 상기 센스앰프그룹의 출력신호를 래치하는 래치부를 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 반도체 메모리 장치가, 어드레스를 입력하는 제어용디코더를 더 구비하고, 상기 제어용디코더의 디코딩출력신호에 의해 상기 출력 디코더의 동작이 인에이블됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 반도체 메모리 장치에 있어서 : 어레이 구성이 다수개의 서브어레이로 분할배열되고, 하나의 서브어레이내에 노멀 메모리쎌과 패리티쎌이 함께 존재하는 메모리 쎌 어레이와, 상기 다수개의 서브어레이에 각각 하나씩 연결되어 쎌 데이타의 센싱 동작을 수행하는 센스앰프그룹과, 상기 각각의 센스앰프그룹에 하나씩 연결되고, 서브 어레이레의 비트성 결함을 구제하기 위한 ECC회로와, 상기 각각의 ECC회로의 출력을 모두 입력하고 이를 순차적으로 출력하는 디코더를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 각각의 센스앰프그룹과 ECC회로사이에 상기 센스앰프그룹의 출력신호률 래치하는 래치부를 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서 상기 각각의 센스앰프그룹과 ECC회로사이에 상기 센스앰프그룹의 출력신호를 래치하는 래치부를 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  9. 상단부에 메탈층이 존재하는 반도체 메모리 장치에 있어서 : 어레이 구성이 다수개의 서브어레이로 분할배열되고, 하나의 서브어레이내에 노멀 메모리쎌과 패리티쎌이 함께 존재하는 메모리 쎌 어레이와, 상기 다수개의 서브어레이에 각각 하나씩 연결되어 쎌 데이타의 센싱동작을 수행하는 센스앰프그룹과, 상기 각각의 센스앰프그룹의 출력신호를 래치하는 래치부와, 상기 래치부에 연결되고, 서브어레이내의 비트성 결함을 구제하기 위한 멀티 -ECC회로와, 상기 멀티-ECC회로의 각 출력에 하나씩 연결되는 출력 디코더와, 상기 출력 디코더의 출력신호를 입력하는 출력버퍼를 구비하고, 상기 메탈층의 변경에 의해 페이지모드로의 변환이 이루어지는 기능을 적어도 포함함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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