JP4790386B2 - 積層メモリ - Google Patents

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Description

本発明は、複数のメモリチップを積層した積層メモリに係り、特に、積層メモリのメモリ構成、バンク構成、リフレッシュ制御に関する。
近年、電子機器は小型化され、その電子機器に使用される半導体装置も小型化されている。例えば、携帯電話等の小型電子機器には3次元の積層半導体装置が使用されている。3次元の積層半導体装置は複数の半導体チップが積層され、それぞれの半導体チップはワイヤーボンディングされて1つのパッケージに収容されている。このように半導体チップを積層し、3次元の積層半導体装置とすることで、半導体装置の小型化が図られている。
さらに最近では、さらなる小型化と高速動作のためにワイヤーボンディングの代わりに、貫通電極を用いた積層半導体装置が開発されている。これらの積層半導体装置は積層された半導体チップ間を、半導体チップ内を貫通させた貫通電極により接続させている。貫通電極を使用することでワイヤーボンディングに起因するスペースやインダクタを減少させ、半導体装置のさらなる小型化、高速動作を達成するものとして期待されている。
積層半導体装置の1つとして、メモリチップを積層した積層メモリが開発されている。積層メモリは複数の半導体チップを積層させることでメモリモジュールの代替品とすることができる。この積層メモリとして、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ(以下、DRAMと記す)チップを積層した積層DRAMがある。しかし現在のメモリあるいはメモリモジュールを積層メモリで構成する場合には、その構成は現在の仕様と整合させる必要がある。例えば、パリティー動作と非パリティー動作はメモリコア層の設計を変更(例えばx16品をx18品に変更)する必要が生じる。又、積層化を単純に実施すると積層数に応じてバンク数が変化し、DRAM仕様との不整合が生じる。更には、積層構造に対応したリフレッシュ制御方式も未だ手法が確立されていないという問題がある。
半導体チップを積層した積層半導体装置に関する特許文献として下記文献がある。特開平9−265774(以下、特許文献1と称する)では、積層されたメモリチップ間をインターリーブ制御させることで、アクセスタイムを高速化している。特開2004−327474(以下、特許文献2と称する)では、IOチップと複数のDRAMチップを積層し、IOチップによりシステムデータ信号と各DRAMチップ内の内部データを変換させることで積層メモリを制御している。
特許文献1においては、積層されたメモリのアクセス方法の改善方法についての記載はあるが、DRAMチップのバンク構成、リフレッシュ方法については記載されていない。また特許文献2においては、DRAMチップは1バンク構成であり、DRAMチップ内のバンク構成に関する問題点は発生しない。さらにリフレッシュ方法についても記載されていない。上記した特許文献には、本願発明の課題に対する問題認識がない。従って積層メモリの構成や、アドレス割付に対する記載がなく、本願の課題を解決する技術に関しての示唆も記載されていない。
特開平9−265774号公報 特開2004−327474号公報
上記したように、積層メモリは現状のメモリあるいはメモリモジュールの仕様に適合させる必要があるが、その手法が確立されていないという問題がある。そのためにパリティー動作と非パリティー動作では半導体チップの構成を変更し、x16ビット品をx18ビット品に変更する必要が生じる。又、積層化を単純に実施すると積層数に応じてバンク数が変化し、DRAM仕様との不整合が生じる。更には、積層構造に対応したリフレッシュ制御方式として最適な手法が確立されていないという問題がある。
本願の目的は、上記した問題に鑑み、同一構成のメモリチップをそれぞれ積層することで、現在のメモリ仕様に合致した積層メモリの構成法、および積層メモリを提供することにある。
本発明は上記した課題を解決するため、基本的に下記に記載される技術を採用するものである。またその技術趣旨を逸脱しない範囲で種々変更できる応用技術も、本願に含まれることは言うまでもない。
本発明の積層メモリは、貫通電極を有するメモリコア層とインタフェースチップを備え、パリティー層の有無によりパリティー動作または非パリティー動作することを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記メモリコア層と前記パリティー層は同一構成のメモリセルアレイとその周辺回路を備え、メモリ入出力回路は前記インタフェースチップに搭載され、外部端子はインターポーザーに搭載され、貫通電極により各層は接続されたことを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記メモリコア層の層指定をロウアドレスの上位側ビットにより行うことを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記積層メモリのバンク指定をバンクアドレスにより行い、前記メモリコア層のマットに対応させることで前記メモリコア層の積層数にかかわらずバンク数を一定にすることを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記パリティー層の層指定を前記インタフェースチップからのアドレス信号により行うこと特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記パリティー層のバンク指定をバンクアドレスの上位ビットと、反転させたバンクアドレスの最下位ビットとで行うことを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記メモリコア層の特定バンクのパリティー情報は、前記パリティー層の1つのマット内のサブマットにストアされることを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記サブマットは、前記メモリコア層を層指定するロウアドレスにより指定されることを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記メモリコア層の層指定を、ロウアドレスの上位側ビットとバンクアドレスの最上位ビットにより行うことを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記積層メモリのバンク指定を、前記メモリコア層のマット毎にバンクアドレスの各ビットを非反転、反転、無効を指定し、入力されるバンクアドレスとの一致/不一致を判定して行うことを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、層アドレスと層選択アドレスとを比較して前記メモリコアの層指定を行い、前記インタフェースチップからのマット選択信号により層指定されたメモリコア層のマットを前記積層メモリのバンクとして指定することを特徴とする。
本発明の積層メモリにおいて、前記インタフェースチップにリフレッシュカウンタを備え、前記メモリコア層のバンクをグルーピングしたグループ毎にリフレッシュすることを特徴とする。
本発明においては、同一構成のメモリコア層を積層することで非パリティー動作とパリティー動作の双方への対応が可能となる。さらにロウアドレス、バンクアドレスの割付によりメモリコア層の積層数に依存しないバンク指定ができる。さらに積層メモリにおけるリフレッシュ制御(Hidden Refresh等への対応)が可能となる。本願の構成により貫通電極を備えたメモリコア層を積層した積層メモリが得られる。
本発明の最良の実施形態として、本発明の積層メモリの基本構成を図1〜図4を参照して以下詳細に説明する。本実施形態の積層メモリは外部端子との接続を行う外部端子(インターポーザー)層と、複数の層からなるメモリコア層と、入出力回路(IFチップ)層から構成される。図1には本発明の積層メモリの全体構成を示す。図2にはパリティー動作、非パリティー動作による積層メモリのバンク構成の説明図、図3にはパリティー動作における8バンク、16バンク構成の説明図を示す。図4にはバンク選択、層選択のアドレス割付の説明図を示す。
図1の左側には通常のメモリモジュール構造、右側には本発明の積層メモリの層構成を示す。図の左側に示す通常のモジュール構造では、非パリティー動作の場合には半導体メモリ1が8個搭載され、パリティー動作の場合には半導体メモリ1が9個搭載される。それぞれの半導体メモリ1は、外部端子との接続部、入出力回路をそれぞれが備え、モジュール基板(不図示)に搭載されている。ここでそれぞれの半導体メモリ1が8ビット品であるとすると、メモリモジュールとしては非パリティー動作の場合には64ビット、パリティー動作の場合には72ビットのデータ幅を有することになる。
このメモリモジュール構造を本発明の積層メモリで構成する。本発明の積層メモリは外部端子(インターポーザー)層2と、メモリコア層3と、入出力回路(IFチップ)層4から構成される。積層された各層の接続はそれぞれの層を貫通する貫通電極により行われる。インターポーザー層2は外部端子と接続され、システムバスの信号と、積層メモリの信号との間をやり取りする接続部である。
メモリコア層3は、メモリセルアレイとその周辺制御回路を備えたメモリ部であり、同一構成である。メモリコア層3は電源用、コマンド用の貫通電極とともに、独立に動作可能なメモリセルアレイ領域(メモリマット)と対応する信号授受用の貫通電極群を持つ。メモリコア層3は積層数に応じてパリティー動作、非パリティー動作として動作することが可能である。パリティー層3−1を備えた場合はパリティー動作であり、パリティー層3−1が無い場合には非パリティー動作となる。パリティー層3−1はメモリコア層3と同一構成で、パリティー動作の場合に追加される層である。パリティー層3−1とメモリコア層3とを区別する必要がない場合は、総称して単にメモリコア層3と略称する。
入出力回路(以下、IFチップと称する)層4は、コマンド、アドレス、入出力データ等の授受を行う入出力回路が搭載されている。IFチップ層4は、外部からのシステムバスの信号をメモリコア層用に変換し、また逆にメモリコア層からの信号をシステムバスの信号に変換する制御機能を備えている。つまり積層されたメモリコア層数を認識する機能や、認識したメモリコア層数により各メモリコア層やバンクを指定するアドレス割付機能を備えている。
具体的なメモリ領域の層構成、バンク構成を図2に示す。以下の説明では1つのメモリコア層3は8ビット、8バンク構成とする。しかしこれらのビット数、バンク数は特に限定されるものではなく、任意に設定できるものである。図2の左側には非パリティー(通常)動作、右側にはパリティー動作におけるメモリ構成を示す。左側の非パリティー動作の場合にはメモリコア層3は1層〜8層から構成され、各メモリコア層の第1のマットが第1のバンク1a〜1hとして指定される。貫通電極は各バンク位置によって規定されており、各バンク間の干渉はなく、それぞれが独立して動作することができる。
右側のパリティー動作の場合にはメモリコア層3の1〜8層にさらに第9層としてパリティー層3−1追加されている。メモリコア層の1層〜8層はデータメモリ領域であり、9層はパリティー情報がストアされるパリティーメモリ領域である。第1層〜8層のメモリコア層3の第1のマットが第1のバンク1a〜1hとして指定される。第1層〜8層のメモリコア層3の第1のマットに対応するパリティー情報は第9層のパリティー層3−1の第2のマットにストアされる。
図3にはパリティー層3−1を備えた8バンク構成(左側)、16バンク構成(右側)を示す。8バンク構成は図2の右側の構成と同じ構成である。16バンク構成のメモリコア層3の1層〜8層はデータメモリ領域であり、9層のパリティー層3−1はパリティー情報がストアされるパリティーメモリ領域である。各メモリコア層は8バンク構成で同一であることから、8バンク構成の場合には各メモリコア層のマットをそのままバンクとする。16バンク構成の場合には、奇数層のメモリコア層のマットをバンク1〜8、偶数層のメモリコア層のマットをバンク9〜16とする。第1層〜8層のメモリコアの第1のマットに対応するパリティー情報は第9層第2のマットにストアされる。
これらのメモリコア層、バンクを指定するアドレス割付方法を図4に示す。図4にはメモリコア層3は1〜8層、パリティー層3−1は9層目で構成され、パリティー動作の8バンク構成を示す。メモリコア層3の層アドレス割付はロウアドレスのMSB側の3ビット(Xm、Xm−1、Xm−2)により指定される。パリティー層3−1の9層目はIFチップ層によりロウアドレスを読み替え指定される。
メモリコア層3のマットアドレスとして、バンクアドレスの3ビット(BA2,BA1,BA0)が割り付けられ、メモリコア層のマットがバンクとなる。パリティー層のマットはバンクアドレスの3ビット(BA2,BA1,BA0)のうちバンクアドレスのLSB(BA0)を反転したアドレスとする。バンクアドレスのLSB(BA0)を反転したアドレスを割り付けることで、パリティー情報の授受するときの他の層の干渉をなくす。このパリティー層のマット活性化は対応するマットと同時に活性化される。このため、バンクアドレスのBA2,BA1が共通するバンクはインタラクティブ動作に制限する必要がある。メモリコア層のマットは積層メモリのバンクと対応することから、以下の説明ではバンク、マットを同意語として扱う。
パリティー層3−1においては、各メモリコア層の同一バンクに対するパリティー情報は1つのバンクにストアされる。したがってパリティー層の1つのマットはそれぞれ8つの領域(サブマット)に分割され、対応する各層の選択アドレス(Xm、Xm−1、Xm−2)によりその領域(サブマット)は定義される。例えば、メモリコア層の4層目(Xm=0、Xm−1=1、Xm−2=1)の第7バンクのパリティー情報は、パリティー層の第8層目のマットの第4番(Xm=0、Xm−1=1、Xm−2=1)目の領域(サブマット)にストアされる。このようにサブマットは各層の選択アドレス(Xm、Xm−1、Xm−2)により指定されることになる。
本発明の積層メモリは、外部端子との接続を行う外部端子(インターポーザー)層2と、複数の層からなるメモリコア層3と、IFチップ層4から構成される。メモリコア層は同一構成とし、パリティー動作の場合にはパリティー用のパリティー層を追加する。アドレス割付としては、メモリコア層の層指定はロウアドレスのMSB側のビットを、バンク指定はバンクアドレスを割り付ける。各バンクはメモリコア層のマットに対応させる。パリティー層の層指定はIFチップ層により、バンク指定はLSBを反転させたバンクアドレスによりパリティー層のマットに対応させる。パリティー情報がストアされるサブマット領域は、各メモリコア層の層指定アドレスに対応したアドレスが割り付けられる。これらのアドレス割付はIFチップ層により行われる。
このように貫通電極を備えた同一のメモリコア層を使用し、複数のメモリコア層3と、外部端子との接続を行うインターポーザー(外部端子)層2と、IFチップ層4とを積層することで積層メモリを構成する。パリティー層3−1を追加することでパリティー動作に対応させる。IFチップ層によりアドレス割付を最適化し、非パリティー動作とパリティー動作、さらに種々のバンク構成とする積層メモリが得られる。
実施例1として、図5〜図9を参照して説明する。本実施例は異なるメモリコア層の積層数に対するバンク数を一定にするアドレス割付方法を示す実施例である。実施形態においては、積層メモリの基本形態としてメモリコア層を8層として説明した。実施例1においては、このバリエーションとしてメモリコア層数(1,2,4,8層)が異なる場合につき説明する。図5に課題を示す従来法におけるバンク構成図、図6は8バンク構成における層及びバンクを指定するアドレス割付図(A)、そのバンク構成図(B)、図7は16バンク構成における層及びバンクを指定するアドレス割付図(A)、そのバンク構成図(B)を示す。図8はプログラマブルアドレスデコーダによるマット選択方式のブロック図(A),プログラマブルアドレスデコーダ6の回路図(B)、論理表(C)である。図9は比較回路によるマット選択方法のブロック図(A)、比較回路の回路図(B)である。
まず従来例として、8バンク構成のメモリコア層を単純に積層した場合のバンク構成を図5に示す。メモリコア層が1層の場合には1〜8までの8バンク構成となる。2層の場合には1〜16までの16バンク構成となる。同様に4層の場合には1〜32までの32バンク構成、8層の場合には1〜64までの64バンク構成と、それぞれのメモリコア層のバンク数が加算されたバンク数となる。したがってメモリコア層の積層数により、独立に動作する積層メモリのバンク数が異なる。
全てのマットを独立動作させ、マット=バンクという従来の手法では積層数に従ってバンク数が変わることになる。これは現状のDRAM仕様との整合性が失われることになり問題となる。一般的なDRAM仕様は4〜16バンクと一定であり(大容量DRAMではバンク数は8〜16バンク)、積層メモリではこうした仕様への対応が必要となる。ここではメモリコア層数を2のべき乗としたが、それ以外の層数であってもよい。
図6には、積層メモリとして8バンク構成における層及びバンクを指定するアドレス割付図(A)、そのバンク構成図(B)を示す。メモリコア層3が1,2,4,8層における8バンク構成の場合には、それぞれのメモリコア層3のマット1〜8を積層メモリのバンク1〜8とする。バンクは各メモリコア層のマットと一致することから、バンクはバンクアドレスBA0,BA1,BA2により、各メモリコア層のマットをそれぞれ指定する。8バンク構成の場合には、バンクアドレスBA3は使用されない。
各メモリコア層3の層指定はロウアドレスのMSB側にさらにアドレスビットを追加して指定する。メモリコア層が2層の場合にはアドレス1ビットをロウアドレスのMSBに追加し、追加されたアドレス1ビットにより指定する。メモリコア層が4層の場合には、アドレス2ビットをロウアドレスのMSBに追加し、追加されたアドレス2ビットにより指定する。メモリコア層が8層の場合には、アドレス3ビットをロウアドレスのMSBに追加し、追加されたアドレス3ビットにより指定する。このようにメモリコア層はロウアドレスのMSB側にさらに追加されたアドレスにより指定する。
メモリコア層をロウアドレスのMSBにさらに追加したアドレスビットにより指定し、各メモリコア層のバンクはバンクアドレスBA0,BA1,BA2により指定する。このようにしてアドレス指定されたバンク構成を図6(B)に示す。このようにアドレスを割り付けることで各メモリコア層はすべて同一条件のアドレスで指定される。したがって各メモリコア層が平等にアドレス指定されることで、そのメモリコアの性能は配置された層の位置にかかわらずすべて同じ特性となり、層による性能差はない。
図7は16バンク構成における層及びバンクを指定するアドレス割付図(A)、そのバンク構成図(B)を示す。16バンク構成の場合には、メモリコア層のマット数8マットと積層メモリのバンク数16バンクとは一致しない。そのために、半数のメモリコア層のマット1〜8マットを9〜16バンクと読み替える必要がある。ここでは奇数層のメモリコア層のマットを1〜8バンク、偶数層のメモリコア層のマットを9〜16バンクとして、アドレスを読み替え変換する。この奇数/偶数層のメモリコア層の指定をバンクアドレスBA3により行う。バンクアドレスBA3は層の指定アドレスであるとともに、バンクアドレスを指定するアドレスとする。
バンクアドレスBA3により、奇数層目のマット1〜8はバンク1〜8バンクとして割り付けられる。偶数層目のマット1〜8は、それぞれ8が加算されバンク9〜16バンクとして割り付けられる。メモリコア層内のマットはバンクアドレスBA0、BA1,BA2によりバンク指定する。このようにしてアドレス指定されたバンク構成を図7(B)に示す。
さらに各メモリコア層の層指定はバンクアドレスBA3と、ロウアドレスのMSB側にさらにアドレスビットを追加して指定する。メモリコア層が2層の場合にはバンクアドレスBA3により指定する。メモリコア層が4層の場合には、アドレス1ビットをロウアドレスのMSBに追加し、追加されたアドレス1ビットとバンクアドレスBA3とで指定する。メモリコア層が8層の場合には、アドレス2ビットをロウアドレスのMSBに追加し、追加されたアドレス2ビットとバンクアドレスBA3とで指定する。メモリコア層を指定するアドレス割付は、バンクアドレスBA3と、ロウアドレスのMSB側にさらに追加されたアドレスビットを指定する。
アドレス割付として、メモリコア層にはバンクアドレスビットBA3とロウアドレスのMSBにさらに追加したアドレスビットを割り付ける。さらにバンクに対してはバンクアドレスを割り付けることで各メモリコア層はすべて同一条件のアドレスで指定される。したがって各メモリコア層が平等にアドレス指定されることで、そのメモリコアの性能は配置された層の位置にかかわらずすべて同じ特性となり、層による性能差はない。
いままではマットの順に、規則的にバンクを割り付けた実施例を説明した。しかし、マットとバンクを自由に割り付けることも可能であり、これらのフレキシブルなバンク構成方式を図8,9に示す。図8にはプログラマブルアドレスデコーダによるマット選択方式、図9には比較回路によるマット選択方法を示す。図8,9においては16バンク構成とし、アドレスビットとしては4ビットが必要となる。
プログラマブルアドレスデコーダによるマット選択方式においては、メモリコア層3は複数の貫通電極5と、それぞれのマットを選択するプログラマブルアドレスデコーダ6がそれぞれ備えられている。プログラマブルアドレスデコーダ6には貫通電極5からバンクアドレス無効信号Aと、バンクアドレス信号Bと、バンクアドレス反転信号Cとが入力される。プログラマブルアドレスデコーダ6の回路図を図8(B)に、その論理表を図8(C)に示す。
バンクアドレス信号Bは、各チップ、各マットに共通のアドレスを供給される。バンクアドレス無効信号Aと、バンクアドレス反転信号Cとは、イニシャライズ時に各マットに入力される。イニシャライズ時にセレクタ7はアドレス反転信号Cにより、アドレス無効信号AとバンクアドレスBとの切り替えを設定する。この初期設定により、セレクタ7の出力節点N1の電位が設定され、エクスクルーシブOR回路8に入力される。
エクスクルーシブOR回路8は節点N1,N2との一致、不一致を判定し、出力する。アドレスの非反転時には入力されるバンクアドレスB(n)、アドレスの反転時にはバンクアドレスBの反転notB(n)、無効時にはロウレベル“0”をAND回路9に出力する。AND回路9からマット活性化信号Dが出力される。ここではバンクアドレスB(n)は、バンクアドレスBを各ビット単位に表す符号とする。ここでバンクアドレスBとはバンクアドレスBA0〜3である。
論理表に示すように、バンクアドレスBのビット毎に、アドレス反転信号Cとアドレス無効信号Aとで、バンクアドレスBの非反転、反転、無効を指定できる。バンクアドレスBをビット単位に非反転、反転、無効を指定することでマットを自由に選択できる。例えば5番目のバンクとして、奇数層の第3番目のマットを指定する。このとき入力されるバンクアドレスBは(0、1、0、0)であり、図8(B)に示すデコーダ回路の上側からビット順に入力するとする。奇数層の第3番目のマットをイニシャライズ時に節点N1を反転、非反転、反転、反転(1、0、1、1)と設定する。入力されるバンクアドレスBは(0、1、0、0)であり、節点3の出力はすべてハイレベルとなり、奇数層の第3番目のマットが選択され活性化される。他のマットは節点3のいずれかの出力がロウレベルとなり、活性化させない。この選択方法により自由なマット選択が可能となり、フレキシブルなバンク構成が実現できる。
図9の比較回路によるマット選択方式においては、メモリコア層3は複数の信号用貫通電極5と、それぞれのマットを選択する比較回路10が備えられている。比較回路10には貫通電極5から各層の各マットに共通の層アドレス信号Eと、層選択アドレス信号Fと、マット選択信号Gとが入力される。比較回路10の回路図を図9(B)に示す。
それぞれのエクスクルーシブNOR回路11には層アドレス信号Eと、層選択アドレス信号Fとが入力される。層アドレス信号Eと層選択アドレス信号Fの一致/不一致が判断され、AND回路12に出力する。AND回路12には、マット選択信号Gがさらに入力され、マット活性化信号Dが出力される。層アドレス信号Eと、層選択アドレス信号Fが一致し、マット選択信号Gがハイレベルのときに、マット活性化信号Dが活性化され、層内のマットが選択される。層アドレス信号Eはイニシャライズ時に指定される。メモリコア層の選択を層アドレスで行い、各マット内のマット選択をマット選択信号Gで行う。この選択方法により自由なマット選択が可能となり、フレキシブルなバンク構成が実現できる。
本実施例の積層メモリは、複数の同一構成のメモリコア層を積層し、一定のバンク数になるようにアドレス設定する。アドレス設定によりメモリコア層のマットを積層メモリのバンクとしてフレキシブルに指定選択することができる。そのため積層メモリのバンク数は任意の一定バンク数を実現できる。メモリコア層をロウアドレスに追加した上位アドレスと、上位バンクアドレスとにより層指定する。さらにバンクアドレスはバンクアドレス信号によりメモリコア層のマットを設定する。さらにプログラマブルアドレスデコーダや比較回路により、さらにフレキシブルにバンク指定することができる。任意数のメモリコア層を備え、そのメモリコア層のマットを積層メモリのバンクとしてフレキシブルに設定することができる一定のバンク数を備えた積層メモリが得られる。
実施例2として、図10を用いて説明する。本実施例は積層メモリにおけるリフレッシュ制御に関する実施例である。図10に積層メモリの構成図(A),リフレッシュカウンタ2系列の場合におけるリフレッシュされるバンクのグループ構成図(B)、リフレッシュカウンタ4系列の場合におけるリフレッシュされるバンクのグループ構成図(C)を示す。
積層メモリはインターポーザー2と、複数のメモリコア層3と、IFチップ4から構成され、各層は貫通電極により接続されている。この積層メモリのリフレッシュ制御は、IFチップ4により行われる。IFチップ4にリフレッシュカウンタを設けリフレッシュ制御する。リフレッシュカウンタを2系列設置した場合には、バンクアドレスBAのMSB1ビットでバンク1〜4、5〜8と2つのグループとし、図10(B)に示すようにグループ毎にリフレッシュする。またリフレッシュカウンタを4系列設置した場合には、バンクアドレスBAのMSB2ビットでバンク1〜2、3〜4、5〜6、7〜8と4つのグループとし図10(c)に示すように、グループ毎にリフレッシュする。
オートリフレッシュの場合はこのグループ単位にリフレッシュを実施する。データがストアされたバンクと対応するパリティー層のバンクは同じグループ内とする。その他のリフレッシュにおいても同様に適用できる。また各メモリコア層のパワーダウン状態はIFチップ4からの信号により設定及び解除される。パワーダウン状態におけるセルフリフレッシュの場合は、IFチップ4が全層制御する。
本実施例においては、IFチップにリフレッシュカウンタを設け、グループ化したバンクをリフレッシュする。バンクの選択はバンクアドレスにより自由に選択できることから、リフレッシュカウンタにより自動的にリフレッシュできる積層メモリが得られる。
以上本願発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能であり、本願に含まれることはいうまでもない。
本発明の積層メモリの全体構成図である。 非パリティー動作、パリティー動作による積層メモリのバンク構成の説明図である。 パリティー動作における積層メモリの8バンク、16バンク構成の説明図である。 積層メモリにおけるバンク選択、層選択のアドレス割付図である。 従来法におけるバンク構成図である。 8バンク構成における層及びバンクを指定するアドレス割付図(A)、そのバンク構成図(B)である。 16バンク構成における層及びバンクを指定するアドレス割付図(A)、そのバンク構成図(B)である。 プログラマブルアドレスデコーダによるマット選択方式のブロック図(A),プログラマブルアドレスデコーダ6の回路図(B)、論理表(C)である。 比較回路によるマット選択方法のブロック図(A)、比較回路の回路図(B)である。 リフレッシュ制御方式を説明するための積層メモリの構成図(A),カウンター2系列におけるバンク構成図(B)、カウンター4系列におけるバンク構成図(C)である。
符号の説明
1 半導体メモリ
2 外部端子(インターポーザ)
3 メモリコア層
3−1 メモリコア層(パリティー層)
4 入出力回路(IFチップ)
5 貫通電極
6 プログラマブルアドレスデコーダ
7 セレクタ
8 エクスクルーシブOR回路
9、12 AND回路
10 比較回路
11 エクスクルーシブNOR回路
A バンクアドレス無効信号
B バンクアドレス
C バンクアドレス反転信号
D マット活性化信号
E 層アドレス信号
F 層選択アドレス信号
G マット選択信号
N1,N2、N3 節点

Claims (18)

  1. 複数の貫通電極を有する複数のメモリコア層と、
    複数の電極を有するインタフェースチップと、を備え、
    積層された各層の接続はそれぞれの層を接続する貫通電極により行われ
    前記複数のメモリコア層のそれぞれは、それぞれが複数のメモリセルを有する複数のメモリバンクを含み、
    前記インタフェースチップは、バンクアドレス情報を生成し、前記複数のメモリコア層の複数のバンクに共通する前記バンクアドレス情報を、個々のメモリコア層に属するメモリバンクを指定するために前記複数の貫通電極を介して前記複数のメモリコア層に出力し、
    前記インタフェースチップはさらに、ロウアドレス情報を生成し、前記複数のメモリコア層に共通する前記ロウアドレス情報を前記複数の貫通電極を介して出力し、前記ロウアドレス情報は、上位側ビットと下位側ビットと、前記上位側ビットに属し、前記複数のメモリコア層の1つを選択するために層選択情報として割り付けられた1以上のビットと、を有し、よって、前記複数のメモリコア層のうち少なくとも2つのメモリコア層がそれぞれ有する複数のバンクのそれぞれは、前記バンクアドレス情報及び前記層選択情報で定義された同一のバンク番号が付与され、
    前記インタフェースチップは前記バンクアドレス情報および前記層選択情報によって指定された前記複数のメモリバンクに含まれ、前記ロウアドレス情報の前記上位側ビットに属する前記1以上のビットで選択された前記複数のメモリコア層の1つのメモリコア層に属するメモリバンクを指定する、ことを特徴とする積層メモリ。
  2. 前記複数のメモリコア層は、互いに同じ数のメモリコア層を含み、各々が少なくとも前記複数のメモリコア層の1つ以上を含む複数のグループに割り当てられ、
    前記ロウアドレス情報の前記上位側ビットは複数のビットを含み、
    前記インタフェースチップは、前記層選択情報の一部である前記ロウアドレス情報の上位側ビットの一部を前記バンクアドレス情報の一部として割り付け、
    前記インタフェースチップは、前記バンクアドレス情報の一部によって指定された前記複数のグループのうち、1つのグループに含まれる複数のメモリバンクの1つを選択し、
    前記インタフェースチップは、さらに、前記層選択情報の残りの一部である前記ロウアドレス情報の上位側ビットの残りの部分によって前記複数のグループの1つを選択する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。
  3. 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、前記パリティ層と前記複数のメモリコア層は互いに積層され、
    積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され
    前記パリティ層は、各々が複数のメモリセルを有する複数のメモリバンクを有し、
    前記インタフェースチップは、前記複数のメモリコア層と前記パリティ層にそれぞれ含まれる複数のメモリバンクを指定するための、前記複数のメモリコア層とパリティ層に共通した前記バンクアドレス情報を、前記貫通電極を介して出力し、
    前記パリティ層は、前記バンクアドレス情報の一部を反転し、かつ、前記複数のメモリコア層が選択したメモリバンクとは異なる前記パリティ層が含む複数のメモリバンクから1つのメモリバンクを選択し、
    前記パリティ層の1つのメモリバンクは、前記バンクアドレス情報の一部を反転した情報を含むバンクアドレス情報によって指定され、
    前記パリティ層は、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットによらず、選択された前記複数のメモリコア層の1つの動作と共に動作する、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。
  4. 前記パリティ層の前記複数のメモリバンクのそれぞれは複数のサブマットを有し、前記複数のサブマットは前記ロウアドレス情報の上位側ビットに割り付けられる、ことを特徴とする請求項3に記載の積層メモリ。
  5. 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、さらに、前記バンクアドレス情報が指定する前記複数のメモリバンクの組み合わせを選択するプログラマブルアドレスデコーダを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。
  6. 前記プログラマブルアドレスデコーダは、
    第1および第2の入力ノードを有するセレクタと、第3および第4の入力ノードを有する論理ゲートと、を有し、
    前記バンクアドレス情報が前記第1の入力ノードに入力され、
    前記バンクアドレス情報を無効にするアドレス無効信号が前記第2の入力ノードに入力され、
    前記バンクアドレス情報が前記第3の入力ノードに入力され、
    前記セレクタの出力ノードが前記第4の入力ノードに接続される、ことを特徴とする請求項5に記載の積層メモリ。
  7. 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、
    前記複数のメモリコア層をそれぞれ定義する層アドレス情報と、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットと、を比較する比較回路を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。
  8. 前記比較回路は、
    第1の論理ゲートと第2の論理ゲートを有し、
    前記第1の論理ゲートは、前記層アドレス情報と前記上位側ビットを比較し、
    前記第2の論理ゲートには、前記複数のメモリバンクの1つを選択するマット選択信号と、前記第1の論理ゲートの出力ノードの信号と、が供給される、ことを特徴とする請求項7に記載の積層メモリ。
  9. 前記インタフェースチップはさらに、複数のリフレッシュカウンタを有し、
    前記複数のメモリコア層がそれぞれ含む複数のメモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応する複数のリフレッシュグループによって定義され、
    前記複数のリフレッシュグループの個々のリフレッシュは、前記複数のリフレッシュカウンタによってそれぞれ制御される、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。
  10. 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、
    積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され
    前記パリティ層は、複数のメモリバンクを有し、
    前記パリティ層の複数のメモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応する複数のリフレッシュグループによって定義され、
    前記パリティ層の複数のリフレッシュグループは、前記複数のメモリコア層の複数のリフレッシュグループにそれぞれ対応する、ことを特徴とする請求項9記載の積層メモリ。
  11. 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、
    積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され
    前記パリティ層は、前記複数のメモリコア層の1つが有する前記複数の貫通電極にそれぞれ接続された複数の貫通電極を有し、
    前記パリティ層は、さらに、各々が複数のメモリセルを有する複数のメモリバンクを有し、
    前記インタフェースチップは、前記複数のメモリコア層と前記パリティ層にそれぞれ含まれる複数のメモリバンクを指定するための、前記複数のメモリコア層とパリティ層に共通する前記バンクアドレス情報を前記貫通電極を介して出力し、
    前記パリティ層は、前記バンクアドレス情報の一部を反転し、かつ、前記複数のメモリコア層が選択したメモリバンクとは異なる前記パリティ層が含む複数のメモリバンクから1つのメモリバンクを選択し、
    前記パリティ層の1つのメモリバンクは、前記バンクアドレス情報の一部を反転した情報を含むバンクアドレス情報によって指定され、
    前記パリティ層は、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットによらず、選択された前記複数のメモリコア層の1つの動作と共に動作する、ことを特徴とする請求項2に記載の積層メモリ。
  12. 前記パリティ層の前記複数のメモリバンクのそれぞれは複数のサブマットを有し、前記複数のサブマットは前記ロウアドレス情報の上位側ビットに割り付けられる、ことを特徴とする請求項11に記載の積層メモリ。
  13. 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、さらに、前記バンクアドレス情報が指定する前記複数のメモリバンクの組み合わせを選択するプログラマブルアドレスデコーダを有する、ことを特徴とする請求項2記載の積層メモリ。
  14. 前記プログラマブルアドレスデコーダは、
    第1および第2の入力ノードを有するセレクタと、第3および第4の入力ノードを有する論理ゲートを有し、
    前記バンクアドレス情報が前記第1の入力ノードに入力され、
    前記バンクアドレス情報を無効にするアドレス無効信号が前記第2の入力ノードに入力され、
    前記バンクアドレス情報が前記第3の入力ノードに入力され、
    前記セレクタの出力ノードが前記第4の入力ノードに接続される、ことを特徴とする請求項13記載の積層メモリ。
  15. 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、
    前記複数のメモリコア層をそれぞれ定義する層アドレス情報と、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットと、を比較する比較回路を有する、ことを特徴とする請求項2記載の積層メモリ。
  16. 前記比較回路は、第1の論理ゲートと第2の論理ゲートを有し、
    前記第1の論理ゲートは前記上位側ビットと前記層アドレス情報とを比較し、
    前記第2の論理ゲートには、前記複数のメモリバンクの1つを選択するマット選択信号と、前記第1の論理ゲートの出力信号と、が入力される、ことを特徴とする請求項15記載の積層メモリ。
  17. 前記インタフェースチップは複数のリフレッシュカウンタを有し、
    前記複数のメモリコア層がそれぞれ含む複数のメモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応する複数のリフレッシュグループによって定義され、
    前記複数のリフレッシュグループの個々のリフレッシュは、前記複数のリフレッシュカウンタによってそれぞれ制御される、ことを特徴とする請求項2記載の積層メモリ。
  18. 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、
    積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され
    前記パリティ層は複数のメモリバンクを有し、
    前記パリティ層の複数メモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応した複数のリフレッシュグループによって定義され、
    前記パリティ層の複数のリフレッシュグループは、前記複数のメモリコア層の複数のリフレッシュグループにそれぞれ対応する、ことを特徴とする請求項17記載の積層メモリ。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070014168A1 (en) * 2005-06-24 2007-01-18 Rajan Suresh N Method and circuit for configuring memory core integrated circuit dies with memory interface integrated circuit dies
US8619452B2 (en) * 2005-09-02 2013-12-31 Google Inc. Methods and apparatus of stacking DRAMs
JP4828251B2 (ja) * 2006-02-22 2011-11-30 エルピーダメモリ株式会社 積層型半導体記憶装置及びその制御方法
JP4245180B2 (ja) 2006-10-30 2009-03-25 エルピーダメモリ株式会社 積層メモリ
KR100909968B1 (ko) * 2007-06-12 2009-07-29 삼성전자주식회사 구동방식을 개선한 입체 구조의 플래시 메모리 장치 및 그구동방법
KR101448150B1 (ko) * 2007-10-04 2014-10-08 삼성전자주식회사 메모리 칩이 적층된 멀티 칩 패키지 메모리, 메모리 칩의적층 방법 및 멀티 칩 패키지 메모리의 동작 제어 방법
KR101330710B1 (ko) * 2007-11-01 2013-11-19 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치
US9229887B2 (en) 2008-02-19 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Memory device with network on chip methods, apparatus, and systems
CN101236780B (zh) * 2008-02-26 2012-07-04 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 三维立体结构相变存储器芯片的电路及实现方法
US8521979B2 (en) 2008-05-29 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Memory systems and methods for controlling the timing of receiving read data
US8289760B2 (en) * 2008-07-02 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes
US8756486B2 (en) * 2008-07-02 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices
US7855931B2 (en) 2008-07-21 2010-12-21 Micron Technology, Inc. Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system
US7978721B2 (en) 2008-07-02 2011-07-12 Micron Technology Inc. Multi-serial interface stacked-die memory architecture
US8127204B2 (en) 2008-08-15 2012-02-28 Micron Technology, Inc. Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system
US8086913B2 (en) 2008-09-11 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Methods, apparatus, and systems to repair memory
KR101635504B1 (ko) * 2009-06-19 2016-07-04 삼성전자주식회사 3차원 수직 채널 구조를 갖는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
EP2478521A2 (en) * 2009-09-16 2012-07-25 Rambus Inc. Configurable memory banks of a memory device
JP5448697B2 (ja) * 2009-10-09 2014-03-19 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体記憶装置及びデータ処理システム
US8327225B2 (en) * 2010-01-04 2012-12-04 Micron Technology, Inc. Error correction in a stacked memory
US9123552B2 (en) 2010-03-30 2015-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatuses enabling concurrent communication between an interface die and a plurality of dice stacks, interleaved conductive paths in stacked devices, and methods for forming and operating the same
CN102439718B (zh) * 2010-06-25 2015-07-01 新普力科技有限公司 数据存储装置
WO2011160311A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Biwin Technology Limited Memory device
KR101175248B1 (ko) * 2010-07-08 2012-08-21 에스케이하이닉스 주식회사 다수의 적층된 칩의 리프레쉬 동작을 제어하는 시스템, 반도체 장치 및 방법
US8400808B2 (en) 2010-12-16 2013-03-19 Micron Technology, Inc. Phase interpolators and push-pull buffers
JP5647014B2 (ja) * 2011-01-17 2014-12-24 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置
TWI473105B (zh) * 2011-01-18 2015-02-11 Macronix Int Co Ltd 具有錯誤自動檢查與更正位元之三維記憶體結構
JP5684590B2 (ja) * 2011-01-28 2015-03-11 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置
JP5710992B2 (ja) * 2011-01-28 2015-04-30 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置
JPWO2012124063A1 (ja) * 2011-03-15 2014-07-17 富士通株式会社 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法
JP5932236B2 (ja) 2011-04-13 2016-06-08 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置及びシステム
JP5617776B2 (ja) * 2011-06-27 2014-11-05 株式会社デンソー メモリ回路,メモリ装置及びメモリデータの誤り訂正方法
JP5992713B2 (ja) * 2012-03-30 2016-09-14 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント メモリシステム、その制御方法及び情報処理装置
US9171597B2 (en) 2013-08-30 2015-10-27 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for providing strobe signals to memories
WO2015171905A1 (en) 2014-05-08 2015-11-12 Micron Technology, Inc. In-memory lightweight coherency
CN104851452B (zh) * 2015-05-06 2017-09-29 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种基于功耗控制的存储体片上集成结构及其控制方法
US10318378B2 (en) * 2016-02-25 2019-06-11 Micron Technology, Inc Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array
US10141041B1 (en) * 2017-11-01 2018-11-27 Micron Technology, Inc. Systems and methods for maintaining refresh operations of memory banks using a shared
US10700028B2 (en) 2018-02-09 2020-06-30 Sandisk Technologies Llc Vertical chip interposer and method of making a chip assembly containing the vertical chip interposer
WO2020170069A1 (ja) 2019-02-22 2020-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 エラー検出機能を有する記憶装置、半導体装置、および、電子機器
US10879260B2 (en) 2019-02-28 2020-12-29 Sandisk Technologies Llc Bonded assembly of a support die and plural memory dies containing laterally shifted vertical interconnections and methods for making the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5052001A (en) * 1989-11-22 1991-09-24 Unisys Corporation Multiple memory bank parity checking system
KR950008789B1 (ko) * 1992-07-30 1995-08-08 삼성전자주식회사 멀티-이씨씨(ecc)회로를 내장하는 반도체 메모리 장치
JPH09265774A (ja) 1996-01-24 1997-10-07 Hitachi Ltd 積層メモリモジュール基板およびその基板へのアクセス方式
JPH10247384A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
JP3938298B2 (ja) * 2001-11-22 2007-06-27 富士通株式会社 パリティセルアレイを有するメモリ回路
US6754124B2 (en) * 2002-06-11 2004-06-22 Micron Technology, Inc. Hybrid MRAM array structure and operation
US7402897B2 (en) * 2002-08-08 2008-07-22 Elm Technology Corporation Vertical system integration
JP4419049B2 (ja) * 2003-04-21 2010-02-24 エルピーダメモリ株式会社 メモリモジュール及びメモリシステム
JP3896112B2 (ja) * 2003-12-25 2007-03-22 エルピーダメモリ株式会社 半導体集積回路装置
US8089795B2 (en) * 2006-02-09 2012-01-03 Google Inc. Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities
US8619452B2 (en) * 2005-09-02 2013-12-31 Google Inc. Methods and apparatus of stacking DRAMs

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