JP4790386B2 - 積層メモリ - Google Patents
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Description
2 外部端子(インターポーザ)
3 メモリコア層
3−1 メモリコア層(パリティー層)
4 入出力回路(IFチップ)
5 貫通電極
6 プログラマブルアドレスデコーダ
7 セレクタ
8 エクスクルーシブOR回路
9、12 AND回路
10 比較回路
11 エクスクルーシブNOR回路
A バンクアドレス無効信号
B バンクアドレス
C バンクアドレス反転信号
D マット活性化信号
E 層アドレス信号
F 層選択アドレス信号
G マット選択信号
N1,N2、N3 節点
Claims (18)
- 複数の貫通電極を有する複数のメモリコア層と、
複数の電極を有するインタフェースチップと、を備え、
積層された各層の接続はそれぞれの層を接続する貫通電極により行われ、
前記複数のメモリコア層のそれぞれは、それぞれが複数のメモリセルを有する複数のメモリバンクを含み、
前記インタフェースチップは、バンクアドレス情報を生成し、前記複数のメモリコア層の複数のバンクに共通する前記バンクアドレス情報を、個々のメモリコア層に属するメモリバンクを指定するために前記複数の貫通電極を介して前記複数のメモリコア層に出力し、
前記インタフェースチップはさらに、ロウアドレス情報を生成し、前記複数のメモリコア層に共通する前記ロウアドレス情報を前記複数の貫通電極を介して出力し、前記ロウアドレス情報は、上位側ビットと下位側ビットと、前記上位側ビットに属し、前記複数のメモリコア層の1つを選択するために層選択情報として割り付けられた1以上のビットと、を有し、よって、前記複数のメモリコア層のうち少なくとも2つのメモリコア層がそれぞれ有する複数のバンクのそれぞれは、前記バンクアドレス情報及び前記層選択情報で定義された同一のバンク番号が付与され、
前記インタフェースチップは、前記バンクアドレス情報および前記層選択情報によって指定された前記複数のメモリバンクに含まれ、前記ロウアドレス情報の前記上位側ビットに属する前記1以上のビットで選択された前記複数のメモリコア層の1つのメモリコア層に属するメモリバンクを指定する、ことを特徴とする積層メモリ。 - 前記複数のメモリコア層は、互いに同じ数のメモリコア層を含み、各々が少なくとも前記複数のメモリコア層の1つ以上を含む複数のグループに割り当てられ、
前記ロウアドレス情報の前記上位側ビットは複数のビットを含み、
前記インタフェースチップは、前記層選択情報の一部である前記ロウアドレス情報の上位側ビットの一部を前記バンクアドレス情報の一部として割り付け、
前記インタフェースチップは、前記バンクアドレス情報の一部によって指定された前記複数のグループのうち、1つのグループに含まれる複数のメモリバンクの1つを選択し、
前記インタフェースチップは、さらに、前記層選択情報の残りの一部である前記ロウアドレス情報の上位側ビットの残りの部分によって前記複数のグループの1つを選択する、
ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。 - 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、前記パリティ層と前記複数のメモリコア層は互いに積層され、
積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され、
前記パリティ層は、各々が複数のメモリセルを有する複数のメモリバンクを有し、
前記インタフェースチップは、前記複数のメモリコア層と前記パリティ層にそれぞれ含まれる複数のメモリバンクを指定するための、前記複数のメモリコア層とパリティ層に共通した前記バンクアドレス情報を、前記貫通電極を介して出力し、
前記パリティ層は、前記バンクアドレス情報の一部を反転し、かつ、前記複数のメモリコア層が選択したメモリバンクとは異なる前記パリティ層が含む複数のメモリバンクから1つのメモリバンクを選択し、
前記パリティ層の1つのメモリバンクは、前記バンクアドレス情報の一部を反転した情報を含むバンクアドレス情報によって指定され、
前記パリティ層は、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットによらず、選択された前記複数のメモリコア層の1つの動作と共に動作する、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。 - 前記パリティ層の前記複数のメモリバンクのそれぞれは複数のサブマットを有し、前記複数のサブマットは前記ロウアドレス情報の上位側ビットに割り付けられる、ことを特徴とする請求項3に記載の積層メモリ。
- 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、さらに、前記バンクアドレス情報が指定する前記複数のメモリバンクの組み合わせを選択するプログラマブルアドレスデコーダを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。
- 前記プログラマブルアドレスデコーダは、
第1および第2の入力ノードを有するセレクタと、第3および第4の入力ノードを有する論理ゲートと、を有し、
前記バンクアドレス情報が前記第1の入力ノードに入力され、
前記バンクアドレス情報を無効にするアドレス無効信号が前記第2の入力ノードに入力され、
前記バンクアドレス情報が前記第3の入力ノードに入力され、
前記セレクタの出力ノードが前記第4の入力ノードに接続される、ことを特徴とする請求項5に記載の積層メモリ。 - 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、
前記複数のメモリコア層をそれぞれ定義する層アドレス情報と、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットと、を比較する比較回路を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。 - 前記比較回路は、
第1の論理ゲートと第2の論理ゲートを有し、
前記第1の論理ゲートは、前記層アドレス情報と前記上位側ビットを比較し、
前記第2の論理ゲートには、前記複数のメモリバンクの1つを選択するマット選択信号と、前記第1の論理ゲートの出力ノードの信号と、が供給される、ことを特徴とする請求項7に記載の積層メモリ。 - 前記インタフェースチップはさらに、複数のリフレッシュカウンタを有し、
前記複数のメモリコア層がそれぞれ含む複数のメモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応する複数のリフレッシュグループによって定義され、
前記複数のリフレッシュグループの個々のリフレッシュは、前記複数のリフレッシュカウンタによってそれぞれ制御される、ことを特徴とする請求項1に記載の積層メモリ。 - 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、
積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され、
前記パリティ層は、複数のメモリバンクを有し、
前記パリティ層の複数のメモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応する複数のリフレッシュグループによって定義され、
前記パリティ層の複数のリフレッシュグループは、前記複数のメモリコア層の複数のリフレッシュグループにそれぞれ対応する、ことを特徴とする請求項9記載の積層メモリ。 - 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、
積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され、
前記パリティ層は、前記複数のメモリコア層の1つが有する前記複数の貫通電極にそれぞれ接続された複数の貫通電極を有し、
前記パリティ層は、さらに、各々が複数のメモリセルを有する複数のメモリバンクを有し、
前記インタフェースチップは、前記複数のメモリコア層と前記パリティ層にそれぞれ含まれる複数のメモリバンクを指定するための、前記複数のメモリコア層とパリティ層に共通する前記バンクアドレス情報を、前記貫通電極を介して出力し、
前記パリティ層は、前記バンクアドレス情報の一部を反転し、かつ、前記複数のメモリコア層が選択したメモリバンクとは異なる前記パリティ層が含む複数のメモリバンクから1つのメモリバンクを選択し、
前記パリティ層の1つのメモリバンクは、前記バンクアドレス情報の一部を反転した情報を含むバンクアドレス情報によって指定され、
前記パリティ層は、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットによらず、選択された前記複数のメモリコア層の1つの動作と共に動作する、ことを特徴とする請求項2に記載の積層メモリ。 - 前記パリティ層の前記複数のメモリバンクのそれぞれは複数のサブマットを有し、前記複数のサブマットは前記ロウアドレス情報の上位側ビットに割り付けられる、ことを特徴とする請求項11に記載の積層メモリ。
- 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、さらに、前記バンクアドレス情報が指定する前記複数のメモリバンクの組み合わせを選択するプログラマブルアドレスデコーダを有する、ことを特徴とする請求項2記載の積層メモリ。
- 前記プログラマブルアドレスデコーダは、
第1および第2の入力ノードを有するセレクタと、第3および第4の入力ノードを有する論理ゲートを有し、
前記バンクアドレス情報が前記第1の入力ノードに入力され、
前記バンクアドレス情報を無効にするアドレス無効信号が前記第2の入力ノードに入力され、
前記バンクアドレス情報が前記第3の入力ノードに入力され、
前記セレクタの出力ノードが前記第4の入力ノードに接続される、ことを特徴とする請求項13記載の積層メモリ。 - 前記複数のメモリコア層のそれぞれは、
前記複数のメモリコア層をそれぞれ定義する層アドレス情報と、前記層選択情報である前記ロウアドレス情報の上位側ビットと、を比較する比較回路を有する、ことを特徴とする請求項2記載の積層メモリ。 - 前記比較回路は、第1の論理ゲートと第2の論理ゲートを有し、
前記第1の論理ゲートは前記上位側ビットと前記層アドレス情報とを比較し、
前記第2の論理ゲートには、前記複数のメモリバンクの1つを選択するマット選択信号と、前記第1の論理ゲートの出力信号と、が入力される、ことを特徴とする請求項15記載の積層メモリ。 - 前記インタフェースチップは複数のリフレッシュカウンタを有し、
前記複数のメモリコア層がそれぞれ含む複数のメモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応する複数のリフレッシュグループによって定義され、
前記複数のリフレッシュグループの個々のリフレッシュは、前記複数のリフレッシュカウンタによってそれぞれ制御される、ことを特徴とする請求項2記載の積層メモリ。 - 前記複数のメモリコア層の1つと同じ構造を有するパリティ層をさらに有し、
積層された前記パリティ層と前記複数のメモリコア層はそれぞれの層を貫通する貫通電極により接続され、
前記パリティ層は複数のメモリバンクを有し、
前記パリティ層の複数メモリバンクは、前記複数のリフレッシュカウンタの数に対応した複数のリフレッシュグループによって定義され、
前記パリティ層の複数のリフレッシュグループは、前記複数のメモリコア層の複数のリフレッシュグループにそれぞれ対応する、ことを特徴とする請求項17記載の積層メモリ。
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