JP5932236B2 - 半導体装置及びシステム - Google Patents
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Description
本発明を適用した第1実施形態の半導体装置について説明する。図1は、第1実施形態において1チップで構成された半導体装置100の概念図を例示している。図1に示す半導体装置100は、例えば、揮発性の記憶機能を有する4個のDRAM(Dynamic Random Access Memory)10を1つのチップ(半導体チップ;単にチップと呼ぶ)上に配置して構成され、いわゆるワイドIODRAMと呼ばれている。半導体装置100内の各々のDRAM10は、データ及びコマンド並びにアドレスをそれぞれ送受信する複数の端子を含む端子群を有するインターフェース10aを備えて構成される。各々のインターフェース10aはチャネルと呼ばれている。図1では、4個のDRAM10(本発明の複数の記憶領域)をそれぞれチャネル(0、1、2、3)と表記している(以下、チャネル0〜3のDRAM10をそれぞれ単にチャネル0〜3と呼ぶ場合がある)。それぞれのDRAM10は、対応する後述の制御回路の制御により、例えば、リード動作、ライト動作、リフレッシュ動作などの各種動作を独立に制御することができる。例えば、チャネル0はセルフリフレッシュモードであり、チャネル1はリードモードであり、チャネル2はライトモードであり、チャネル3はアイドルモード(スタンバイモード)であるという様に、各チャネルは、それぞれ独立且つ非同期に動作することができる。
以下、本発明を適用した第2実施形態の半導体装置について説明する。第2実施形態の半導体装置は、第1実施形態の半導体装置100(図1)を含むチップを積層した構造の積層型半導体装置である。図9は、第2実施形態の半導体装置200の模式的な断面構造図であり、図10は、図9の半導体装置200の接続関係を示す概念図である。
以下、本発明尾半導体装置を含む情報処理システムに対して本発明を適用する場合を説明する。図13は、図1に示す半導体装置100と、この半導体装置100の動作を制御するコントローラ300とを含む処理システムの構成例を示している。コントローラ300は、半導体装置100の各チャネル0〜3のDRAM10をそれぞれ制御するためのコマンドCMD0〜CMD3を出力する。また、コントローラ300と半導体装置100の各DRAM10は、各チャネルのインターフェース10aを介してデータD0〜D3をそれぞれ送受信する。コントローラ300のコマンドCMD0〜CMD3に基づき、各チャネル0〜3のDRAM10は、互いに非同期かつ独立にアクセスすることができる。例えば、それぞれのDRAM10においては、コマンドCMD0〜CMD3及びデータD0〜D3に応じて、リード動作、ライト動作、アイドル状態、セルフリフレッシュ動作等の制御が行われる。一方、コントローラ300は、半導体装置100の各DRAM10に対して、例えば、ディープパワーダウン機能を同時に制御する。
互いに複数の貫通電極で電気的に接続され、互いに積層される第1のチップ及び前記第1のチップを制御するコントローラチップを備え、
前記第1のチップは、
互いに独立に動作する複数の記憶領域と、
前記複数の記憶領域のセルフリフレッシュ動作を、それぞれ独立且つ非同期に制御する複数の制御回路と、
前記セルフリフレッシュに関連し、第1の周期を有するオシレータ信号を出力するオシレータと、
前記オシレータ信号に基づいて、前記第1の周期より長い第2の周期を有するとともに、活性化タイミングが互いに異なる複数のリフレッシュ起動信号を生成するリフレッシュ起動信号生成回路と、
を備え、
前記複数の制御回路のうち前記コントローラチップから前記セルフリフレッシュ動作に関連するセルフリフレッシュ要求を受けた制御回路に対応する記憶領域は、前記複数のリフレッシュ起動信号のうち対応するリフレッシュ起動信号の活性化タイミングに応答してリフレッシュされ、
前記コントローラチップは、前記複数の制御回路へそれぞれ独立且つ非同期に前記セルフリフレッシュ要求に関連するセルフリフレッシュコマンドを供給する、
ことを特徴とするシステム。
前記複数の制御回路は、更に、前記複数の記憶領域のオートリフレッシュ動作を、それぞれ独立且つ非同期に制御する、ことを特徴とする付記1に記載のシステム。
更に、前記複数の記憶領域のセルフリフレッシュ動作をそれぞれ外部から指示する前記セルフリフレッシュコマンドを認識し、それぞれ対応する前記複数の制御回路を制御する複数のコマンド認識回路を備える、ことを特徴とする付記1または2に記載のシステム。
更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記セルフリフレッシュコマンドを受領する複数のコマンド端子を備え、
前記コントローラチップは、前記複数のコマンド端子と前記複数の貫通電極で接続される、ことを特徴とする付記3に記載のシステム。
更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記複数の記憶領域のデータを、外部と通信する、それぞれ互いに独立且つ非同期に入出力する複数のデータ端子を備え、
前記コントローラチップは、前記複数のデータ端子と前記複数の貫通電極で接続される、ことを特徴とする付記4に記載のシステム。
更に、前記複数の記憶領域のセルフリフレッシュ動作をそれぞれ外部から指示する前記セルフリフレッシュコマンド、及び前記複数の記憶領域のオートリフレッシュ動作をそれぞれ外部から指示するオートリフレッシュコマンドを、それぞれ認識し、それぞれ対応する前記複数の制御回路を制御する複数のコマンド認識回路を備える、ことを特徴とする付記2に記載のシステム。
更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記複数の記憶領域のデータを、それぞれ互いに独立且つ非同期に外部と入出力する複数のデータ端子を備え、
前記コントローラチップは、前記複数のデータ端子と前記複数の貫通電極で接続される、ことを特徴とする6のいずれか一項に記載のシステム。
更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記入出力に関連する動作をそれぞれ外部から指示するリードコマンド及びライトコマンドを認識し、それぞれ対応する前記複数の制御回路を制御する複数のコマンド認識回路を備え、
前記コントローラチップは、前記複数の制御回路へそれぞれ独立且つ非同期に前記リードコマンド及び前記ライトコマンドを供給する、ことを特徴とする付記7に記載のシステム。
前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記オートリフレッシュコマンド、前記リードコマンド及び前記ライトコマンドを受領する複数のコマンド端子を備え、
前記コントローラチップは、前記複数のコマンド端子と前記複数の貫通電極で接続される、ことを特徴とする付記8に記載のシステム。
前記リフレッシュ起動信号生成回路は、
前記オシレータ信号を分周して周期が異なる複数の分周信号を出力する分周回路と、
前記複数の分周信号をデコードして前記複数のリフレッシュ起動信号を出力するデコーダと、
を備える、ことを特徴とする付記1乃至9のいずれか一項に記載のシステム。
前記分周回路は、縦続接続されたN(Nは2以上の整数)個の2分周回路を含み、前記第2の周期は、前記第1の周期の2N倍の周期である、ことを特徴とする付記10に記載のシステム。
前記複数のリフレッシュ起動信号のそれぞれの周期は、同一の周期である、ことを特徴とする付記1乃至11のいずれか一項に記載のシステム。
前記複数のリフレッシュ起動信号の活性化タイミングは、互いに前記第1の周期だけずれている、ことを特徴とする付記1乃至12のいずれか一項に記載のシステム。
前記複数の記憶領域と、前記複数の制御回路と、前記リフレッシュ起動信号生成回路とは、1つのチップ上に構成されている、ことを特徴とする付記1乃至13のいずれか一項に記載のシステム。
前記システムは、更に、前記第1のチップと同一構成の第2のチップを含み、
前記第1及び第2並びに前記コントローラチップは、前記複数の貫通電極で接続され、互いに積層され、
前記第1及び第2のチップの各々は、
前記複数の記憶領域、前記複数の制御回路、前記オシレータ、及び前記リフレッシュ起動信号生成回路を含み、
前記第1のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、更に、
前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と、前記第2のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と異なる位相である第2の信号と、のいずれか一方を選択された第1のオシレータ信号として選択する第1のマルチプレクサを含み、
前記第1のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、前記オシレータ信号に代えて前記選択された第1のオシレータ信号に基づいて、前記複数のリフレッシュ起動信号を生成し、
前記第2のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、更に、
前記第2のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と、前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と異なる位相である第2の信号と、のいずれか他方を選択された第2のオシレータ信号として選択する第2のマルチプレクサを含み、
前記第2のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、前記オシレータ信号に代えて前記選択された第2のオシレータ信号に基づいて、前記複数のリフレッシュ起動信号を生成し、
前記第1のチップの前記第2の信号と前記第2のチップの前記第2の信号は、それぞれ対応する前記複数の貫通電極を介して、それぞれ対応する第1及び第2のマルチプレクサに供給される、
ことを特徴とする付記1乃至14のいずれか一項にシステム。
前記第1のマルチプレクサは、前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する前記第1の信号を選択し、
前記第2のマルチプレクサは、前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する前記第2の信号を選択する、
ことを特徴とする付記15に記載のシステム。
前記第1及び第2のチップは、更に、
前記第1及び第2のマルチプレクサの選択動作にそれぞれ関連する選択情報を第1及び第2の選択情報としてそれぞれ保持する第1及び第2の情報保持部を備える、ことを特徴とする付記15または16に記載のシステム。
前記第1及び第2の選択情報は、更に、それぞれ対応する前記オシレータの活性及び非活性を制御する、ことを特徴とする付記17に記載のシステム。
前記第1の選択情報は、前記第1のチップの前記オシレータを活性に制御し、
前記第2の選択情報は、前記第2のチップの前記オシレータを非活性に制御する、
ことを特徴とする付記18に記載のシステム。
前記第1及び第2の情報保持部のそれぞれは、ヒューズ素子または外部から供給される前記選択情報を保持するレジスタにより構成される、ことを特徴とする付記17乃至19のいずれか一項に記載のシステム。
11…メモリセルアレイ
12…ロウデコーダ
13…センスアンプ列
14…カラムデコーダ
20…クロック生成回路
21…コマンドデコーダ
22…制御ロジック部
23…モードレジスタ
24…ロウアドレスバッファ
25…リフレッシュカウンタ
26…カラムアドレスバッファ
27…データ制御回路
28…データラッチ回路
29…DLL
30…I/Oバッファ
40…リフレッシュ起動制御回路
41…オシレータ
42…リフレッシュ起動信号生成回路
50、51、52…2分周回路
53…デコーダ
60…マルチプレクサ(MUX)
61…インバータ
62…ヒューズ
100、200…半導体装置
300…コントローラ
SRE…セルフリフレッシュエントリ信号
RS…リフレッシュ起動信号
N0…オシレータ信号
N2、N3、N4…分周信号
Claims (21)
- 互いに独立に動作する複数の記憶領域と、
前記複数の記憶領域のセルフリフレッシュ動作を、それぞれ独立且つ非同期に制御する複数の制御回路と、
前記セルフリフレッシュに関連し、第1の周期を有するオシレータ信号を出力するオシレータと、
前記オシレータ信号に基づいて、前記第1の周期より長い第2の周期を有するとともに、活性化タイミングが互いに異なる複数のリフレッシュ起動信号を生成するリフレッシュ起動信号生成回路と、
を備え、
前記リフレッシュ起動信号生成回路は、
前記オシレータ信号を分周して周期が異なる複数の分周信号を生成する分周回路と、
前記複数の分周信号の少なくとも2つをデコードして前記複数のリフレッシュ起動信号を出力するデコーダと、を備え、
前記複数の分周信号は第1、第2及び第3の信号を含み、前記第1の信号は前記オシレータ信号の前記第1の周期のM倍である第3の周期を有し、前記第2の信号は前記第1の信号の前記第3の周期のM倍である第4の周期を有し、前記第3の信号は前記第2の信号の前記第4の周期のM倍である第5の周期を有し、前記Mは1を超える整数であり、
前記複数のリフレッシュ起動信号のそれぞれは、少なくとも前記第2及び第3の信号に基づいて生成され、前記デコーダは、前記第2及び第3の信号を入力として受ける一方、前記第1の信号を受けず、
前記複数の制御回路のうち外部から前記セルフリフレッシュ動作に関連するセルフリフレッシュ要求を受けた制御回路に対応する記憶領域は、前記複数のリフレッシュ起動信号のうち対応するリフレッシュ起動信号の活性化タイミングに応答してリフレッシュされる、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記複数の制御回路は、更に、前記複数の記憶領域のオートリフレッシュ動作を、それぞれ独立且つ非同期に制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 更に、前記複数の記憶領域のセルフリフレッシュ動作をそれぞれ外部から指示するセルフリフレッシュコマンドを認識し、それぞれ対応する前記複数の制御回路を制御する複数のコマンド認識回路を備える、ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記セルフリフレッシュコマンドを受領する複数のコマンド端子を備える、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記複数の記憶領域のデータを、外部と通信する、それぞれ互いに独立且つ非同期に入出力する複数のデータ端子を備える、ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 更に、前記複数の記憶領域のセルフリフレッシュ動作をそれぞれ外部から指示するセルフリフレッシュコマンド、及び前記複数の記憶領域のオートリフレッシュ動作をそれぞれ外部から指示するオートリフレッシュコマンドを、それぞれ認識し、それぞれ対応する前記複数の制御回路を制御する複数のコマンド認識回路を備える、ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記複数の記憶領域のデータを、それぞれ互いに独立且つ非同期に外部と入出力する複数のデータ端子を備える、ことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 更に、前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記入出力に関連する動作をそれぞれ外部から指示するリードコマンド及びライトコマンドを認識し、それぞれ対応する前記複数の制御回路を制御する複数のコマンド認識回路を備える、ことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記複数の記憶領域にそれぞれ対応し、前記オートリフレッシュコマンド、前記リードコマンド及び前記ライトコマンドを受領する複数のコマンド端子を備える、ことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記分周回路は、縦続接続されたN(Nは2以上の整数)個の2分周回路を含み、前記第2の周期は、前記第1の周期の2N倍の周期である、ことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記複数のリフレッシュ起動信号のそれぞれの周期は、同一の周期である、ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記複数のリフレッシュ起動信号の活性化タイミングは、互いに前記第1の周期だけずれている、ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記複数の記憶領域と、前記複数の制御回路と、前記リフレッシュ起動信号生成回路とは、1つのチップ上に構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、互いに積層された第1及び第2のチップを含み、
前記第1及び第2のチップの各々は、
前記複数の記憶領域、前記複数の制御回路、前記オシレータ、及び前記リフレッシュ起動信号生成回路を含み、
前記第1のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、更に、
前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と、前記第2のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と異なる位相である第2の信号と、のいずれか一方を選択された第1のオシレータ信号として選択する第1のマルチプレクサを含み、
前記第1のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、前記オシレータ信号に代えて前記選択された第1のオシレータ信号に基づいて、前記複数のリフレッシュ起動信号を生成し、
前記第2のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、更に、
前記第2のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と、前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する第1の信号と異なる位相である第2の信号と、のいずれか他方を選択された第2のオシレータ信号として選択する第2のマルチプレクサを含み、
前記第2のチップの前記リフレッシュ起動信号生成回路は、前記オシレータ信号に代えて前記選択された第2のオシレータ信号に基づいて、前記複数のリフレッシュ起動信号を生成する、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に半導体装置。 - 前記第1のマルチプレクサは、前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する前記第1の信号を選択し、
前記第2のマルチプレクサは、前記第1のチップの前記オシレータ信号に関連する前記第2の信号を選択する、
ことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。 - 前記第1及び第2のチップは、更に、
前記第1及び第2のマルチプレクサの選択動作にそれぞれ関連する選択情報を第1及び第2の選択情報としてそれぞれ保持する第1及び第2の情報保持部を備える、ことを特徴とする請求項14または15に記載の半導体装置。 - 前記第1及び第2の選択情報は、更に、それぞれ対応する前記オシレータの活性及び非活性を制御する、ことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
- 前記第1の選択情報は、前記第1のチップの前記オシレータを活性に制御し、
前記第2の選択情報は、前記第2のチップの前記オシレータを非活性に制御する、
ことを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。 - 前記第1及び第2の情報保持部のそれぞれは、ヒューズ素子または外部から供給される前記選択情報を保持するレジスタにより構成される、ことを特徴とする請求項16乃至18のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 請求項1または14に記載の半導体装置と、
前記半導体装置と接続され、前記半導体装置の動作を制御するコントローラと、
を備えることを特徴とするシステム。 - 前記半導体装置と前記コントローラとが、一体的にパッケージングされたこと、を特徴とする、請求項20に記載のシステム。
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