KR910006987A - 반도체기억장치 - Google Patents

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KR910006987A
KR910006987A KR1019900015370A KR900015370A KR910006987A KR 910006987 A KR910006987 A KR 910006987A KR 1019900015370 A KR1019900015370 A KR 1019900015370A KR 900015370 A KR900015370 A KR 900015370A KR 910006987 A KR910006987 A KR 910006987A
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semiconductor memory
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마시키 오기하라
슈소 후지
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 1/4핏치방식의 DRAM에 있어서 메모리 셀 어레이의 일부 및 워드선구동계의 일부를 나타낸 회로도.

Claims (2)

1트랜지스터·1캐패시터형의 다이나믹형 메모리셀을 비트선과의 접속부가 가까운 비스선의 메모리셀접속부에 대해서 비트선길이방향으로 1/4핏치 옮겨져서 배치된 메모리셀어레이를 갖추고 있고, 행어드레스신호중 2비트의 조합에 의해 4종류로 선택되는 4개의 워드선(WL1~WL4)이 인접해서 배열된 반도체 기억장치에 있어서, 상기 2비트의 같은 조합에 의해 각각 선택되는 워드선이 4개씩 반복되면서 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
제1항에 있어서, 상기 4개의 워드선(WL1, WL4;WL2, WL3)의 일부가 입체적으로 교차되는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900015370A 1989-09-27 1990-09-27 반도체 기억장치 KR940006996B1 (ko)

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