KR850008570A - 반도체 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 1트랜지스터 1콘덴서형 다이나믹 메모리에 있어서 비트선쌍의 배치를 보여주는 회로도.
제7도는 제6도 회로의 기억동작을 설명하기 위한 파형도.
제8도는 본 발명의 다른 실시예를 보여주는 회로도.
제9도는 본 발명의 또 다른 실시예를 보여주는 회로도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
…: 비트선쌍, WLO, WLI,…: 워어드선, MCO, MCI,…: 메모리셀, SAO, SAI,…: 센스증폭기.
Claims (8)
- 각각이 2개의 인접배치된 비트선으로 구성되는 복수의 비트선쌍 및 각각이 상기 비트선 쌍중의 하나에 접속되며 각각은 각각이 접속된 대응하는 비트선쌍의 2비트선 사이의 전압차를 증폭하는 복수의 센스증폭기로 이루어지며, 상기 비트선쌍의 적어도 모든 다른 비트선쌍의 2비트선이 상기 2비트선의 적어도 1부분에서 교차하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에서 있어서, 상기 비트선쌍의 모든 다른 비트선쌍의 2비트선은 상기 2비트선의 단지 1부분에서만 교차하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에서 있어서, 상기 비트선쌍은 상기 교차부분을 제외하고 서로 평행하게 뻗어있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에서 있어서, 상기 교차부분은 상기 비트선쌍이 뻗어있는 방향의 중간부분인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에서 있어서, 더우기 복수의 워어드선과 각각이 상기 비트선중의 하나와 상기 워어드선중의 하나사이에 접속된 복수의 1트랜지스터 1콘덴서형 메모리셀을 더 포함하며, 상기 비트선쌍의 각각에 있어서 상기 메모리셀은 상기 워어드선중의 하나와 상기 각 비트선쌍의 2비트선중의 어느 하나와의 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 모든 다른 비트선쌍의 2비트선들은 상기 비트선쌍이 뻗는방향의 중간부분에서 교차하도록 이루어지며, 나머지 비트선쌍의 2비트선은 다른 부분에서 교차하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제6항에 있어서, 상기 다른 부분은 상기 비트선쌍의 상반부와 하반부인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제7항에 있어서, 상기 나머지 비트선쌍의 2비트선 또한 상기 중간부분에서 교차하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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