KR930001239A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR930001239A
KR930001239A KR1019920010893A KR920010893A KR930001239A KR 930001239 A KR930001239 A KR 930001239A KR 1019920010893 A KR1019920010893 A KR 1019920010893A KR 920010893 A KR920010893 A KR 920010893A KR 930001239 A KR930001239 A KR 930001239A
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히로야스 마끼하라
겐지 고다
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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    • H03M13/03Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
    • H03M13/05Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
    • H03M13/13Linear codes
    • H03M13/15Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes
    • H03M13/151Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes using error location or error correction polynomials

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예의 마스크 ROM의 전체구성을 표시하는 개략 블록도이고,
제2도는 제1도의 ECC의 구성을 표시하는 개략 블록도이고,
제3도는 제1도의 ECC에 있어 틀림정정때문에 사용되는 하밍행렬의 1예를 표시한다.

Claims (2)

  1. 외부에 판독되어야 할 복수의 데이터와, 상기 복수의 데이터에 따른 복수의 페리티데이터가 격납된 메모리셀어레이와, 상기 메모리셀어레이에서, 상기 외부에 판독되어야 할 복수의 데이터 및 상기 복수의 페리티데이터를 판독하는 수단과, 상기 판독수단에 의해 판독된 상기 외부에 판독되어야 할 복수의 데이터와 상기 복수의 페리티데이터에, 소정의 하밍행열에 따른 연산을 시행하여, 상기 외부에 판독되어야 할 데이터의 틀림을 정정하는 틀림정정수단을 구비하고, 상기 외부에 판독되어야 할 복수의 데이터는, 동수의 데이터를 포함하는 제1 및 제2의 그룹으로 분할되어, 상기 틀림정정수단은, 상기 판독수단에 의해 상기 메모리셀어레이에서 판독된, 상기 제1 및 제2의 그룹의 데이터와 상기 복수의 페리티데이터에 의거하여, 복수의 심드롬신호를 작성하는 심드롬신호 작성수단과, 상기 판독수단에 의해 상기 메모리셀어레이에서 판독된 상기 제1 및 제2그룹의 데이터를 순차 선택하는 그룹선택수단과, 상기 심드롬신호 작성수단에 의해 작성된 상기 심드롬신호에 의거하여, 상기 그룹선택수단의 선택동작에 동기하여, 상기 제1그룹의 데이터를 위해 정정신호와, 상기 제2그룹의 데이터를 위해 정정신호를 순차작성하는 정정신호 작성수단과, 상기 정정신호 작성수단에 의해 작성된 정정신호에 의거하여, 상기 그룹선택수단에 의해 선택된 그룹의 데이터의 틀림을 정정하는 수단을 구비한, 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 심드롬신호 작성수단은, 상기 복수의 심드롬신호의 반전신호를 더욱 작성하고, 상기 정정신호 작성수단은, 상기 복수의 심드롬신호 및 상기 반전신호중, 상기 제1그룹의 데이터를 위해 필요한 신호 및, 상기 제2그룹의 데이터를 위해 필요한 신호를 순차 선택하는 신호선택수단과, 상기 신호선택수단에 의해 선택된 신호에 응답하고 정정신호를 작성하는 작성수단을 포함하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920010893A 1991-06-24 1992-06-23 반도체 기억장치 KR950010311B1 (ko)

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