KR920015370A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR920015370A
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 한 실시예에 의한 다이내믹형 반도체기억장치의 구성을 표시하는 블럭도. 제7도는 이 발명의 한 실시예에 행어드레스 지정후의 통상의 판독사이클에서의 파이프라인처리에 있어서의 각 회로의 동작을 시간과의 관련으로 설명한 도면.

Claims (1)

  1. 행 및 열로 이루어지는 매트릭스상으로 배치된 복수의 메모리셀을 가지고 있고, 지정된 행 및 열에 대응하는 메모리셀에정보를 기록하고, 대응하는 메모리셀에 유지된 정보를 판독하는 반도체기억장치이고, 행어드레스를 입력하는 행어드레스입력수단과, 상기 입력된 행어드레스를 지정하는 행어드레서 지정수단과, 상기 입력된 행어드레스에 대한 열어드레스를연속적으로 입력하는 열어드레스 입력수단과, 상기 입력된 열어드레스의 하나를 유지하는 제1의 열어드레스 유지수단과,상기 제1의 열어드레스 유지수단에 의하여 유지된 열어드레스를 지정하는 제1의 열어드레스 지정수단과, 상기 제1의 열어드레스 유지수단에 의하여 유지된 열어드레스에 의거하여 입력된 열어드레스를 유지하는 제2의 열어드레스 유지수단과,상기 제2의 열어드레스 유지수단에 의하여 유지된 열어드레스를 지정하는 제2의 열어드레스 지정수단과, 지정된 행 및 열어드레스에 대응하는 메모리셀에 대하여 정보의 기록 또는 판독동작을 행하는 동작수단과, 상기 행어드레스 지정수단과제1의 열어드레스 지정수단에 의하여 제1의 행 및 열어드레스에 의거하여 상기 동작수단을 동작시켜, 상기 제1의 열어드레스에 의거한 상기 동작수단의 동작의 종료까지 제2의 열어드레스 유지수단을 능동화시켜, 상기 제1의 행 및 열어드레스에 의거한 동작수단의 종료후에 행어드레스 지정수단과 상기 제2의 열어드레스 지정수단에 의하여 지정된 제2의 행 및 열어드레스에 의거하여 동작수단을 동작시키는 제어수단을 구비한 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100783049B1 (ko) * 1995-05-24 2007-12-07 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체기억장치

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5530955A (en) * 1991-04-01 1996-06-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Page memory device capable of short cycle access of different pages by a plurality of data processors
JPH05266652A (ja) * 1992-03-23 1993-10-15 Hitachi Ltd パイプライン動作型メモリシステム
US5661114A (en) 1993-04-01 1997-08-26 American Superconductor Corporation Process of annealing BSCCO-2223 superconductors
JP2734957B2 (ja) * 1993-12-24 1998-04-02 日本電気株式会社 半導体記憶回路の制御方法
US5559988A (en) * 1993-12-30 1996-09-24 Intel Corporation Method and circuitry for queuing snooping, prioritizing and suspending commands
WO1996024936A1 (en) * 1995-02-10 1996-08-15 Micron Quantum Devices, Inc. Fast-sensing amplifier for flash memory
JP3268158B2 (ja) * 1995-03-31 2002-03-25 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JPH09134590A (ja) * 1995-09-04 1997-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶回路装置及びその設計装置
KR100209364B1 (ko) * 1995-10-27 1999-07-15 김영환 메모리장치
JP2904076B2 (ja) * 1995-11-10 1999-06-14 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US7681005B1 (en) * 1996-01-11 2010-03-16 Micron Technology, Inc. Asynchronously-accessible memory device with mode selection circuitry for burst or pipelined operation
JP4084428B2 (ja) * 1996-02-02 2008-04-30 富士通株式会社 半導体記憶装置
JP3192081B2 (ja) * 1996-02-28 2001-07-23 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US6295074B1 (en) 1996-03-21 2001-09-25 Hitachi, Ltd. Data processing apparatus having DRAM incorporated therein
US6504548B2 (en) 1998-09-18 2003-01-07 Hitachi, Ltd. Data processing apparatus having DRAM incorporated therein
JPH1055674A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Nec Corp 半導体記憶装置
KR100259577B1 (ko) * 1997-05-29 2000-06-15 김영환 반도체 메모리
US6151266A (en) * 1997-10-03 2000-11-21 International Business Machines Corporation Asynchronous multiport register file with self resetting write operation
US6279071B1 (en) 1998-07-07 2001-08-21 Mitsubishi Electric And Electronics Usa, Inc. System and method for column access in random access memories
KR100406543B1 (ko) 2001-12-24 2003-11-20 주식회사 하이닉스반도체 동기식 메모리의 파이프 래치 제어회로
US7434991B2 (en) * 2002-12-12 2008-10-14 Covidien Ag Thermal tympanic thermometer
CA2509033C (en) * 2002-12-12 2011-10-11 Sherwood Services Ag Thermal tympanic thermometer tip
JP2004289884A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Komatsu Ltd 自走車両の走行システム
JP4322645B2 (ja) * 2003-11-28 2009-09-02 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
KR100519877B1 (ko) * 2003-12-19 2005-10-10 삼성전자주식회사 레이트 라이트 기능을 갖는 반도체 메모리 장치 및 그데이터 입출력방법
FR2879337A1 (fr) 2004-12-15 2006-06-16 St Microelectronics Sa Circuit memoire, tel que dram, comportant un mecanisme correcteur d'erreur
KR100719378B1 (ko) * 2006-02-16 2007-05-17 삼성전자주식회사 빠른 랜덤 액세스 기능을 갖는 플래시 메모리 장치 및그것을 포함한 컴퓨팅 시스템
US8872686B2 (en) * 2013-03-14 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Low glitch current digital-to-analog converter

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4541076A (en) * 1982-05-13 1985-09-10 Storage Technology Corporation Dual port CMOS random access memory
JPS59121688A (ja) * 1982-12-28 1984-07-13 Toshiba Corp スタテイツクランダムアクセスメモリ−
US4597061B1 (en) * 1983-01-03 1998-06-09 Texas Instruments Inc Memory system using pipleline circuitry for improved system
US4685088A (en) * 1985-04-15 1987-08-04 International Business Machines Corporation High performance memory system utilizing pipelining techniques
JP2714944B2 (ja) * 1987-08-05 1998-02-16 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPS6457495A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Hitachi Ltd Semiconductor memory device
KR970008786B1 (ko) * 1987-11-02 1997-05-29 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 집적회로
JP2895488B2 (ja) * 1988-04-18 1999-05-24 株式会社東芝 半導体記憶装置及び半導体記憶システム
KR940008295B1 (ko) * 1989-08-28 1994-09-10 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체메모리

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100783049B1 (ko) * 1995-05-24 2007-12-07 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체기억장치
KR100945968B1 (ko) * 1995-05-24 2010-03-09 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체기억장치

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DE4200758C2 (de) 1994-03-24
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