KR910016009A - 메모리 장치내의 결손을 제거하기 위한 리던던시 구조 - Google Patents

메모리 장치내의 결손을 제거하기 위한 리던던시 구조 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

메모리 장치내의 결손을 제거하기 위한 리던던시 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 구체화할 수 있는 메모리 장치의 평면도, 제2도는 제1도의 장치내의 논리 데이타 블럭의 일반적인 레이아웃을 도시한 도면,제4도는 본 발명에 따른 퓨즈가능한 비교기 디코더를 개략으로 도시한 도면.

Claims (4)

  1. 각각 로우 라인들 및 칼럼 라인들을 따라 어드레스가능한 로우들 및 컬럼들내에 배열되고 각각 다수의 메모리 셀을 포함하는 서브-블럭으로 구성된 메모리 셀의 어레이를 포함하고, 개별적인 입력/출력 경로를 갖고 있는 다수의 데이타 블럭으로 형성된 메모리 장치에 있어서, 상기 장치가 로우 어드레스 정보에 기초하여 메모리 셀의 로우를 선택하기 위한 로우 회로, 컬럼 어드레스 정보에 기초하여 메모리 셀의 컬럼을 선택하기 위한 컬럼 회로, 및 셀의 제2컬럼의 부분의 어드레스에 응답하는 셀의 제1컬럼의 제1부분을 제공하기 위한 어드레스 수리회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 어드레스 수리 회로가 셀의 제2컬럼의 부분의 어드레스에 응답하는 셀의 제1컬럼의 제1부분을 제공하기 위한 제1의 프로그램가능한 디코더, 및 셀의 제3컬럼의 부분의 어드레스에 응답하는 셀의 제1컬럼의 제2부분을 제공하기 위한 제2의 프로그램가능한 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 제1 및 제2컬럼이 제1데이타 블럭에 있고 어드레스 수리 회로가 셀의 제2 컬럼의 상기 부분의 어드레스에 응답하는 셀의 제1 컬럼의 제1부분을 제공하기 위한 제1의 프로그램가능한 디코더, 및 제2 데이타 블럭내의 셀의 제2컬럼의 부분의 어드레스에 응답하는 제2데이타 블럭내의 셀의 제1컬러의 제1부분을 제공하기 위한 제2의 프로그램가능한 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 어드레스가능한 로우들 및 컬럼들로 형성된 놀리 데이타를 갖는 메모리 장치에서 메모리 셀과 장치의 출력 단자 사이에 정보를 전달하기 위해 다수의 경로에 결합된 메모리 셀의 제1컬럼에 관련된 결손을 제거하기 위한 방법에 있어서, 제1컬럼내의 셀의 부분의 어드레스에 응답할 셀의 제2컬럼의 부분을 프로그래밍하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002550A 1990-02-14 1991-02-13 메모리 장치 내의 결함을 제거하기 위한 리던던시 구조 KR100227987B1 (ko)

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Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0392895B1 (en) 1989-04-13 1995-12-13 Sundisk Corporation Flash EEprom system
US5398206A (en) * 1990-03-02 1995-03-14 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device with data error compensation
GB9007796D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 Foss Richard C Dynamic memory row/column redundancy scheme
US5287311A (en) * 1991-05-31 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for implementing ×2 parity DRAM for 16 bit systems from ×4 parity DRAM
KR930003164A (ko) * 1991-07-26 1993-02-24 김광호 반도체메모리 리던던시 장치
US5392247A (en) * 1991-09-19 1995-02-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device including redundancy circuit
US6781895B1 (en) 1991-12-19 2004-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
US5361227A (en) * 1991-12-19 1994-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
US5295101A (en) * 1992-01-31 1994-03-15 Texas Instruments Incorporated Array block level redundancy with steering logic
JP2730375B2 (ja) * 1992-01-31 1998-03-25 日本電気株式会社 半導体メモリ
JP3040625B2 (ja) * 1992-02-07 2000-05-15 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
US5268866A (en) * 1992-03-02 1993-12-07 Motorola, Inc. Memory with column redundancy and localized column redundancy control signals
WO1994007242A1 (en) * 1992-09-21 1994-03-31 Atmel Corporation High speed redundant memory
JPH0831573B2 (ja) * 1992-10-01 1996-03-27 日本電気株式会社 ダイナミックｒａｍ
JP3212421B2 (ja) * 1993-09-20 2001-09-25 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5495447A (en) * 1993-10-08 1996-02-27 Digital Equipment Corporation Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair
US5539696A (en) * 1994-01-31 1996-07-23 Patel; Vipul C. Method and apparatus for writing data in a synchronous memory having column independent sections and a method and apparatus for performing write mask operations
KR970003337B1 (ko) * 1994-07-07 1997-03-17 현대전자산업 주식회사 데이타 버스 라인 부하 감소 장치를 포함한 메모리 소자
JP3421441B2 (ja) * 1994-09-22 2003-06-30 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ダイナミック型メモリ
JPH08129876A (ja) * 1994-10-28 1996-05-21 Nec Corp 半導体記憶装置
GB2292236A (en) * 1995-04-04 1996-02-14 Memory Corp Plc Improved partial memory engine
US5691945A (en) * 1995-05-31 1997-11-25 Macronix International Co., Ltd. Technique for reconfiguring a high density memory
US5668763A (en) * 1996-02-26 1997-09-16 Fujitsu Limited Semiconductor memory for increasing the number of half good memories by selecting and using good memory blocks
JPH09288888A (ja) * 1996-04-22 1997-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5841710A (en) * 1997-02-14 1998-11-24 Micron Electronics, Inc. Dynamic address remapping decoder
DE19729579C2 (de) * 1997-07-10 2000-12-07 Siemens Ag Verfahren zum Aktivieren einer redundanten Wortleitung bei Inter-Segment-Redundanz bei einem Halbleiterspeicher mit in Segmenten organisierten Wortleitungen
US6314527B1 (en) 1998-03-05 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Recovery of useful areas of partially defective synchronous memory components
US6332183B1 (en) 1998-03-05 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method for recovery of useful areas of partially defective synchronous memory components
US6381708B1 (en) 1998-04-28 2002-04-30 Micron Technology, Inc. Method for decoding addresses for a defective memory array
US6381707B1 (en) 1998-04-28 2002-04-30 Micron Technology, Inc. System for decoding addresses for a defective memory array
US6295231B1 (en) * 1998-07-17 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba High-speed cycle clock-synchronous memory device
US6496876B1 (en) 1998-12-21 2002-12-17 Micron Technology, Inc. System and method for storing a tag to identify a functional storage location in a memory device
US6163495A (en) * 1999-09-17 2000-12-19 Cypress Semiconductor Corp. Architecture, method(s) and circuitry for low power memories
US6530045B1 (en) * 1999-12-03 2003-03-04 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for testing rambus DRAMs
US6578157B1 (en) 2000-03-06 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for recovery of useful areas of partially defective direct rambus rimm components
US7269765B1 (en) * 2000-04-13 2007-09-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for storing failing part locations in a module
US6314030B1 (en) * 2000-06-14 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory having segmented row repair
US20030235089A1 (en) * 2002-04-02 2003-12-25 Gerhard Mueller Memory array with diagonal bitlines
US6809972B2 (en) * 2003-03-13 2004-10-26 Infineon Technologies Ag Circuit technique for column redundancy fuse latches
US7350132B2 (en) * 2003-09-10 2008-03-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanoscale interconnection interface
US20050073875A1 (en) * 2003-10-03 2005-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Redundancy repaired yield calculation method
KR100724567B1 (ko) * 2005-08-05 2007-06-04 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US7292487B1 (en) 2006-05-10 2007-11-06 Micron Technology, Inc. Independent polling for multi-page programming
US8878860B2 (en) * 2006-12-28 2014-11-04 Intel Corporation Accessing memory using multi-tiling
US20120075943A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 Macronix International Co., Ltd. Method and Apparatus for Memory Repair With Redundant Columns
TWI482168B (zh) * 2010-10-08 2015-04-21 Macronix Int Co Ltd 具有備援行之記憶體修復的方法及裝置
CN102456414B (zh) * 2010-10-20 2014-11-26 旺宏电子股份有限公司 具有备援行的存储器装置及其修复方法
KR101211042B1 (ko) * 2010-11-23 2012-12-13 에스케이하이닉스 주식회사 고장 정보 저장장치 및 저장방법
KR101133689B1 (ko) * 2010-11-23 2012-04-24 에스케이하이닉스 주식회사 리페어 분석 장치 및 방법
CN102157206A (zh) * 2011-01-17 2011-08-17 上海宏力半导体制造有限公司 具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法
KR20120122594A (ko) * 2011-04-29 2012-11-07 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
US8976604B2 (en) 2012-02-13 2015-03-10 Macronix International Co., Lt. Method and apparatus for copying data with a memory array having redundant memory
US9165680B2 (en) 2013-03-11 2015-10-20 Macronix International Co., Ltd. Memory integrated circuit with a page register/status memory capable of storing only a subset of row blocks of main column blocks
US9305664B2 (en) 2014-03-26 2016-04-05 Texas Instruments Incorporated Memory repair categorization tracking
KR20160056586A (ko) * 2014-11-12 2016-05-20 에스케이하이닉스 주식회사 리페어 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
US9773571B2 (en) 2014-12-16 2017-09-26 Macronix International Co., Ltd. Memory repair redundancy with array cache redundancy
US20160218286A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Macronix International Co., Ltd. Capped contact structure with variable adhesion layer thickness
US9514815B1 (en) 2015-05-13 2016-12-06 Macronix International Co., Ltd. Verify scheme for ReRAM
US10108509B2 (en) * 2015-07-16 2018-10-23 Texas Instruments Incorporated Dynamic enabling of redundant memory cells during operating life
KR20170055222A (ko) 2015-11-11 2017-05-19 삼성전자주식회사 리페어 단위 변경 기능을 가지는 메모리 장치 및 메모리 시스템
US9691478B1 (en) 2016-04-22 2017-06-27 Macronix International Co., Ltd. ReRAM array configuration for bipolar operation
US9959928B1 (en) 2016-12-13 2018-05-01 Macronix International Co., Ltd. Iterative method and apparatus to program a programmable resistance memory element using stabilizing pulses
US10971247B2 (en) * 2018-03-29 2021-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating semiconductor memory devices
US11646095B2 (en) * 2020-03-06 2023-05-09 Micron Technology, Inc. Configurable soft post-package repair (SPPR) schemes
US11815995B1 (en) * 2022-04-27 2023-11-14 Macronix International Co., Ltd. Redundancy schemes for repairing column defects
CN116072207B (zh) * 2023-04-06 2023-08-08 长鑫存储技术有限公司 故障寻址电路及存储器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4047163A (en) * 1975-07-03 1977-09-06 Texas Instruments Incorporated Fault-tolerant cell addressable array
US4389715A (en) * 1980-10-06 1983-06-21 Inmos Corporation Redundancy scheme for a dynamic RAM
JPS59144098A (ja) * 1983-02-08 1984-08-17 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4754434A (en) * 1985-08-28 1988-06-28 Advanced Micro Devices, Inc. Switching plane redundancy
US4837747A (en) * 1986-11-29 1989-06-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Redundary circuit with a spare main decoder responsive to an address of a defective cell in a selected cell block
FR2611301B1 (fr) * 1987-02-24 1989-04-21 Thomson Semiconducteurs Memoire integree avec redondance de colonnes de donnees

Also Published As

Publication number Publication date
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CN1039606C (zh) 1998-08-26
US5126973A (en) 1992-06-30

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