KR930003164A - 반도체메모리 리던던시 장치 - Google Patents

반도체메모리 리던던시 장치 Download PDF

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KR930003164A
KR930003164A KR1019910012919A KR910012919A KR930003164A KR 930003164 A KR930003164 A KR 930003164A KR 1019910012919 A KR1019910012919 A KR 1019910012919A KR 910012919 A KR910012919 A KR 910012919A KR 930003164 A KR930003164 A KR 930003164A
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장현순
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체메모리 리던던시 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 메모리 어레이의 블럭다이어그램,
제3도는 제2도의 휴즈박스의 내부구성도,
제3 (A)도는 제3도의 블럭 선택신호를 만드는 수단의 일례,
제3 (B)도는 제3도의 블럭 선택신호를 만드는 수단의 다른 일례.

Claims (11)

  1. 노멀 컬럼 디코더와 리던던트 컬럼 디코더를 가지며, 결함이 있는 노멀 메모리 셀을 스페어셀로 대체시킬수 있는 반도체 메모리 장치에 있어서, 로우 어드레스를 입력하여 블럭선택 신호를 발생시키는 블럭 선택회로와, 컬럼 어드레스와 상기 블럭 선택신호를 입력하여 리던던트 감지신호를 발생시키는 휴즈회로와, 상기 리던던트 감지신호를 입력하여 리던던트 선택 신호를 발생시키는 리던던트 선택회로와, 상기 리던던드 선택신호를 입력하여 상기 노멀 컬럼 디코더를 제어하는 노멀 디코더 콘트롤회로를 구비함을 특징으로 하는 리던던시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노멀 컬럼 디코더가 상기 노멀 디코더 콘트롤회로의 출력을 입력하고, 상기 리던던트 컬럼 디코더가 상기 리던던트 선택신호를 입력함을 특징으로 하는 리던던시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 블럭선택회로가 논리게이트들 또는 휴즈들로 이루어짐을 특징으로 하는 리던던시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 휴즈회로가, 메인휴즈와 서브휴즈들을 가지며, 상기 메인휴즈의 절단을 감지하는 신호와 상기 블럭 선택신호를 입력하는 논리게이트를 최소한 구비함을 특징으로 하는 리던던시 장치.
  5. 제1복수개의 노멀 메모리셀들과 제2복수개의 스페어 메모리셀들을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 제3복수개의 노멀 컬럼 디코더들과, 제4복수개의 리던던트 컬럼 디코더들과, 로우 어드레스들을 입력하여 제5복수개의 블럭선택 신호들을 발생시키는 제4복수개의 블럭선택 회로들과, 컬럼 어드레스들과 상기 블럭 선택회로들의 각 블럭 선택 신호들을 입력하여 각각 제5복수개의 리던던트 감지신호들을 발생시키는 제4복수개의 휴즈회로들과, 상기 휴즈회로들의 각 리던던트 감지 신호들을 입력하여 하나씩의 리던던트 선택 신호를 발생시키는 제4복수개의 리던던트 선택회로와, 상기 제4복수개의 리던던트 선택 신호들을 입력하여 상기 노멀 컬럼 디코더들을 제어하는 노멀 디코더 컨트롤회로로 구성되고, 상기 리던던트 컬럼 디코더들이 상기 리던던트 선택신호들을 각각 입력함을 특징으로 하는 리던던시장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 블럭 선택회로가 상기 로우 어드레스들을 입력하는 논리게이트들 또는 휴즈들로 이루어짐을 특징으로 하는 리던던시장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 휴즈회로들의 각각이, 메인휴즈와 서브휴즈들을 가지며, 상기 메인휴즈의 절단을 감지하는 신호와 상기 블럭 선택신호를 입력하는 논리게이트를 최소한 구비함을 특징으로 하는 리던던시 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 서브휴즈들이 상기 컬럼 어드레스들의 각각에 연결되어 있음을 특징으로 하는 리던던시장치.
  9. 복수개의 노멀 컬럼 디코더들과 리던던트 컬럼 디코더들을 가지며 휴즈를 이용하여 결함이 있는 노멀 메모리셀을 스페어 메모리셀로 대체하는 반도체 메모리장치에 있어서, 로우 어드레스들을 입력하여 복수개의 블럭 선택신호들을 발생시키는 복수개의 블럭 선택회로들과, 소정 갯수의 컬럼 어드레스들에 연결된 소정갯수의 서브휴즈들과 하나외 메인휴즈와 상기 메인휴즈의 절단을 감지하는 신호와 상기 블럭 선택신호를 입력하는 논리게이트를 각각 가지며 복수개의 리던던트 감지신호들을 출력하는 복수개의 휴즈 회로들을 구비함을 특징으로 하는 리던던시 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수개의 리던던트 감지 신호들을 각각 입력하여 하나씩의 리던던트 선택신호를 출력하는 복수개의 리던던트 선택회로들과, 상기 복수개의 리던던트 선택 신호들을 입력하여 상기 노멀 컬럼 디코더를 제어하는 노멀 디코더 컨트롤 회로를 더 구비함을 특징으로 하는 리던던시 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 블럭 선택회로들의 각각이 논리게이트들 또는 휴즈들로 이루어짐을 특징으로 하는 리던던시 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910012919A 1991-07-26 1991-07-26 반도체메모리 리던던시 장치 KR930003164A (ko)

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ITMI912849A0 (it) 1991-10-25
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