KR870009383A - 여분의 회로부를 가지는 반도체 메모리 소자 - Google Patents
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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- Read Only Memory (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명을 실시하기 위한 반도체 메모리 소자 구조를 보인도.
제4도는 제3도에서 도시된 스윗칭 12의 회로도의 알예를 보인다.
제5도는 제1도에서 도시된 소자의 선택된 워드라인 및 여러 가지 신호의 전위 변화에 관련있는 타이밍도.
Claims (2)
- 반도체 메모리 소자,다수의 워드라인들 및 비트라인들이 설치되어져 있는 레귤러 메모리 셀 어래이, 다수의 메모리셀이 상기 워드라인들 및 비트라인들의 각 교점에서 배열되어져있는,다수의 워드라인들 및 비트라인들이 설치되어져 있는 여분의 메모리 셀 어래이, 다수의 메모리 셀이 상기 워드라인들 및 비트라인들의 각 교점에서 배열되어져 있는,첫 번째 제어신호를 발생하기 위한 제어수단들,상기 레귤러 메모리 셀 어레이에 있는 결여된 메모리 셀에 관련 있는 결여된 어드레스 비트들을 프로그램하기 위한 수단들,각각의 입력 어드레스 비트를 각각의 상기 결여된 어드레스 비트와 비교하기 위한 수단들,상기 입력 어드레스 비트들의 논리중, 적어도 하나의 논리가 상기 결여된 어드레스 비트중 연관이 있는 하나의 버트와 일치하지 않았을 때, 두번째 제어신호를 발생하고, 상기 입력 어드레스 비트들의 각각의 논리가 상기 결여된 어드레스 버트를 각각에 일치하였을 때, 상기 두 번째 제어신호를 발생하지 않고,상기 여분의 메모리 셀 어레이에 속하는 미리 설정해 놓은 워드라인이나 비트라인에 세 번째 제어신호를 공급해주기 위한 첫 번째 스윗칭 수단들,상기 결여된 어드레시 비트들이 상기 프로그래밍 수단들에서 프로그램되었는지 또는 되어지지 않았는지를 확인하기 위한 수단들,상기 확인하는 수단들이 상기 결여된 어드레스 비트들이 상기 프로그램하는 수단들에서 프로그램되는 것을 지시하여 줄 때, 상기 두 번째 제어신호 입력을 상기 첫 번째 스윗칭 수단으로부터 상기 레귤러 메모리 셀 어레이에 속하는 선택된 위드라인이나 비트라인으로 공급하고, 상기 확인하는 수단들이 상기 결여된 어드레스 비트들이 상기 프로그램하는 수단들에서 프로그램되지 않은 것을 지시하여 줄 때, 상기 첫 번째 제어신호 입력을 상기 제어수단들로부터 상기 선택된 워드라인이나 비트라인으로 공급하기 위한 두 번째 스윗칭 수단들을 포함하고 있는 반도체 메모리 소자.
- 청구범위 제1항에 있어서,상기 메모리 소자의 동작전에 상기 확인하는 수단들로부터 나온 출력신호에 따라서 상기 두 번째 스윗칭 수단들은 마무리되지 않지만, 상기 첫 번째 제어신호 또는 상기 두 번째 제어신호를 상기 선택된 워드라인이나 비트라인으로 공급하기 위한 신호통로가 있는 반도체 메모리 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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