KR100541819B1 - 스타트 프로그램 전압을 차등적으로 사용하는 불휘발성반도체 메모리 장치 및 그에 따른 프로그램 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
여기서, 상기 특정한 워드라인은 메모리 셀 어레이 내에서 메모리 셀들이 배치된 위치 차이에 기인하여 워드라인 로딩 커패시턴스가 상대적으로 타의 워드라인들에 비해 크게 나타나는 워드라인이 되며, 예컨대 16개의 메모리 셀이 직렬로 연결된 메모리 셀 스트링이 메모리 셀 블록당 존재한다고 할 경우 첫 번째와 16번째의 메모리 셀과 연결된 첫 번째 및 16번째 워드라인들이 특정한 워드라인들이 될 수 있다.
Claims (23)
- (정정)불휘발성 반도체 메모리장치에서의 프로그램 회로에 있어서:복수의 워드라인 중에서, 메모리 셀 어레이 내에서 메모리 셀들이 배치된 위치 차이에 기인하여 워드라인 로딩 커패시턴스가 상대적으로 타의 워드라인들에 비해 크게 나타나는 적어도 하나의 특정한 워드라인을 가리키는 로우 어드레스를 미리 저장하는 저장부와;프로그램 동작모드에서 인가된 로우 어드레스가 상기 저장된 로우 어드레스와 일치할 경우에, 상기 특정한 워드라인들을 제외한 나머지 워드라인들에 인가될 스타트 프로그램 전압의 레벨과는 다른 레벨을 갖는 스타트 프로그램 전압을 상기 특정한 워드라인에 제공하기 위한 프로그램 전압 공급부를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 특정한 워드라인은 상기 복수의 워드라인들에 연결된 메모리 셀 들에 대한 프로그램 루프 횟수의 테스트 결과에 의해 선택된 워드라인임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저장부는 퓨즈 프로그래밍에 의해 상기 특정한 워드라인을 가리키는 로우 어드레스를 저장함을 특징으로 하는 불휘발성 반도 체 메모리 장치에서의 프로그램 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 특정한 워드라인에 제공되는 상기 스타트 프로그램 전압의 레벨은 상기 특정한 워드라인들을 제외한 나머지 워드라인들에 인가될 스타트 프로그램 전압의 레벨보다 높음을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 프로그램 전압 공급부는 상기 프로그램 동작모드에서 인가된 로우 어드레스가 상기 저장된 로우 어드레스와 일치하지 않을 경우에는 제1 스타트 프로그램 전압을 프로그램 스타트 전압으로서 공급하고, 일치할 경우에는 상기 제1 스타트 프로그램 전압보다 높은 제2 스타트 프로그램 전압을 프로그램 스타트 전압으로서 공급함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 프로그램 전압 공급부는 프로그램 루프 카운트 값이 설정된 제한 값 이내에서 증가될 때마다 상기 제1 및 제2 스타트 프로그램 전압에서 일정한 레벨만큼 단계적으로 증가되는 전압을 공급함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 회로.
- (정정)불휘발성 반도체 메모리장치에 있어서:복수의 비트라인과 복수의 워드라인에 매트릭스 형태로 연결된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이;상기 워드라인들 중에서, 메모리 셀 어레이 내에서 메모리 셀들이 배치된 위치 차이에 기인하여 워드라인 로딩 커패시턴스가 상대적으로 타의 워드라인들에 비해 크게 나타나는 특정한 워드라인들을 가리키는 로우 어드레스 정보를 미리 저장하는 스토리지부;프로그램 동작모드에서 인가된 로우 어드레스가 상기 스토리지부에 저장된 로우 어드레스 정보와 만나는 경우에 매치신호를 발생하는 매치신호 발생부;상기 매치신호가 비활성화 상태에 있을 경우에는 제1 루프 카운팅 신호를 생성하고, 상기 매치신호가 활성화 상태인 경우에는 제2 루프 카운팅 신호를 생성하는 프로그램 루프 카운팅 신호 발생부;상기 제1 루프 카운팅 신호에 응답하여 제1 스타트 프로그램 전압을 프로그램 스타트 전압으로서 발생하고, 상기 제2 루프 카운팅 신호에 응답하여 상기 제1 스타트 프로그램 전압보다 높은 제2 스타트 프로그램 전압을 프로그램 스타트 전압으로서 발생하는 프로그램 전압 발생부; 및프로그램 동작모드 동안에 패스전압, 리드전압, 및 상기 프로그램 전압 발생부로부터 제공되는 프로그램 전압중의 하나를 로우 어드레스 디코딩 정보에 따라 상기 워드라인들에 인가하는 행라인 레벨 선택부를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치.
- 제7항에 있어서, 상기 특정한 워드라인들은 상기 복수의 워드라인들에 연결된 메모리 셀 들에 대한 프로그램 루프 횟수의 테스트 결과에 의해 선택된 워드라인들임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 프로그램 전압 발생부는 상기 제1,2 루프 카운팅 신호의 값이 설정된 제한 값 이내에서 증가될 때마다 상기 제1 및 제2 스타트 프로그램 전압에서 일정한 레벨만큼 단계적으로 증가되는 전압을 발생함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는,서로 직렬로 연결된 복수의 메모리 셀을 갖는 메모리 셀 스트링이 대응되는 비트라인에 선택 트랜지스터를 통해 각기 연결되고 각각의 메모리 셀 스트링 내에서 서로 동일한 행에 배열된 복수의 메모리 셀 들은 대응되는 워드라인에 공통으로 연결되어 있는 낸드 타입 셀 블록을 복수로 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 스토리지부는 커팅 가능한 복수의 퓨즈들을 포함하는 퓨즈 옵션 스토리지부임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제2 루프 카운팅 신호는 상기 제1 루프 카운팅 신호의 정수 배임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
- (정정)불휘발성 반도체 메모리장치에서의 프로그램 방법에 있어서:복수의 워드라인 중에서, 메모리 셀 어레이 내에서 메모리 셀들이 배치된 위치 차이에 기인하여 워드라인 로딩 커패시턴스가 상대적으로 타의 워드라인들에 비해 크게 나타나는 적어도 하나 이상의 특정한 워드라인을 가리키는 로우 어드레스를 미리 저장하는 단계와;프로그램 동작모드에서 인가된 로우 어드레스가 상기 저장된 로우 어드레스와 일치할 경우에, 상기 특정한 워드라인들을 제외한 나머지 워드라인들에 인가되어질 스타트 프로그램 전압의 레벨과는 다른 레벨을 갖는 스타트 프로그램 전압을 상기 특정한 워드라인에 인가하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 방법.
- 제13항에 있어서,상기 특정한 워드라인은 타 워드라인들에 비해 별도의 프로그램 전압이 인가될 필요가 있는 워드라인임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 특정한 워드라인에 제공되는 상기 스타트 프로그램 전압의 레벨은 상기 특정한 워드라인들을 제외한 나머지 워드라인들에 인가될 스타트 프로그램 전압의 레벨보다 높음을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 프로그램 동작모드 동안에 인가되는 프로그램 전압은 프로그램 루프 카운트 값이 설정된 제한 값 이내에서 증가될 때마다 상기 제1 및 제2 스타트 프로그램 전압에서 일정한 레벨만큼 단계적으로 증가되는 전압임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 특정한 워드라인은 메모리 셀 어레이의 각 블록마다 동일한 행에 위치되는 워드라인임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에 서의 프로그램 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 특정한 워드라인은 메모리 셀 어레이의 각 블록마다 서로 다른 행에 위치되는 워드라인임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에서의 프로그램 방법.
- (정정)낸드 타입 플래시 반도체 메모리장치의 프로그램 방법에 있어서:선택된 비트라인에 접지전압을 인가하는 단계와;복수의 워드라인 중에서, 메모리 셀 어레이 내에서 메모리 셀들이 배치된 위치 차이에 기인하여 워드라인 로딩 커패시턴스가 상대적으로 타의 워드라인들에 비해 크게 나타나는 특정한 워드라인들에 대하여는 별도의 스타트 프로그램 전압을 인가한 후 단계적으로 전압을 증가시켜 프로그램을 행하며, 상기 특정한 워드라인들을 제외한 나머지 워드라인들에 대하여는 상기 별도의 스타트 프로그램 전압과는 다른 레벨의 정상 프로그램 전압을 인가한 후 단계적으로 전압을 증가시켜 프로그램을 행하는 단계를 가짐을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제19항에 있어서,상기 특정한 워드라인들은 타 워드라인들에 비해 상기 별도의 프로그램 전압이 인가될 필요가 있는 워드라인들임을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 특정한 워드라인들에 제공되는 상기 스타트 프로그램 전압의 레벨은 상기 특정한 워드라인들을 제외한 나머지 워드라인들에 인가될 스타트 프로그램 전압의 레벨보다 높음을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 특정한 워드라인들은 메모리 셀 어레이의 각 블록마다 동일한 행에 위치되는 워드라인들임을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 특정한 워드라인들은 메모리 셀 어레이의 각 블록마다 서로 다른 행에 위치되는 워드라인들임을 특징으로 하는 프로그램 방법.
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