KR960002368A - 리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 로우 및 컬럼 방향으로 배열되는 다수의 노멀 메모리 셀로 구성된 노멀 메모리 셀 어레이 및 상기 노멀 메모리 셀 어레이 내의 결함 메모리 셀을 대치하기 위한 다수의 리던던트 메모리 셀로 구성된 리던던트 메모리 셀 어레이를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 결함 컬럼에 해당하는 결함 컬럼 어레이와 결함 컬럼 어드레스를 프로그램하기 위한 프로그램 수단을 가지며 외부에는 입력되는 상기 프로그램된 결함 컬럼 어드레스를 비교하여 리던던트 컬럼 선택신호를 발생하는 리던던트 컬럼 선택회로와, 상기 컬럼 어드레스를 디코딩하여 컬럼 디코드 신호를 발생하는 디코딩 수단과, 소정의 디세이블 수단을 가지며 상기 컬럼 디코드 신호를 입력하여 노멀 컬럼 선택신호를 발생하는 노멀 컬럼 선택회로를 구비하여, 상기 결함 컬럼 어드레스가 입력되면 상기 디세이블 수단을 직접 동작시켜 상기 노멀 컬럼 선택회로를 디세이블하고, 상기 리던던트 컬럼 선택회로를 인에이블함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 결함 컬럼을 리던던트 컬럼으로 대치하는 경우, 노멀 컬럼 선택회로가 리던던트 컬럼 선택회로 내에 구비된 퓨즈 박스로부터 출력되는 퓨즈박스출력신호에 무관하게 독립적으로 동작하므로서, 컬럼 및 리던던트 선택회로의 오동작을 방지할 수 있을뿐만 아니라 게이트 전달 시간을 단축하여 컬럼 및 리던던트 선택회로의 고속 동작을 실현할 수 있는 효과가 있다.

Description

리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 노멀 컬럼 선택회로를 보이는 도면,
제4도는 본 발명에 따른 컬럼 디코더 회로를 보이는 단면,
제5도는 본 발명에 따른 리던던트 컬럼 회로를 보이는 도면,
제8도는 제7도에 따른 블럭 지정정보를 이용하는 노멀 컬럼 선택회로를 보이는 도면.

Claims (6)

  1. 로우 및 컬럼 방향으로 배열되는 다수의 노멀 메모리 셀로 구성된 노멀 메모리 셀 어레이 및 상기 노멀 메모리 셀 어레이 내의 결함 메모리 셀을 대치하기 위한 다수의 리던던트 메모리 셀로 구성된 리던던트 메모리 셀 어레이를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 결함 컬럼에 해당하는 결함 컬럼 어드레스를 프로그램하기 위한 프로그램수단을 가지며 외부에서 입력되는 컬럼 어드레스와 상기 프로그램된 결함 컬럼 어드레스를 비교하여 리던던트 컬럼 선택신호를 발생하는 리던던트 컬럼 선택회로와, 상기 컬럼 어드레스를 디코딩하여 컬럼 디코드 신호를 발생하는 디코딩 수단과, 소정의 디세이블 수단을 가지며 상기 컬럼 디코드 신호를 입력하여 노멀 컬럼 선택신호를 발생하는 노멀 컬럼 선택회로를 구비하여, 상기 결함 컬럼 어드레스가 입력되면 상기 디세이블 수단을 직접 동작시켜 상기 노멀 컬럼 선택회로를 디세이블하고, 상기 리던던트 컬럼 선택회로를 인에이블함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결함 컬럼에 해당하지 않는 상기 컬럼 어드레스가 입력되면 상기 디세이블 수단을 비동작시켜 상기 노멀 컬럼 선택회로를 인에이블하고, 상기 리던던트 컬럼 선택회로를 디세이블함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 디세이블 수단은 용단 가능한 퓨즈로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 로우 및 컬럼 방향으로 배열되는 노멀 메모리 셀로 구성되는 다수의 노멀 메모리 셀 어레이 및 상기 노멀 메모리 셀 어레이 블럭 내의 결함 메모리 셀이 포함된 결함 메모리 셀 어드레스 블럭을 대치하기 위한 다수의 리던던트 메모리 셀로 구성된 리던던트 메모리 셀 어레이를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 결함 컬럼에 해당하는 결함 컬럼 어드레스 및 상기 결함 메모리 셀 어레이 블럭을 지정하는 결함 블럭 지정 로우 어드레스를 프로그램하는 프로그램 수단을 가지며 외부에서 입력되는 컬럼 어드레스 블럭 지정 로우 어드레스를 입력하여 상기 프로그램된 사기 결함 컬럼 어드레스 및 상기 프로그램된 결함 블럭 지정 로우 어드레스와 각각 비교한 후 리던던트 컬럼 선택신호를 발생하는 리던던트 컬럼 선택회로와, 상기 컬럼 어드레스를 디코딩하여 컬럼 디코드 신호를 발생하는 컬럼 디코딩 수단과, 로우 어드레스를 디코딩하여 상기 메모리 셀 어레이 블럭을 지정하는 상기 블럭 지정 로우 어드레스 디코드 신호를 발생하는 로우 디코딩 수단과, 각각의 상기 블럭 지정 로우 어드레스 디코드 신호에 대응하는 각각의 디세이블 수단을 가지며 상기 컬럼 디코드 신호 및 상기 블럭 지정 로우 어드레스 디코드 신호를 입력하여 노멀 컬럼 선택신호를 발생하는 노멀 컬럼 선택회로를 구비하여, 상기 결함 컬럼 어드레스와 상기 결함 블럭 지정 로우 어드레스가 입력되면 상기 결함 블럭 지정 로우 어 디코드 신호 중 상기 결합 블럭 지정 로우 어드레스디코드 신호에 대응하는 상기 디세이블 수단을 직접 동작시켜 상기 노멀 컬럼 선택회로를 디세이블하고, 상기 리던던트 컬럼 선택회로를 인에이블함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 결함 컬럼에 해당하지 않는 상기 컬럼 어드레스가 입력되면 상기 디세이블 수단을 비동작시켜 상기 노멀 컬럼 선택회로를 인에이블하고, 상기 리던던트 컬럼 선택회로를 디세이블함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 디세이블 수단은 용단 가능한 퓨즈로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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