KR950020754A - 컬럼 리던던시 회로 - Google Patents

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KR950020754A
KR950020754A KR1019930031893A KR930031893A KR950020754A KR 950020754 A KR950020754 A KR 950020754A KR 1019930031893 A KR1019930031893 A KR 1019930031893A KR 930031893 A KR930031893 A KR 930031893A KR 950020754 A KR950020754 A KR 950020754A
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 리던던시 회로에 관한 것으로, 각각의 메모리 블럭 내에 칼럼 리페어를 위한 여분의 셀을 준비하고 이를 선택하는 리던던시 회로로 입력되는 어드레스 신호로 컬럼 어드레스 뿐만 아니라 블럭 선택어드레스 신호도 함께 사용함으로써, 각각의 블럭 내의 형성된 리던던시 컬럼으로 해당 블럭 내의 불량 컬럼 뿐만 아니라, 다른 블럭 내의 불량 컬럼도 대체할 수 있도록 구현한 것이다.

Description

컬럼 리던던시 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 컬럼 리던던시 회로를 포함하는 디코딩 블럭도.
제5도는 본 발명에 의한 컬럼 리던던시 회로의 실시예를 도시한 구성도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 전체 메모리 어레이를 다수개의 메모리 블럭으로 나누어 구성하고, 각 블럭당 하나 이상의 리던던시 컬럼을 구현하여 블럭 내부에서 불량컬럼이 발생하면 이를 상기의 리던던시 컬럼으로 리페어하는 컬럼 리던던시 회로에 있어서, 각 메모리 블럭 내에 구현된 리던던시 컬럼으로 해당 메모리 블럭 뿐만 아니라, 다른 메모리 블럭의 불량 컬럼도 리페어할 수 있도록 하기 위하여, 컬럼 어드레스와 블럭 선택 어드레스를 입력으로하며 퓨즈를 이용하여 불량 컬럼을 선택하는 주소를 프로그램하는 리던던시 어드레스 선택수단과, 상기 리던던시 어드레스 선택수단의 프로그램된 어드레스 출력을 조합하여 리페어할 메모리 블럭의 블럭 선택 패스를 동작시키는 리던던스 컬럼프리 디코딩 수단과, 각 메모리 블럭의 상기 리던던시 컬럼 프리 디코딩 수단의 출력을 조합하여 리페어 동작시에 불량 컬럼을 선택하는 정상 컬럼 선택 패스를 디스에이블시키는 리던던시 로직수단과, 상기 리던던시 컬럼 프리 디코딩 수단의 출력을 입력으로 하여 리페어된 리던던시 컬럼을 인에이블시키는 리던던시 컬럼 디코딩 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 컬럼 리던던시 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930031893A 1993-12-31 1993-12-31 컬럼 리던던시 회로 KR960012792B1 (ko)

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