KR970051438A - 로우 리던던시 회로를 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents
로우 리던던시 회로를 가지는 반도체 메모리 장치 Download PDFInfo
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 : 분할된 워드라인을 가지고 리던던시를 실행하는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 메인워드 라인으로부터 분할된 서브워드라인의 결함 메모리 셀을 선택적으로 리페어가 가능케한 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명에 해결하려고 하는 기술적 과제 : 분할된 워드라인을 가지는 종래의 반도체 메모리 장치에서의 리던던시는 메인워드라인에서 분할된 서브워드라인의 메모리 셀에 결함이 발생하였을 경우, 메인워드라인단위를 리페어를 실행함으로써 리던던트의 효율이 양호하지 못하였다. 따라서 본 발명은 분할된 워드라인 단위로 리페어가 가능토록 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지 : 리던던트 메모리 셀 블록의 최소단위를 선택할 수 있도록 로우 어드레스의 최하위 비트를 입력하는 수단 및 결함메모리 셀의 결함 어드레스의 최하위 비트를 선택하는 휴징수단을 가지는 리던던트 로우 프리 디코더를 이용하여 분할된 리던던트 서브워드라인을 개별적으로 선택 구동한다.
4. 발명의 중요한 용도 : 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 리던던트 로우 프리 디코더의 회로를 보이는 도면이다.
Claims (3)
- 다수의 메모리 셀이 접속되는 서브워드라인을 적어도 하나 이상 가지는 메모리 셀 블록과, 상기 메모리 셀 블록을 선택하기 위한 메인워드라인과, 상기 메인워드라인의 선택에 의해 인에이블되며 블록선택신호를 디코딩하여 상기 서브워드라인들 중 적어도 하나의 서브워드라인을 선택하는 서브 로우 디코딩 수단을 구비하여 상기 메모리 블록내의 결함 메모리 셀을 대체하기 위한 리던던시를 수행하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 다수의 리던던트 메모리 셀이 접속되는 리던던트 서브워드라인을 적어도 하나이상 가지는 리던던트 메모리 셀 블록과, 상기 리던던트 서브워드라인을 개별적으로 선택하기 위한 어드레스 정보를 입력하는 수단과 상기 메모리 셀 블록내의 결함 메모리 셀에 대응하는 로우 어드레스를 선택하는 결함 어드레스 선택수단을 포함하여 가지며 상기 어드레스 정보 입력수단으로 입력되는 로우 어드레스의 입력에 대응하여 상기 결함어드레스에 대응하는 리던던트 서브워드라인을 선택하는 리던던트 로우 프리 디코딩 수단으로 구성함을 특징으로 하는 리던던시 회로를 가지는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 어드레스 정보를 입력하는 수단은, 상기 리던던트 메모리 셀 블록의 최소단위를 선택할 수 있도록 결함 메모리 셀의 로우 어드레스의 최하위 비트를 입력하는 수단 및 상기 최하위 비트를 선택하는 휴징수단으로 구성함을 특징으로 하는 로우 리던던시 회로를 가지는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 리던던트 로우 프리 디코더는 상기 반도체 메모리 장치에 공급되는 최하위 어드레스를 선택적으로 휴징함으로써 각각에 연결된 리던던트 서브 로우 디코딩의 사용개수를 선택적으로 가변할 수 있음을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019950064208A KR0172349B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 로우 리던던시 회로를 가지는 반도체 메모리 장치 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970051438A true KR970051438A (ko) | 1997-07-29 |
| KR0172349B1 KR0172349B1 (ko) | 1999-03-30 |
Family
ID=19446844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR (1) | KR0172349B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375599B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2003-03-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 로오 리던던시 회로 |
Families Citing this family (2)
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| KR102384864B1 (ko) | 2017-11-03 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 불량 스트링을 리페어하는 방법 및 불휘발성 메모리 장치 |
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1995
- 1995-12-29 KR KR1019950064208A patent/KR0172349B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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| KR0172349B1 (ko) | 1999-03-30 |
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