KR970013336A - 반도체기억장치 - Google Patents

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슌이치 스케가와
히로유키 후지와라
마사유키 히라
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힐러 윌리엄 E.
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Abstract

반도체기억장치에 관한 것으로써, 간단한 구성에 의해 결합구제율의 향상을 도모하고, 대기억용량화에 입각해서 효율이 양호한 결합구제를 실현하기 위해, 반도체기억장치가 불량어드레스를 기억하는 기억회로 및 기억회로와 대응하는 여러개의 용장워드선을 구비하고, 기억회로는 1개의 용장워드선의 선택에 필요한 불량어드레스를 기억가능하게 되고, 이러한 불량어드레스와 메모리액세스시에 입력된 어드레스를 비교회로에 의해 비교하고, 그 일치선호와 입력된 어드레스에 포함되는 소정의 어드레스신호를 사용해서 불량워드선 대신에 여러개의 용장워드선중에서 1개의 용장워드선을 선택하는 결함구제회로를 구비한다.
상기에 의해, 간단한 구성에 의해 결합구제율의 향상을 도모하고, 대기억용량화에 입각해서 효율이 양호한 결합구제를 신현할 수 있다.

Description

반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용되는 다이나믹형 RAM의 1실시예를 도시한 개략 레이아우트도.

Claims (23)

  1. 불량어드레스를 기억하는 기억회로에 대응하는 여러개의 용장워드선이 마련되어 있고, 상기 기억회로에는 1개의 용장워드선의 선택에 필요한 불량어드레스를 기억할 수 있게 되고, 이러한 불량어드레스와 메모리액 세스시에 입력된 어드레스를 비교회로에 의해 비교하고, 그 일치신호와 상기 입력된 어드레스에 포함되는 소정의 어드레스신호를 사용해서 불량워드선 대신에 상기 여러개의 용장워드선중에서 1개의 용장워드선을 선택하는 결함구제회로를 구비하는 반도체기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기억회로와 비교회로는 상기 불량어드레스중 상기 여러개의 용장워드선을 지시하는 상기 소정의 어드레스신호를 실질적으로 무효로 해서 그것에 대응한 여러개의 불량워드선의 구제를 가능하게 하는 기능을 갖는 반도체기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 워드선은 메인워드선과 이러한 메인워드선의 연장방향에 대해서 분할된 길이로 되고, 또한 상기 메인워드선과 교차하는 비트선방향에 대해서 여러개 배치되고, 여러개로 이루어지는 다이나믹형 메모리셀이 접속되어 이루어지는 여러개의 서브워드선으로 이루어지고, 상기 서브워드선은 상기 메인워드선의 선택신호와 그것과 직교하도록 연장된 여러개로 이루어지는 서브워드 선택선에서 공급되는 선택신호를 받는 서브워드드라이브에 의해 구동되는 것이고, 상기 여러개의 용장워드선은 상기 1개의 메인워드선과 상기 여러개의 서브워드선으로 이루어지는 반도체기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기억회로, 상기 비교회로 및 상기 여러개의 용장워드선을 포함하는 결함구회로는 여러개의 메모리매트로 분산되어 여러조가 마련되는 것이고, 각각의 결함구제회로는 상기 여러개의 메모리매트중에 있어서의 불량워드선의 구제가 가능하게 되는 반도체기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불량어드레스를 기억하는 기억회로 및 상기 비교회로는 1개의 워드선을 지정하는 비반전과 반전으로 이루어지는 상보의 어드레스신호가 각각 게이트에 공급되고, 소오스가 기준전위에 접속된 여러개로 이루어지는 MOSFET 및 이러한 MOSFET의 드레인에 한쪽끝이 접속된 여러개의 퓨즈수단을 구비하고, 불량어드레스를 기억시킬 때에는 비반전 또는 반전의 어드레스신호에 대응된 어느 한쪽의 퓨즈수단을 절단하고, 이러한 여러개이 퓨즈수단의 다른쪽 끝을 공통화해서 와이어드논리신호를 얻는 반도체기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 여러개의 워드선은 1개의 메인워드선과 8개의 서브워드선으로써, 어드레스 A0과 A1에 대응한 2쌍의 퓨즈에 있어서 각각 한쪽씩을 절단시켜서 1개 단위의 구제를 실행하고, 상기 어드레스 A0과 A1에 대응한 2쌍의 퓨즈중 한쌍을 모두 절단시켜서 2개 단위의 구제를 실행하고, 상기 어드레스 A0과 A1에 대응한 2쌍의 퓨즈중 2쌍 모두 절단시켜서 4개 단위의 구제를 실행하도록 해서 이루어지는 반도체기억장치.
  7. 반도체기억장치는 제1메인워드선과 제2메인워드선을 포함하는 여러개의 메인워드선, 여러개의 제1서브워드선과 여러개의 제2서브워드선을 포함하는 여러개의 서브워드선, 여러개의 선택신호선, 제1서브워드선선택회로와 제2서브워드선 선택회로를 포함하는 여러개의 서브워드선선택회로, 용장메인워드선, 여러개의 용장서브워드선, 용장서브워드선선택회로, 상기 여러개의 서브워드선에 결합된 여러개의 메모리셀, 상기 여러개의 용장서브워드선에 결합된 여러개의 용장메모리셀 및 결함정보유지회로를 포함하는 판정회로로 이루어지고, 상기 반도체 기억장치는 제1어드레스신호 및 제2어드레스신호를 받고, 상기 제1서브워드선 선택회로는 상기 여러개의 선택신호선, 상기 제1메인워드선 및 상기 여러개의 제1서브워드선에 결합되고, 상기 제2서브워드선 선택회로는 상기 여러개의 선택신호선, 상기 제2메인워드선 및 상기 여러개의 제2서브워드선에 결합되고, 상기 용장서브워드선 선택회로는 상기 여러개의 선택신호, 상기 용장메인워드 및 상기 여러개의 용장서브워드선에 결합되고, 상기 판정회로는 상기 제1어드레스신호 및 상기 제2어드레스신호를 받고, 상기 결함정보유지회로가 제1정보 및 제2정보를 유지하고 있는 경우에 있어서, 상기 제1어드레스신호와 상기 제1정보가 일치하며, 또한 상기 제2어드레스신호와 상기 제2정보가 일치한 것으로 상기 판정회로가 판정한 경우, 상기 용장메인워드선이 선택되며, 또한 상기 제2어드레스신호에 따른 선택신호가 상기 선택신호선에 인가되고, 상기 결함정보유지회로가 제1정보 및 제2정보를 유지하고 있는 경우에 있어서, 상기 제1어드레스신호와 상기 제1정보가 일치하며, 또한 상기 제2어드레스신호와 상기 제2정보가 일치하지 않는 것으로 상기 판정회로가 판정한 경우, 상기 여러개의 메인워드선중에서 상기 제1어드레스신호에 대응하는 1개가 선택되며, 또한 상기 제2어드레스신호에 따른 상기 선택신호가 상기 선택신호선에 인가되고, 상기 결함정보유지회로가 상기 제1정보를 유지하며, 또한 상기 제2정보를 유지하고 있지 않은 경우에 있어서, 상기 제1어드레스신호와 상기 제1정보가 일치한 것으로 상기 판정회로가 판정한 경우, 상기 용장메인워드선이 선택되며, 또한 상기 제2어드레스신호에 따른 상기 선택신호가 상기 선택신호선에 인가되는 반도체기억장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1어드레스신호는 상기 여러개의 메인워드중의 1개를 선택하기 위한 어드레스신호인 반도체기억장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2어드레스신호는 상기 여러개의 제1서브워드선중의 1개, 상기 여러개의 제2서브워드선중의 1개 및 상기 여러개의 용장서브워드선중의 1개를 선택하는 것이 가능한 어드레스신호인 반도체기억장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1어드레스신호는 상기 여러개의 메인워드선의 선택에 사용되고, 상기 제2어드레스신호는 상기 여러개의 서브워드선의 선택 및 상기 여러개의 용장워드선의 선택에 사용되는 반도체기억장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 결함정보유지회로는 상기 제1정보를 불휘발적으로 유지하기 위한 제1정보유지회로 및 상기 제2정보를 불휘발적으로 유지하기 위한 제2정보유지회로를 포함하는 반도체기억장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1정보유지회로는 여러개의 제1퓨즈를 포함하고, 상기 제2정보유지회로는 여러개의 제2퓨즈를 포함하는 반도체기억장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 여러개의 제2퓨즈가 소정의 상태인 경우, 상기 결함정보유지회로는 상기 제2정보를 유지하고 있지 않은 반도체기억장치.
  14. 제7항에 있어서, 상기 여러개의 메모리 셀 및 상기 여러개의 용장메모리셀은 다이나믹형인 반도체기억장치.
  15. 여러개의 워드선, 상기 여러개의 워드선에 결합된 여러개의 메모리셀, 상기 여러개의 워드선에 결합된 디코더회로, 여러개의 용장워드선, 상기 여러개의 용장워드선에 결합된 여러개의 용장메모리셀, 상기 여러개의 용장워드선에 결합된 용장디코더회로, 상기 여러개의 용장워드선에 대응해서 마련된 제어회로를 포함하고, 상기 디코더회로는 여러개의 제1어드레스신호 및 여러개의 제2어드레스신호를 받고, 상기 디코더회로는 상기 여러개의 제1어드레스신호 및 상기 여러개의 제2어드레스신호에 따라서 상기 여러개의 워드선중의 1개를 선택하고, 상기 제어회로는 상기 제1결함어드레스기억회로 및 제2결함어드레스기억회로를 포함하고, 제어신호를 출력하고, 상기 제1결함어드레스기억회로는 상기 여러개의 제2어드레스신호에 대응해서 마련되고, 상기 여러개의 제2어드레스신호에 대응하는 제2결함어드레스를 유지하는 것이 가능하게 되고, 상기 제2결함어드레스 기억회로는 상기 여러개의 제2어드레스신호에 대응해서 마련되고, 상기 여러개의 제2어드레스신호에 대응하는 제2결함어드레스를 유지하는 것이 가능하게 되고, 상기 제2결함어드레스기억회로는 상기 여러개의 제2어드레스신호에 대응해서 마련되고, 상기 여러개의 제2어드레스신호에 대응하는 제2결함어드레스를 유지하는 것이 가능하게 되고, 상기 제어회로는 상기 제어회로가 제1상태일 때, 상기 여러개의 제1어드레스신호와 상기 제1결함정보유지회로에 유지된 상기 제1결함어드레스가 일치한 경우 상기 제어신호를 출력하고, 상기 제어회로는 상기 제어회로가 제2상태일 때, 상기 여러개의 제1어드레스신와 상기 제1결함어드레스기억회로에 유지된 상기 제1결함어드레스가 일차하며, 또한 상기 여러개의 제2어드레스신호와 제2결함어드레스기억회로에 유지된 상기 제2결함어드레스기억회로가 일치한 경우 상기 제어신호를 출력하고, 상기 용장디코더회로는 상기 여러개의 제2어드레스신호를 받고, 상기 용장디코더회로는 상기 제어회로에서 상기 제어신호를 받았을 때 상기 여러개의 제2어드레스신호에 따라서 상기 여러개의 용장워드선중의 1개를 선택하는 반도체기억장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1결함어드레스기억회로는 상기 제1결함어드레스를 불휘발적으로 유지하고, 상기 제2결함어드레스기억회로는 상기 제2결함어드레스를 불휘발적으로 유지하는 반도체기억장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1결함어드레스기억회로는 여러개의 제1퓨즈를 포함하고, 상기 제2결함어드레스기억회로는 여러개의 제2퓨즈를 포함하는 반도체기억장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 여러개의 제2퓨즈가 소정의 상태인 경우, 상기 제어회로는 상기 제2상태인 반도체기억장치.
  19. 제15항에 있어서, 상기 여러개의 메모리셀 및 상기 여러개의 용장메모리셀은 다이나믹형인 반도체기억장치.
  20. 여러개의 워드선, 상기 여러개의 워드선에 결합된 여러개의 메모리셀, 상기 여러개의 워드선에 결합된 디코더회로, 여러개의 용장워드선, 상기 여러개의 용장워드선에 결합된 여러개의 용장메모리셀, 상기 여러개의 용장워드선에 결합된 용장디코더회로 및 상기 여러개의 용장워드선에 대응해서 마련된 제어회로를 포함하는 반도체기억장치로써, 상기 디코더회로는 제1어드레스신호 및 상기 제2어드레스신호를 받고, 상기 디코더회로는 상기 제1어드레스신호 및 상기 제2어드레스신호에 따라서 상기 여러개이 워드선중의 1개를 선택하고, 상기 제어회로는 상기 제1어드레스신호 및 상기 제2어드레스신호를 받고, 상기 제1어드레스신호에 대응하는 제1결함어드레스와 상기 제2어드레스신호에 대응하는 제2결함어드레스를 기억하는 것이 가능한 결함어드레스기억회로를 포함하고, 상기 제어회로는 상기 제1어드레스 및 상기 제2어드레스신호가 결함어드레스인 것을 판정했을 때 제어신호를 출력하고, 상기 용장디코더회로는 상기 제2어드레스신호를 받고, 상기 용장디코더회로는 상기 제어회로에서 상기 제어신호를 받았을 때 상기 제2어드레스신호에 따라서 상기 여러개의 용장워드선중의 1개를 선택하는 반도체기억장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 결함어드레스회로는 상기 제1결함어드레스 및 상기 제2결함어드레스를불휘발적으로 유지하는 것이 가능한 반도체기억장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 결함어드레스기억회로는 상기 제1결함어드레스를 유지하는 여러개의 제1퓨즈 및 상기 제2결함어드레스를 유지하는 여려개의 제2퓨즈를 포함하는 반도체기억장치.
  23. 제20항에 있어서, 상기 여러개의 메모리셀 및 상기 여러개의 용장메모리셀은 다이나믹형인 반도체기억장치.
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