KR930020475A - 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 노멀 메모리 쎌 어레이의 로우(row)방향에 불량쎌이 발생시에 이를 스페어 쎌로 대치하기 위한 로우리던던시 장치에 관한 것으로, [불량셀을 지정하는 어드레스 비트들중 2개 이상의 비트를 입력으로 하고 상기 2개 이상의 비트중 하나의 비트를 선택적으로 출력하는 어드레스 셀렉터와, 상기 불량셀의 어드레스 비트들중 상기 어드레스 셀렉터에서 출력으로 선택된 비트를 제외한 나머지 어드레스 비트들의 정보를 저장하는 퓨우즈 박스와, 상기 어드레스 셀렉터의 출력과 상기 퓨우즈 박스의 출력을 입력하여 리던던트 쎌을 동작시키는 리던던트디코더]를 구비하는 로우 리던던시 장치를 실현하므로서, 미니멈 어레이 브럭당 하나의 로우 리던던시 장치를 사용하면서도 로우성(즉,워드라인성)페일을 93% 이상으로 리페어하므로서 칩 사이즈의 증가를 억제할 뿐만 아니라 수율의 저하를 방지하게 된다.

Description

반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 로우리던던시장치의 블럭도.
제3도는 본 발명에 의한 어드레스 셀렉터의 실시예.
제4도는 본 발명에 의한 퓨우즈박스 및 행 로우 리더던트 디코더의 실시예.

Claims (2)

  1. 메모리 쎌 어레이내에 불량쎌이 발생시에 상기 불량쎌을 대치하기 위한 로우리던던시 장치를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 로우 리던던시 장치가 상기 불량쎌을 지정하는 어드레스 비트들중 2개 이상의 비트를 입력으로 하고 상기 2개 이상의 비트중 하나의 비트를 선택적으로 출력으로 어드레스 셀렉터와, 상기 불량쎌의 어드레스 비트들중 상기 어드레스 셀렉터에서 출력으로 선택된 비트를 제외한 나머지 어드레스 비트들의 정보를 저장하는 퓨우즈 박스와, 상기 어드레스 셀렉터의 출력과 상기 퓨우즈 박스의 출력을 입력하여 리던던트 쎌을 동작시키는 리던던트 디코더를 구비하여, 로우 리던던시의 효율을 극대화함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 로우 리던던시장치의 어드레스 셀렉터가 상기 불량쎌을 지정하는 3개의 어드레스 비트를 선택화함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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