KR930003163A - 리던던시 회로를 구비하는 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 리페어 회로의 일실시예,
제3도는 본 발명에 의한 리페어 회로의 다른 실시예.
Claims (7)
- 소정의 데이타가 저장되어 있는 노멀 메모리 셀 어레이와, 외부 어드레스 신호를 입력하여 상기 노멀 메모리 셀 어레이내의 소정의 선택된 메모리 셀을 저장하기 위한 노멀 디코더부와, 상기 노멀 메모리 셀 어레이 내에 불량셀이 발생시에 이를 대치하는 메모리 셀이 저장되어 있는 리던던트 메모리셀 어레이와, 상기 외부 어드레스 신호를 입력하여 상기 리던던트 메모리 셀 어레이내의 소정의 대치용 메모리 셀을 지정하기 위한 리던던트 디코부와, 상기 외부 어드레스를 입력하고 출력이 상기 노멀디코더부와 리던던트 디코더부의 일입력으로 각각 연결되어 소정의 제1출력기 상기 노멀 디코더부만을 인에이블시키는 리페어 수단을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 서로 다른 상기 외부 어드레스를 각각 일입력으로 하고 다수개의 퓨즈회로의 각각의 출력을 각각 타입력으로 하는 입력단을 구비하고, 리페어 동작시에 소정의 리페어할 메모리 셀의 어드레스가 입력되는 소정의 일입력 회로의 타입으로 들어오는 퓨즈회로외 퓨즈만을 컷팅하여 상기 리페어 동작을 수행함을 특징으로 하는 리페어 수단.
- 제1항에 있어서, 상기 각각의 퓨즈회로가, 전원전압단 및 접지 전압단 사이에 퓨즈와 저항소자가 서로 직렬 연결되고 그 공통단자를 출력노드로 하는 회로임을 특징으로 하는 리페어 수단.
- 소정의 데이타가 저장되어 있는 노멀 메모리 셀 어레이와, 외부 어드레스 신호를 입력하여 상기 노멀 메모리 셀 어레이내의 소정의 선택된 메모리 셀을 지정하기 위한 노멀 디코더부와, 상기 노멀 메모리 셀 어레이 내에 불량 셀이 발생시에 대치하기 위한 셀이 저장되어 있는 리던던트 메모리 셀 어레이와, 상기 외부 어드레스 신호를 입력하여 상기 리던던트 메모리 셀 어레이내의 소정의 대치용 메모리 셀을 지정하기 위한 리던던트 디코더부를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 서로 다른 상기 외부 어드레스를 각각 일입력으로 하고 다수개의 퓨즈회로의 각각의 출력을 각각 타입력으로 하는 다수개의 입력단과, 상기 각 입력단의 출력이 일입력씩으로 연결되는 다수개의 전송단과, 상기 각 전송단의 출력이 일입력씩으로 연결되고 출력이 상기 노멀디코더부 및 리던던트 디코더부의 일 입력으로 각각 연결되는 출력단으로 이루어진 리페어 수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 입력단과 전송단과 출력단이, 각각 노아회로로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 입력단과 전송단과 출력단이, 각각 낸드회로로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 리페어 수단이, 소정의 제1동작시에 디코딩할 어드레스를 입력하는 일입력회로의 타입력으로 되는 퓨즈회로만을 컷팅하여 상기 노멀 디코더 및 리던던트 디코더를 각각 디세이블 및 인에이블시킴을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1동작이, 리던던시 기능을 수행할시에 상기 리던던트 메모리 셀 내의 대치용 메모리 셀을 선택하기 위한 리페어 동작임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910012385A KR940006924B1 (ko) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 리페어 회로를 구비하는 반도체 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019910012385A KR940006924B1 (ko) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 리페어 회로를 구비하는 반도체 메모리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930003163A true KR930003163A (ko) | 1993-02-24 |
KR940006924B1 KR940006924B1 (ko) | 1994-07-29 |
Family
ID=19317526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910012385A KR940006924B1 (ko) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 리페어 회로를 구비하는 반도체 메모리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940006924B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170048222A (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-08 | 주식회사 엘지화학 | 유기 아연 촉매, 이의 제조 방법 및 상기 촉매를 이용한 폴리알킬렌 카보네이트 수지의 제조 방법 |
US10975196B2 (en) | 2017-05-10 | 2021-04-13 | Lg Chem, Ltd. | Method for purifying polyalkylene carbonate |
KR102408165B1 (ko) * | 2021-10-01 | 2022-06-13 | (주)케이테크놀로지 | 반도체 디바이스 테스터의 구제 해석 장치, 구제 해석 방법 및 반도체 디바이스 테스터 |
WO2024128554A1 (ko) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 아주대학교산학협력단 | 이산화탄소-에폭사이드 반응 촉매 제조 방법, 이산화탄소-에폭사이드 반응 촉매 및 폴리머 합성 방법 |
-
1991
- 1991-07-19 KR KR1019910012385A patent/KR940006924B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170048222A (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-08 | 주식회사 엘지화학 | 유기 아연 촉매, 이의 제조 방법 및 상기 촉매를 이용한 폴리알킬렌 카보네이트 수지의 제조 방법 |
US10975196B2 (en) | 2017-05-10 | 2021-04-13 | Lg Chem, Ltd. | Method for purifying polyalkylene carbonate |
KR102408165B1 (ko) * | 2021-10-01 | 2022-06-13 | (주)케이테크놀로지 | 반도체 디바이스 테스터의 구제 해석 장치, 구제 해석 방법 및 반도체 디바이스 테스터 |
WO2024128554A1 (ko) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 아주대학교산학협력단 | 이산화탄소-에폭사이드 반응 촉매 제조 방법, 이산화탄소-에폭사이드 반응 촉매 및 폴리머 합성 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940006924B1 (ko) | 1994-07-29 |
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