KR960015673B1

KR960015673B1 - 롬리페어회로

Info

Publication number: KR960015673B1
Application number: KR1019930002389A
Authority: KR
Inventors: 김종호; 민병무
Original assignee: 금성일렉트론 주식회사; 문정환
Priority date: 1993-02-20
Filing date: 1993-02-20
Publication date: 1996-11-20
Also published as: KR940020572A

Abstract

내용없음

Description

롬리페어회로

제1도는 종래 롬리페어회로 구성도.

제2도는 제1도에 있어서, 롬셀 어레이부(1)의 롬리던던시셀 구조도.

제3도는 제1도에 있어서, 제1,제2어드레스부(2)(3)의 상세 회로도.

제4도는 본 발명 롬리페어회로 구성도.

제5도는 제4도에 있어서, 에러출력감지부(20)의 상세 회로도.

제6도는 제4도에 있어서, 어드레스제어부(30), 어드레스출력부(40)의 상세 회로도.

제7도는 본 발명 롬리페어회로의 다른 실시예도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1,50 : 롬셀 어레이부 2 : 제1어드레스검출부

3 : 제2어드레스검출부 4 : X리던던시셀

4 : Y리던던시셀 10 : 어드레스검출부

20 : 에러출력감지부 20 : 어드레스제어부

40 : 어드레스출력부 60 : 데이타선택부

51 : 제1데이타 발생부 52 : 제2데이타발생부

NAND : 낸드게이트 T₁-T₄: 전송게이트

I₁-I₅: 인버터 MP : 피모스트랜지스터

MN : 엔모스트랜지스터 F : 퓨즈

본 발명은 롬(ROM) 리페어(Repair) 회로에 관한 것으로, 특히 리던던시셀(Redundancy Cell)를 갖지 않고 셀의 불량이 발생할 경우 불량이 발생한 어드레스의 출력을 변화시켜 불량어드레스를 리페어하도록 하는 롱 리페어회로에 관한 것이다.

제1도는 종래 롬 리페어회로 구성도로서, 이에 도시된 바와 같이 원하는 어드레스를 억세스하는 롬셀어레이부(1)와, 상기 롬셀어레이부(1)에서 어드레스의 불량이 발생할 경우 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)에 따라 X방향, Y방향의 어드레스를 디코딩하여 에러어드레스검출신호(EAD_X), 에러어드레스검출신호(EAD_Y)를 발생하는 X어드레스검출부(2), Y어드레스검출부(3)와, 상기 X,Y어드레스검출부(2)(3)의 에러어드레스검출신호(EAD_X)(EAD_Y)에 따라 X,Y방향의 어드레스값을 각기 리페어하는 X리던던시셀(4), Y리던던시셀(5)로 구성하며 상기 롬셀어레이부(1)는 워드라인(W_Ln)의 제어를 받아 비트라인(BL₁-BL_n)의 신호를 출력하는 리던던시셀(RC₁-RC_n)로 구성되며, 상기 리던던시셀(RC₁-RC_n)은 엔모스트랜지스터(MN₁-MN_n)와 그 엔모스트랜지스터(MN₁-MN_n)의 소오스에 접속된 퓨즈(F₁-F_n)로 구성된다.

또한, 상기 X,Y어드레스검출부(2)(3)는 전원전압(Vcc)을 게이트가 접지된 피모오스트랜지스터(MP)의 소오스에 접속하고, 그 드레인을 에러어드레스검출단자(EAD)에 접속함과 아울러 각퓨즈(F₁₁-F_1n)(F₂₁-F_2n)를 통해 게이트가 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)에 접속된 엔모스트랜지스터(MN₁₁-MN_1n)(MN₂₁-MN_2n)의 드레인에 접속하고, 상기 엔모스트랜지스터(MN₁₁-MN_1n)(MN₂₁-MN_2n)의 소오스를 접지시켜 구성한다.

이와같이 구성되는 종래 롬리페어회로는 롬셀어레이부(1)는 제2도에 도시된 바와 같이 워드라인(W_Ln)의 제어를 받아 비트라인(BL₁-BL_n)을 신호를 억세스(access)하는데 리던던시셀(RC₁)에서 억세스하는 어드레스값이 "0"이어야 하나 어드레스값이 "1"되어 불량이 발생하면, 그 리던던시셀에 대응하는 X방향이나 Y방향의 어드레스를 찾아 레이저나 전기적인 방법으로 퓨즈(F₁)를 절단한다.

이때, X,Y어드레스검출부(2)(3)는 제3도에 도시된 바와 같이 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)에 따라 불량발생을 감지하다가 상기 롬셀어레이부(1)에서 불량이 발생하면, 레이저나 전기적방법으로 각 엔모스트랜지스터(MN₁₁-MN_1n)(MN₂₁-MN_2n)에 연결된 퓨즈(F₁₁-F_1n)(F₂₁-F_2n)을 절단하여 각기 에러어드레스검출신호(EAD_X)(EAD_Y)를 발생한다.

이에따라 X리던던시셀(4)과 Y리던던시셀(5)은 불량이 발생한 롬셀 어레이부(1)의 리던던시셀을 리페어한다.

여기서, 상기 X리던던시셀(4)과 Y리던던시셀(5)는 불량이 발생한 리던던시셀이 연결된 X어드레스와 Y어드레스 전체를 리페어하여 다시 기억시키게 된다.

그러나, 상기에서 설명한 종래 롬리페어회로는 임의의 어드레스에 불량이 발생하였을 경우 그 어드레스가 가지고 있는 정보를 모두 리페어 해야하고, 불량발생이 따른 리페어를 위한 X,Y방향의 리던던시셀을 추가해야 하므로 면적이 증가하는 문제점이 있었다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 리던던시셀을 갖지 않으면서 불량이 발생한 어드레스의 출력단을 변화시켜 불량 어드레스를 리페어할 수 있도록 한 롬리페어 회로를 창안한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제4도는 본 발명 롬리페어회로 구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 원하는 어드레스값을 억세스하는 롬셀이레이부(1)와, 상기 롬셀어레이부(1)에서 어드레스의 불량이 발생할 경우 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)에 따라 X,Y방향의 어드레스를 디코딩하여 어레 어드레스검출신호(EAD)를 출력하는 어드레스검출부(10)와, 상기 어드레스검출부(10)의 출력신호를 입력받아 불량이 발생한 어드레스의 출력신호를 감지하는 에러출력감지부(20)와, 상기 어드레스검출부(l0)와 에러출력감지부(20)의 출력신호를 조합하는 낸드게이트(NAND)와, 상기 낸드게이트(NAND)의 출력신호에 제어를 받아 데이타 버스신호(DB)를 제어하는 어드레스제어부(30)와, 상기 어드레스제어부(30)의 출력신호에 따라 변화된 어드레스를 출력하는 어드레스출력부(40)로 구성하고, 상기 에러출력감지부(20)는 에러어드레스검출신호(EAD)를반전하는 인버터(I₁)를 피모스트랜지스터(MP₂)의 게이트에 접속하고, 전원전압(Vcc)을 상기 피모스트랜지스터(MP₂)의 소오스에 접속하여 그 드레인을 에러출력단자(EOUT)에 접속하고 상기 피모스트랜지스터(MP₂)의 드레인을 퓨즈(F)를 통해 전원전압(Vcc)이 게이트에 접속된 엔모스트랜지스터(MN₁)의 드레인에 접속하여 그 소오스를 접지시켜 구성하며, 상기 어드레스제어부(30)는 낸드게이트(NAND)의 출력단을 데이타 버스신호(DB)가 입력단에 인가되는 전송게이트(T₂)(T₄)의 일측단자(g)와 전송게이트(T₁)(T₂)의 타측단자에 접속함과 아울러 인버터(I₂)(I₃)를 통해 상기 전송게이트(T₂)(T₄)의 타측단자와 전송게이트(T₁)(T₃)의 일측단자(g)에 접속하고, 상기 전송게이트(T₁)(T₃)의 출력단자을 인버터(I₄)(I₅)를 통해 상기 전송게이트(T₂)(T₄)의 출력단과 각기 접속(A)(B)하여 구성하며, 상기 어드레스출력부(40)는 엔모스트랜지스터(MN₂)(MN₃)의 게이트를 상기 어드레스제어부(30)의 출력단(A)(B)에 각기 접속하고, 전원전압(Vcc)을 상기 엔모스트랜지스터(MN₂)의 드레인에 접속하여 그 소오스를 롬셀어레이부(1)에 접속함과 아울러 상기 엔모스트랜지스터(MN₃)의 드레인에 접속하고, 상기 엔모스트랜지스터(MN₃)의 소오스를 접지시켜 구성한다.

이와같이 구성한 본 발명의 작용효과를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

롬셀어레이부(1)가 리덩던세셀(RC₁-RC_n)의 어드레스값을 억세스할시 억세스한 어드레스가 원하는 값이 아닌 다른 값이 발생하면 억세스하고자 하는 리던던시셀의 각 엔모스트랜지스터(MN₁-MN_n)에 연결된 퓨즈(F₁-F_n)를 레이저나 전기적방법으로 절단하여 어드레스 불량이 발생함을 알려준다.

이에따라 외부에서 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)를 어드레스검출부(10)로 출력하면, 제3도에 도시된 바와 같이 상기 어드레스검출부(10)는 X,Y방향의 어드레스를 디코딩하여 불량이 발생한 해당 퓨즈(F₁₁-F_1n)(F₂₁-F_2n)를 절단하여 에러어드레스 검출신호(EAD)를 발생한다.

여기서 불량이 발생한 리던던시셀의 퓨즈(F₁₁-F_1n)(F₂₁-F_2n)를 절단하면 그 퓨즈에 해당하는 엔모스트랜지스터(MN₁₁-MN_1n)(MN₂₁-MN_2n)가 분리되어 피모스트랜지스터(MP₁)에 인가되는 전원전압(Vcc)이 출력된다.

예를 들어, 롬셀 어레이부(1)가 억세스하고자 하는 어드레스값이 "0"일때, "1"이 억세스되면, 제3도에 도시한 바와 같이 어드레스검출부(10)는 외부어드레스입력신호(A₁)에 따라 디코딩하여 엔모스트랜지스터(MN₁₁)에 연결된 퓨즈(F₁₁)를 절단한다.

이에따라 상기 어드레스검출부(10)는 해당 리던던시셀이 불량이라는 어레어드레스검출신호(EAD) "1"을 발생하고, 이 "1"은 제5도에 도시한 바와 같이 에러출력감지부(20)의 인버터(I₁)에 의해 "0"으로 반전되어 피모스트랜지스터(MP₂)로 인가된다. 이때 상기 에러출력감지부(20)는 퓨즈(F)를 절단하여 엔모스트랜지스터(MN₁)를 분리하므로, 상기 에러출력감지부(20)는 에러출력신호(Eout) "1"을 출력하고, 이 "1"은 낸드게이트(NAND)의 일측단자로 인가된다.

따라서, 상기 낸드게이트(NAND)는 에러출력신호 "1"과 상기 어드레스검출부(10)의 에러어드레스검출신호(EAD) "1"을 낸드조합하여 "0"을 출력하고, 이 "0"은 제6도에 도시한 바와 같이 어드레스제어부(30)의 전송게이트(T₁)(T₃)의 타측단자와 전송게이트(T₂)(T₄)의 일측단자(g)로 인가됨과 아울러 인버터(I₂)를 통해 전송게이트(T₁)의 일측단자(g)와 전송게이트(T₂)의 타측단자로 인가되며, 인버터(I₃)를 통해 전송게이트(T₃)의 일측단자(g)와 전송게이트(T₄)의 타측단자로 인가되어, 전송게이트(T₁)(T₃)를 턴-온시키고, 전송게이트(T₂)(T₄)를 턴-오프시킨다.

이때 외부에서 데이타버스신호(DB)가 전송게이트(T₁)(T₂)와 전송게이트(T₃)(T₄)의 입력단에 인가되면 데이터버스신호(DB)는 전송게이트(T₁)를 통해 인버터(L₄)에서 반전되고, 데이터버스신호는 전송게이트(T₃)를 통해 인버터(I₅)에서 반전되어 어드레스출력부(40)의 엔모스트랜지스터(MN₁-MN_n)로 각기 인가된다.

만약, 상기 데이타 버스신호(DB)가 "1"이면 인버터(I₄)의 출력은 "0"이 되어 상기 엔모스트랜지스터(MN₃)는 오프되고, 인버터(I₅)의 출력은 "1"이 되어 상기 엔모스트래지스터(MN₃)는 온된다. 따라서 어드레스출력부(40)는 "0"을 롬셀어레이부(1)로 출력하므로, 상기 롬셀어레이부(1)는 이 "0"을 억세스하여 롬을 리페어할 수 있게 된다.

반대로, 롬셀어레이부(1)가 "1"를 억세스해야 하나 "0"을 억세스하는 불량이 발생하면 어드레스검출부(10)는 에러어드레스검출신호(EAD) "0"을 출력하고, 이 에러어드레스검출신호(EAD)에 의해 에러출력감지부(20)는 에러출력신호(Eout) "0"을 발생한다.

이에따라 낸드게이트(NAND)는 이 두신호를 조합하여 "1"을 출력하므로 전송게이트(T₂)(T₄)가 턴-온된다.

따라서, 데이터버스신호(DB)는 각긱 상기 전송게이트(T₂)(T₄)를 ㅌ오해 엔모스트랜지스터(MN₂)를 턴-온시키고, 엔모스트랜지스터(MN₃)를 턴-오프시킨다. 이에따라 어드레스출력부(40)는 "1"를 롬셀어레이부(1)로 출력하므로 상기 롬셀어레이부(1)는 "1"를 억세스하여 롬을 리페어하게 된다.

한편, 제7도는 본 발명 롬리페어 회로의 다른 실시예로서 이에 도시한 바와 같이 리던던시셀을 갖지 않고 데이터 선택신호에 따라 자체에서 발생한 어드레스값을 억세스하는 롬셀어레이부(50)와, 상기 롬셀어레이부(50)의 억세스값 불량시 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)에 따라 디코딩하여 에러어드레스검출신호(EAD)를 발생하는 어드레스검출부(20)와, 상기 어드레스검출부(20)의 출력신호(EAD)를 입력받아 에러출력신호(Eout)를 출력하는 에러출력감지부(30)와, 상기 어드레스검출부(20)와 에러출력감지부(30)의 출력신호(EAD)(Eout)를 낸드조합하는 낸드게이트(NAND)와, 상기 낸드게이트(NAND)의 출력신호를 디코딩하여 데이터선택신호를 출력하는 데이터선택부(60)로 구성하며, 상기 롬셀어레이부(50)는 어드레스값 "0"를 발생하는 제1데이타발생부(51)와, 어드레스값 "1"을 발생하는 제2데이타발생부(52)로 구성한다.

이와같이 구성한 롬리페어회로는 롬셀어레이부(50)에서 억세스한 어드레스값이 불량이면, 어드레스검출부(20)는 외부에서 공급하는 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)의 제어를 받아 어드레스를 디코딩하여 에러어드레스검출신호(EAD)를 발생하게 된다. 즉 불량이 발생한 어드레스의 퓨즈(F₁₁-F_1n)(F₂₁-F_2n)를 절단하여 전원전압(Vcc)에 의해 에러어드레스검출신호(EAD) "1"를 발생한다.

이 "1"은 에러출력감지부(30)로 입력되어 인버터(I₁)에서 "0"으로 반전된후 피모스트랜지스터(MP₂)를 턴-온시킨다. 이때 퓨즈(F)가 절단되므로 상기 피모스트랜지스터(MR₂)는 "1"의 에러출력신호(Eout)를 낸드게이트(NAND)의 일측단자로 출력한다.

이에따라 상기 낸드게이트(NAND)는 에러출력신호(Eout)와 에러어드레스검출(EAD)인 "1"과 "1"을 낸드조합하여 "0"을 출력한다. 이에따라 데이타선택부(60)는 상기 낸드게이트(NAND)의 출력신호를 입력받아 디코딩하여 상기 롬셀어레이부(50)가 정상적으로 어드레스값 "0"을 선택하도록 데이타선택신호를 출력하면 상기 롬셀어레이부(50)는 자체에서 어드레스값을 발생하는 제1데이타발생부(51)의 출력신호 "0"을 억세스하여 정상적인 동작을 수행하게 된다.

만약, 상기 롬셀어레이부(50)에서 "0"을 억세스하는 불량이 발생하면 상기 어드레스검출부(20)의 에러어드레스검출신호(EAD)는 "0"이 되고, 이 "0"에 의해 에러출력감지부(30)의 에러출력신호(Eout)도 "0"이 되므로 상기 낸드게이트(NAND)의 출력은 "1"이 된다.

따라서 데이타선택부(60)는 상기 낸드게이트(NAND)의 출력을 디코딩하여 롬셀어레이부(50)가 "1"을 억세스하도록 "1"을 선택하는 데이타선택신호를 출력하면, 상기 롬셀어드레이부(50)는 제2데이타발생부(52)에서 발생하는 "1"을 억세스하여 정상적으로 동작하게 된다.

상기에서 설명한 바와 같이 본 발명은 리던던시셀을 갖지 않으면서 비트(bit)불량을 리페어하는데 적합하여, 출력단만을 직접제어함으로써 내부신호의 지연없이 비트불량이 리페어할 수 있는 효과가 있다.

Claims

어드레스값을 억세스하는 롬셀어레이부(1)와, 상기 롬셀어레이부(1)의 불량발생시 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)에 따라 X,Y방향의 어드레스를 디코딩하여 에러어드레스검출신호(EAD)를 출력하는 어드레스검출부(10)와, 상기 어드레스검출부(10)의 출력신호를 입력받아 불량발생 어드레스의 출력신호를 감지하는 에러출력감지부(20)와, 상기 어드레스검출부(10)와 에러출력감지부(20)의 출력신호를 조합하는 낸드게이트(NAND)와, 상기 낸드게이트(NAND)의 출력신호에 제어를 받아 데이타버스신호(DB)를 제어하는 어드레스제어부(30)와, 상기 어드레스제어부(30)의 출력신호에 따라 변화된 어드레스값을 출력하는 어드레스출력부(40)로 구성함을 특징으로 하는 롬리페어회로.
제1항에 있어서, 에러출력감지부(20)는 에러어드레스검출신호(EAD)를 반전하는인버터(I₁)를 피모스트랜지스터(MP₂)의 게이트에 접속하고, 전원전압(Vcc)를 상기 피모스트랜지스터(MR₂)에 접속하여 그 드레인을 에러출력단자(Eout)에 접속하과 아울러 퓨즈(F)를 통해 전원전압(Vcc)이 게이트에 접속한 엔모스트랜지스터(MN₎1의 드레인에 접속하고, 상기 엔모스트랜지스터(MN₁)의 소오스를 접지시켜 구성함을 특징으로 하는 롬리페어회로.
제1항에 있어서, 어드레스제어부(30)는 낸드게이트(NAND)의 출력단을 데이타버스신호(DB)가 입력단에 인가되는 접속게이트(T₂)(T₄)의 일측단자(g)와 전송게이트(T₁)(T₃)의 타측단자에 접속함과 아울러 인버터(I₂)(I₃)를 각기 통해 전송게이트(T)의 일측단자(g), 전송게이트(T₂)의 타측단자와 전송게이트(T₃)의 일측단자(g), 전송게이트(T₄)의 타측단자에 접속하고, 상기 전송게이트(T₁)(T₃)의 출력단을 인버터(I₄)(I₅)를 통해 상기 전송게이트(T₂)(T₄)의 출력단과 각기 접속(A)(B)하여 구성함을 특징으로 하는 롬리페어회로.
제1항에 있어서, 어드레스출력부(40)는 엔모스트랜지스터(MN₁-MN_n)의 게이트를 상기 어드레스제어부(30)의 출력단(A)(B)에 각기 접속하고, 전원전압(Vcc)을 상기 엔모스트랜지스터(MN₂)의 드레인에 접속하여 그 소오스를 롬셀어레이부(1)에 접속함과 아울러 상기 엔모스트랜지스터(MN₃)의 드레인에 접속하고, 상기 엔모스트랜지스터(MN₃)의 소오스를 접지시켜 구성함을 특징으로 하는 롬리페어회로.
리던던시셀을 갖지 않고 데이타선택신호에 따라 자체에서 발생되는 어드레스값을 억세스하는 롬셀어레이부(50)와, 상기 롬셀어레이부(50)의 억세스불량시 외부어드레스입력신호(A₁-A_n)에 따라 디코딩하여 에러어드레스검출신호(EAD)를 발생하는 어드레스검출부(20)와, 상기 어드레스검출부(20)의 출력신호를 입력받아 에러출력신호(Eout)를 출력하는 에러출력감지부(30)와, 상기 어드레스검출부(20)와, 에러출력감지부(30)의 출력신호(EAD)(Eout)를 낸드조합하는 낸드게이트(NAND)와, 상기 낸드게이트(NAND)의 출력신호를 디코딩하여 상기 롬셀어레이부(50)가 억세스하기 위한 데이타선택신호를 출력하는 데이타선택부(60)로 구성함을 특징으로 하는 롬리페어회로.
제5항에 있어서, 롬셀어레이부(50)는 상기 데이타선택부(60)로부터 출력되는 데이타선택신호에 따라 어드레스값 "0"을 발생하는 제1데이타 발생부(51)와, 어드레스 값 "1"을 발생하는 제2데이타발생부(52)로 구성함을 특징으로 하는 롬리페어회로.