KR950009742A - 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로 - Google Patents
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Abstract
전자 회로는 행렬로 기능적으로 구성된 다수의 메모리 셀의 어레이를 구비한다. 상기 회로는 어레이의 모든 셀을 병렬로 엑세스하도록 선택적으로 작동되는 검사수단을 구비한다. 그러면 InnQ-검사는 셀에 결점이 있는지를 발견한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 DRAM을 구비한 회로도,
제2도는 결점이 설명된 통상의 DRAM 다이아그램,
제3도는 본발명의 SRAM을 구비한 회로도.
Claims (12)
- 행렬로 기능적으로 구성된 다수의 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로에 있어서, 상기 열중 적어도 하나의 열의 주어진 둘 또는 그 이상의 메모리 셀을 병렬로 액세스하도록 선택적으로 작동되는 검사 수단을 포함하며 메모리 셀중 적어도 폴트가 없는 셀에서 핫-전자 주입이나 폴러-노드하임 터널링이 일어나지 않는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 검사 수단은 다수의 열의 모든 셀이 병렬로 액세스되도록 작동되는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 검사 수단은 다수의 열의 모든 셀이 병렬로 액세스되도록 작동되는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 검사 수단은 메모리의 모든 셀이 병렬로 액세스되도록 작동되는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 랜덤 액세스 메모리는 DRAM을 구비하는 것을 특징으로하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제4 또는 5항에 있서, 상기 랜덤 액세스 메모리는 SRAM을 구비하는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리는 CCD 메모리를 구비하는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리는 LCD를 구비한 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 메모르는 웨이퍼 스케일 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 검사 수단은 메모리의 모든 열의 모든 메모리 셀이 먼저 병렬로 액세스되도록 작동되며, 이에 의해 미리 결정된 문턱값보다 더 큰 메모리를 통하여 흐르는 전류를 야기하면 모든 열보다 더 작은 모든 셀을 병렬로 액세스하는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 각각의 행의 각각의 셀은 각각의 워드 라인에 접속되며, 상기 각가의 열의 셀은 각가의 비트 라인에 접속되며, 상기 검사 수단은 하나의 열의 주어진 특정한 셀에 접속된 상기 워드 라인의 적어도 하나의 워드 라인을 활성화시키도록 작동하며, 정지 전압에 의해 특정한 열에 연관된 하나의 비트 라인을 구동하도록 작동되는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.
- 제11항에 있어서, 상기 메모리는, 하나의 행과 연관된 행 어드레스를 수신하여 하나의 행을 선택하는 각각의 워드 라인에 결합된 행 디코딩 수단과, 하나의 열과 연관된 열 어드레스를 수신하여 적어도 하나의 열을 선택하는 각각의 비트 라인에 결합된 열 디코딩 수단과, 비트 라인을 선택적으로 구동하기 위하여 열 디코딩 수단과 열 사이에 결합된 비트 라인 구동기 수단 및, 각각의 비트 라인을 선-충전하기 위하여 각각의 비트 라인에 결합된선-충전 수단을 포함하며, 상기 검사 수다는, 열 디코딩 수단으로부터 워드 라인이 접속되지 않도록 워드 라인과 열 디코딩 수단 사이에 결합된 제1스위치 수단과, 워드 라인을 공급 전압 노드에 접속하기 위하여 워드 라인과 행 디코딩 수단 사이에 결합된 제1스위치 수단을 포함하며, 적어도 선-충전 수단 또는 비트 라인 구동기의 제어를 위한 제어 수단은 적어도 특정한 열이 비트 라인을 구동하는 것을 특징으로 하는 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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