JP2001283598A - Ｓｒａｍペレットにおける冗長回路切り替えのための検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 冗長セルを備えたＳＲＡＭペレットの不良の
内セルの欠陥に起因し、その欠陥セルを冗長セルに切り
替えれば良品化するようなセルを見つけ出し、切り替え
工事を行うための検査方法において、従来不良としてい
た回路電流規格はずれ品の一部を修復可能なものとして
欠陥セルを見つけ出す。 【解決手段】 まず、セルの切り替えにより修復し良品
化することが出来ない項目を電源投入時の回路電流を含
んで検査（２０）し、パス品に対して、全セルに「０」
を書き込み後の回路電流の検査３０を行う。そこで、規
格外になったものに付いて、「０」を書き込み後電流の
大きいセルの探査４０を行う。そして、同様に「１」を
書き込み後電流の大きいセルの探査６０を行う。そし
て、全セルの機能検査７０で見付けた欠陥セルと共に冗
長セルに切り替える対象とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、冗長セル群を含む
冗長回路を備えたスタティックランダムアクセスメモリ
（以下ＳＲＡＭ装置）の製造工程において、ウェーハ上
に複数形成されたＳＲＡＭペレット（以下ペレット）の
不良品を見つけ出し、その不良がセルの欠陥であって、
冗長セルと切り替えれば良品化する可能性のある欠陥セ
ルを見つけ出す検査の方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ＳＲＡＭ装置の大容量化に伴い、
歩留まりの向上を図るために、冗長回路を搭載すること
が一般に行われている。この冗長回路はＳＲＡＭ本来の
セルと同様なセルを複数有する冗長セル群を含み、本来
のセルに欠陥があって、機能しない場合は冗長セルに切
り替えて、本来セルのみであれば不良となるＳＲＡＭ装
置を良品化して救い上げ、歩留まりの向上を図るもので
ある。このような切り替えの方法はウェーハ状態でのペ
レットに対して、ヒューズの切断とか、アンチヒューズ
の接続とかを施して行なわれる。

【０００３】このように、切り替えを行うためには、ウ
ェーハ上に多数出来上がったペレットを順次検査して不
良のペレットを見つけ、その不良とされた内容が冗長セ
ルとの切り替えて良品化する可能性のあるものであれ
ば、欠陥のある本来セル（以下セル）を見つけ出す必要
がある。すなわち、セルを切り替えても良品化する可能
性の無いペレットの場合に、時間をかけて欠陥のあるセ
ルを探し出したり、切り替えのためにヒューズの切断を
行う必要はない。

【０００４】そこで、従来の冗長回路切り替えのための
検査方法は例えばスタンバイ状態（書き込みや読み出し
の行われていない状態）の回路電流を含む各種項目の規
格をパスしたものに付いて全セルに付いて順次データ
「０」とデータ「１」とを書き込みと読み出しとを行う
機能検査を行い、機能不良セルがなければ良品とし、機
能不良のセルがあればそれを記録して、そのセルを冗長
セルと切り替えるようにしている。

【０００５】ところで、スタンバイ時の回路電流の規格
を保証するために、製造工程では、電源投入して書き込
みや読み出しを行っていない状態での回路電流（以下電
源投入時の回路電流）と、全セルにデータ「０」を書き
込んだ後の回路電流（以下０書き込み後の回路電流）
と、全セルにデータ「１」を書き込んだ後の回路電流
（以下「１」書き込み後の回路電流）を検査し、所定の
規格を超えるものを不良として、冗長セルと切り替える
対象の不良項目とはしていない。なぜならば、上記のよ
うな各回路電流はセルの部分の電流と、他の周辺回路の
部分の電流と合わせたものであり、特定のセルでの電流
が異常に大きいことを見つけることが簡単でなく、時間
をかけて見つけ出しても、セルの切り替えにより使わな
くなったセルの電流が小さくなる不良のモードは一部の
ものに限られているのであまり効率良いことではでない
と考えられていた。

【０００６】次に、ＳＲＡＭ装置のセルの部分の説明を
する。図３はセル１００の回路図である。セル１００は
記憶用トランジスタＱ１とその負荷抵抗Ｒ１との直列接
続をその接続点をノードＮ１として備え、負荷抵抗Ｒ１
が高電位側電源ラインＶＤＤに接続され、トランジスタ
Ｑ１が低電位側電源ラインＶＳＳに接続されている。同
様に、記憶用トランジスタＱ２とその負荷抵抗Ｒ２との
直列接続をその接続点をノードＮ２として備え、負荷抵
抗Ｒ２が高電位側電源ラインＶＤＤに接続され、トラン
ジスタＱ２が低電位側電圧ラインＶＳＳに接続されてい
る。そして、両トランジスタＱ１，Ｑ２のゲートはそれ
ぞれ互いの反対側ノードＮ２，Ｎ１にたすきがけ状に接
続されてフリップフロップ回路を構成している。そし
て、ノードＮ１をデジット線Ｄに接続する選択トランジ
スタＱ３と、ノードＮ２をデジット線Ｄ＊に接続する選
択トランジスタＱ４とを備える。なお、デジット線Ｄ＊
はデジット線Ｄに対してＨ，Ｌ反対の電圧が与えられる
ラインで、通常の表示はＤの上に−を記して表すことが
多いがこの明細書ではこのように表記することにする。
そして、これら選択トランジスタＱ３，Ｑ４のゲートは
ワード線Ｗに共通接続されている。なお、これら、トラ
ンジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４は例えばすべてＮチャ
ンネルＭＯＳ型トランジスタである。

【０００７】このようなセル１００が多数のワード線Ｗ
と多数のデジット線対Ｄ，Ｄ＊との各交点に配置されて
ＳＲＡＭ装置の本体セル群を構成する。そして、書き込
みに際しては、そのセル１００に繋がるデジット線Ｄと
デジット線Ｄ＊との対が選ばれ例えばデジット線ＤにＬ
の電圧、デジット線Ｄ＊にＨの電圧が与えられ、同様に
そのセル１００に繋がるワード線Ｗが選ばれＨの電圧が
与えられる。そうすると選択トランジスタＱ３，Ｑ４が
ＯＮし、ノードＮ１にＬ、ノードＮ２にＨの電圧が与え
られる。そうすれば記憶用トランジスタＱ１はＯＮし、
Ｑ２はＯＦＦして書き込み終了後ワード線Ｗの電圧がＬ
となって選択トランジスタＱ３，Ｑ４がＯＦＦした後も
ノードＮ１の電圧をＬ、ノードＮ２の電圧をＨに維持し
て、例えばこの状態を「０」と定義すればデータ「０」
を記憶している。反対にノードＮ１にＨ、ノードＮ２に
Ｌの電圧が与えられる書き込みを行えばセル１００はデ
ータ「１」を記憶保持する。そして、読み出しに際して
は、そのセル１００に繋がるデジット線Ｄ又はデジット
線Ｄ＊が選ばれ例えば電圧を検知する回路が接続される
と共にそのセル１００に繋がるワード線Ｗが選ばれＨの
電圧が与えられる。そうすると選択トランジスタＱ３，
Ｑ４がＯＮし、ノードＮ１若しくはノードＮ２の電圧が
デジット線Ｄまたはデジット線Ｄ＊に与えられる。そう
すればノードＮ１又はノードＮ２の電圧をが検出され、
記憶の内容が読み出される。

【０００８】そして、各セル１００に付いて順次上記の
ように書き込みと読み出しをデータ「０」とデータ
「１」と双方行って機能不良のセルがあれば、そこを使
用せずに切り替えるために、冗長回路の中にも冗長セル
として同様なセル１００が複数配置されている。例えば
不良のセルと同じデジット線対Ｄ，Ｄ＊に繋がった冗長
セルがあって、本来は不良セルに繋がるワード線Ｗが選
択される時にそれは選択せずに、冗長セルに繋がる別の
ワード線を選択するように、例えばヒューズの切断等に
より回路切り替えを行う。従って、不良のセルは使用し
ないとは言え電源ラインＶＤＤ又はＶＳＳから切り離さ
れているわけではない。ただ選択トランジスタＱ３，Ｑ
４をＯＮさせないようにするだけである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、近年ＳＲＡ
Ｍ装置は携帯電話器やモバイル機器にも用いられ、その
場合は特に低消費電流のものが要求される。このよう
な、所謂ローパワーＳＲＡＭ装置では、スタンバイ時の
回路電流の規格が厳しく、その為に歩留まりを低下させ
ている。そこで、この発明は回路電流規格はずれのもの
の内でセル部分に欠陥があり、冗長セルと切り替えれば
良品化する可能性ある電流異常のセルをなるべく簡単に
見つけ出して冗長セルと切り替えて良品化して歩留まり
の向上を図るものである。

【００１０】ところで、電源投入時の回路電流はセル１
００の部分に付いて見れば、電源はＯＮしたが、未だワ
ード線ＷはＬを維持した状態のままの回路電流である。
その際、記憶用トランジスタＱ１，Ｑ２や負荷抵抗Ｒ
１，Ｒ２が設計の通りにバランスがとれた状態であれば
トランジスタＱ１がＯＮしているか、トランジスタＱ２
がＯＮしているか不定である。しかしながら、特定のセ
ル１００が回路電流規格オーバーとなる主因となるほど
に大きな電流が流れるような異常な場合には、多くの場
合にバランスが大きく崩れていて、どちらかの状態を繰
り返し再現すると思われる。そうすれば、仮にそのよう
なセル１００を見つけ出して、そこを不使用として冗長
セルに切り替えても、その不使用とされたセルは、ただ
選択トランジスタＱ３，Ｑ４をＯＮさせないだけなの
で、電源投入時の回路電流の測定時の状態を常時維持す
ることであり、このペレットの回路電流を減らす作用は
ない。従って、電源投入時の回路電流規格はずれ品は修
復の候補とはならない。

【００１１】そこで、この発明では、電源投入時の回路
電流が規格を満たすペレットについてデータ「０」書き
込み後の電流やデータ「１」書き込み後の電流が異常に
大きいセルを見つけ出し冗長セルと切り替えてデータ書
き込み後の回路電流規格はずれのペレットを良品化しよ
うとするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明は、ＳＲＡＭペレットが備える冗長セル
と切り替えるために前記ＳＲＡＭペレットにおける欠陥
セルを見付け出す検査方法において、電源投入後で書き
込みをする前の回路電流を検査して、そのパス品に対し
て、「０」か「１」かの一方のデータを全てのセルに書
き込んだ後の回路電流を検査し、はずれ品に付いては前
記一方のデータを書き込んだ後の電流が大きい欠陥セル
を探査し、見つかればそのセルを要切り替えセルとする
と共に、他方のデータを全てのセルに書き込んだ後の回
路電流を検査し、はずれ品に付いては前記他方のデータ
を書き込んだ後の電流が大きい欠陥セルを探査し、見つ
かればそのセルを要切り替えセルとすることを特徴とす
る検査方法を提供する。

【００１３】上記の検査方法によれば、欠陥のあるセル
を冗長セルと切り替えるのにセルを電源ラインから切り
離すことなく、単に選択トランジスタをＯＮさせないよ
うにするものであっても、電源投入後で書き込みや読み
出しをする前の回路電流が規格パスしたペレットに対し
て、データ「０」かデータ「１」かを書き込んだ後の電
流が大きい欠陥セルを見つけだし、そのセルを要切り替
えセルとするので、切り替えが行われた後には選択トラ
ンジスタがＯＮしないので、電源投入後で書き込みや読
み出しをする前の状態（電流が異常に大きいことがない
状態）を維持する。

【００１４】所で、電源投入後、書き込みや読み出しを
しない状態での電流が正常で、書き込み後の電流が大き
くなるようなセルの欠陥モードの例を説明する。例えば
図４に示す欠陥セル２００のように、負荷抵抗Ｒ１が異
常に小さい抵抗値で出来上がっているとか、高電位側電
源ラインＶＤＤからノードＮ１に向けてのリーク電流パ
スが出来ているとかにより、実質的に小さい抵抗値とな
っている場合には、電源が投入された際にノードＮ１の
電圧上昇がノードＮ２の電圧上昇に先行する。そのため
に、記憶用トランジスタＱ１はＯＦＦし、記憶用トラン
ジスタＱ２はＯＮした状態（データ「１」を書き込んだ
状態）で立ち上がる。そして、記憶用トランジスタＱ１
がＯＦＦしているので負荷抵抗Ｒ１の異常は回路電流に
現れない。データ「０」を書き込むと、記憶用トランジ
スタＱ１がＯＮし（記憶用トランジスタＱ２はＯＦＦ）
し、負荷抵抗Ｒ１が実質的に小さいので異常に大きい回
路電流が流れる。

【００１５】また、図５に示す欠陥セル３００のよう
に、ノードＮ１から低電位側電源ラインＶＳＳに向けて
のリーク電流パスがあると、電源が投入された際にノー
ドＮ１の電圧上昇がノードＮ２の電圧上昇に遅れる。そ
のために、記憶用トランジスタＱ１はＯＮし、記憶用ト
ランジスタＱ２はＯＦＦした状態（データ「０」を書き
込んだ状態）で立ち上がる。そして、記憶用トランジス
タＱ１がＯＮしているので、負荷抵抗Ｒ１は正常である
のでノードＮ１から低電位側電源ラインＶＳＳに向けて
のリーク電流パスの影響は回路電流に現れない。データ
「１」を書き込むと、記憶用トランジスタＱ１がＯＦＦ
（記憶用トランジスタＱ２はＯＮ）し、本来電流が流れ
ないはずの負荷抵抗Ｒ１にリーク電流が流れる。

【００１６】

【発明の実施の形態】ＳＲＡＭのセルは通常、負荷素子
と記憶用トランジスタとの直列接続回路を１対有してフ
リップフロップ回路を構成している。負荷素子は図３に
例示したように抵抗であることもあるし、記憶用トラン
ジスタに対し相補的なトランジスタとされることもある
が、この発明の検査方法はいずれに対しても適用でき
る。

【００１７】そして、ＳＲＡＭは大容量のものは、通常
セルに欠陥がある場合に切り替えて良品化するために冗
長セル群を備える。そして、ウェーハ上に多数のペレッ
トが完成した段階で各ペレットを検査して、不良の原因
がセルの欠陥である事が確認出来、しかも冗長セルと切
り替えれば良品化する可能性がある場合に切り替え工事
を行う。この発明の検査方法はその際に用いるものであ
る。特に、欠陥のあるセルを冗長セルに切り替える方式
が、欠陥セルを電源ラインから切り離すことなく、選択
トランジスタを常時ＯＦＦさせるようにするものである
場合に好適する。

【００１８】そして、この発明の検査方法は、従来一般
に行われている全セルに付いて書き込みや読み出しの機
能検査を行い、他の規格に対してはパスするペレットに
もかかわらず機能不良のセルが見つかったら冗長セルと
切り替えるようにするのみならず、スタンバイ時の回路
電流規格はずれのものの内に、セルの欠陥に起因し、し
かも、冗長セルと切り替えれば良品となる可能性のある
モードの欠陥セルを見つけ出して、冗長セルと切り替え
て良品化して歩留まりを上げようとするものである。

【００１９】上述のように、欠陥セルを冗長セルに切り
替える方式が、欠陥セルを電源ラインから切り離すこと
なく、選択トランジスタをＯＮさせないようにして分離
する方式では、電源投入後で書き込みや読み出しをする
前の回路電流が大きい不良のペレットは、例えその不良
がセルの欠陥に起因していても、セルの切り替えでは修
復できない。そこで、この項目の検査のパス品に対し
て、例えばデータ「０」を全てのセルに書き込んだ後の
回路電流を検査し、規格はずれとなれば明らかにセルの
欠陥に起因し、欠陥セルを探査して見つけ出し、冗長セ
ルと切り替えれば良品化する可能性が高い。同様に、デ
ータ「１」を全てのセルに書き込んだ後の回路電流を検
査し、規格はずれとなれば明らかにセルの欠陥に起因
し、欠陥セルを探査して見つけ出し、冗長セルと切り替
えれば良品化する可能性が高い。

【００２０】そこで、この発明の検査方法では、まず、
セルの切り替えの対象としない各種検査項目を検査する
と共にスタンバイ時の回路電流の内の電源投入時の回路
電流を検査し、そのパス品のみを対象に、「０」か
「１」かの同じデータを全てのセルに書き込んだ後の回
路電流を、「０」及び「１」双方について検査して、規
格はずれとなったらそれに対応して、データ「０」又は
データ「１」を書き込んだ状態で電流の大きいセルを探
査する。見つかればそれらのセルを要切り替えセルとす
る。勿論電源投入時の回路電流を含む、セルの切り替え
の対象としない各種検査項目のパス品に対して全セル
（データ「０」を書き込んだ場合に電流が大きくて、要
切り替えセルとしたものや、データ「１」を書き込んだ
場合に電流が大きくて、要切り替えセルとしたものは除
いても良い）に付いてデータ「０」とデータ「１」との
書き込みおよび読み出しの機能を検査し、不機能のセル
が見つかればそのセルを要切り替えセルとすることは従
来と同様である。

【００２１】電源投入時には電流が正常であるにもかか
わらず、「０」か「１」かのデータを書き込んだ後の電
流が異常に大きいセルを見つけるための探査の方法とし
ては、全てのセルを１個ずつ順次確認するのが確実であ
る。例えば、電源投入時の回路電流が正常であるにもか
かわらず、全セルにデータ「０」を書き込んだ後の回路
電流が大きくて規格はずれとなったペレットに対して
は、一旦電源を切り、その後電源を再投入して、全セル
を電源投入時の状態にする。次に、順次に全セルに対し
て、１個ずつデータ「０」を書き込んでは回路電流を測
定し、前の状態（最初の１個目は、電源投入時の回路電
流）と比較して異常に大きい電流（規定値をこえて大き
い）となったセルを見つけて、要切り替えセルとする。
同様にデータ「１」を書き込んだ場合も探査出来る。

【００２２】上記のように全セルについて、１個毎に探
査する方法は確実ではあると共に、探査のプログラムも
比較的単純であるものの、探査に時間がかかる欠点があ
る。なぜならば、データの書き込みは極めて短時間でお
こなえるがデータの書き込み後回路電流が安定するには
時間を要し再現性良く測定するために要する書き込み終
了後から回路電流測定完了までの時間は全セルに順次書
き込むのに要する時間より長くなる。従って、回路電流
の測定回数がセル数に略等しい回数必要な上記の方法は
時間がかかる。

【００２３】そこで、通常は全セル数に比較して欠陥セ
ルの数は極めて少数であるから、例えば、まず全セルを
２分して一方の群に欠陥セルが含まれているか確認し、
次に他方の群に欠陥セルが含まれているか確認して、含
まれていない群は以後の探査の対象外とする。そして、
含まれている群に付いて同様な方法で探査対象外のセル
群を見つけることを繰り返して最後に欠陥セルを見つけ
る方法が速い。具体的には、例えば、データ「０」を書
き込んだら電流が大きくなるセルを見つけ出す場合に
は、まず電源を一旦切り再度電源を投入して全セルを書
き込みも読み出しもしていない状態とする。次に一方の
セル群全てにデータ「０」を書き込んで回路電流を測定
する。電流が大きかったらそのなかに欠陥セルが含まれ
ているので、以後の探査対象とする。電流が大きくなけ
ればそのなかに欠陥セルが含まれていないので、以後の
探査対象から外す。次に同様に電源の再立ち上げを行
い、他方のセル群全てにデータ「０」を書き込んで回路
電流を測定して、欠陥セルが含まれているかどうかを確
認する。以後欠陥セルが含まれているセル群に付いて同
様な手順で絞り込んで行く方法である。即ち、この方法
は欠陥セルが含まれていないと確認できたセル群を以後
の探査から除外しつつ絞り込む方法である。その他の方
々も含め、欠陥セルの発生個数の分布や冗長セルの数等
に応じて適当な方法を選べば良い。

【００２４】

【実施例】この発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。図１は、その検査方法を説明するフローチャートで
ある。ウェーハ上に多数出来上がったペレット全てに付
いて図１に示すような手順で検査を行う。このペレット
は本来のセル群の他に冗長セル群を備えて、本来セルに
欠陥がある場合に冗長セルに切り替え可能である。切り
替えは、例えば予め備えたヒューズを切断して、本来な
らば本来の欠陥セルが選択されてアクセスされるべき時
に、そこが選択されずに冗長セルの一つが選択されるよ
うに切り替えるものである。従って、欠陥セルが電源ラ
インから切り離されるものではない。 （１）まず、「セル切り替え対象外の項目の検査」２０
を行う。これらの検査項目の不良はセルの切り替えによ
り修復し良品化することが出来ない（または、できるも
のがほとんどない）項目である。そしてこれらの検査項
目の内には「電源投入時の回路電流」が含まれる。これ
は未だ書き込みを行っていない状態での回路電流を測定
するもので、大きすぎるものを規格外とする。そして、
この値は記録され、後の欠陥セルの探査に利用する。そ
して、これら各項目の規格外品は不良として、以後の検
査は行わない。 （２）上記「セル切り替え対象外の項目の検査」２０の
全項目にパスしたペレットに付いて、「全セルに「０」
を書き込み後の回路電流の検査」３０を行う。通常この
規格値は「電源投入時の回路電流」と同じ規格値を適用
する。この検査は全セルに順次データ「０」を書き込み
して、その後回路電流を測定するものである。規格値を
外れるもののセル群にはデータ「０」を書き込んだら大
きな電流が流れるような欠陥セルが含まれている。 （３）そこで、「全セルに「０」を書き込み後の回路電
流の検査」３０で規格外になったものに付いて、
「「０」を書き込み後電流の大きいセルの探査」４０を
行う。この検査はデータ「０」を書き込んだら電流が大
きくなるセルを見つけ出し記録するものである。この実
施例における具体的な方法に付いては後述する。但し、
ペレットが備える冗長セルの数には限りがあるので、そ
れを超えて多数の欠陥セルがあると切り替え不能であ
る。そこで、限度を超えて欠陥セルを見付けた場合は未
探査のセルが残っていても探査を中断して、そのペレッ
トは不良として以後の検査は行わない。 （４）「全セルに「０」を書き込み後の回路電流の検
査」３０をパスした場合又はその検査で規格外になっ
て、データ「０」を書き込んだら電流が大きくなるセル
を見つけ出す探査が終了して欠陥セルが記録されたら、
次に「全セルに「１」を書き込み後の回路電流の検査」
５０を行う。通常この規格値も「電源投入時の回路電
流」と同じ規格値を適用する。この検査は「全セルに
「０」を書き込み後の回路電流の検査」３０と同様に行
うものである。そして、規格外になったものに付いて、
「「１」を書き込み後電流の大きいセルの探査」６０を
行うのも同様である。また、欠陥セルが多すぎる場合に
探査を中断して不良とするのも同様である。 （５）「全セルに「１」を書き込み後の回路電流の検
査」５０をパスした場合又はその検査で規格外になっ
て、データ「１」を書き込んだら電流が大きくなるセル
を見つけ出す探査が終了して欠陥セルが記録されたら、
次に、「全セルの機能検査」７０を行う。この検査は各
セルに付いてデータ「０」を書き込んだ後にデータ
「０」読み出せるか（記憶しているか）とデータ「１」
を書き込んだ後にデータ「１」読み出せるかとを検査
し、記憶機能の無いセルを欠陥セルとして記録するもの
である。

【００２５】上記の各検査項目全てにパス（「全セルの
機能検査」７０の場合は不機能なセルが無い）したペレ
ットは良品であって、セルの切り替えが不要なものとさ
れる。そして、「「０」を書き込み後電流の大きいセル
の探査」４０や「「１」を書き込み後電流の大きいセル
の探査」６０や「全セルの機能検査」７０で欠陥セルが
確認されたペレットは用セル切り替え品とされ、見付け
た欠陥セルは要切り替えセルとしてアドレスが記録され
ている。そして、ウェーハ上の全ペレットが同様に検査
された後、このデータはウェーハと共に回路切り替え工
程に送られセルの切り替え工事が行われる。

【００２６】上記実施例の検査方法によれば、全セルに
データ「０」を書き込んだ後の回路電流の検査を先に行
い、その後全セルにデータ「１」を書き込んだ後の回路
電流の検査を行い、最後にセルの機能検査を行ったが、
この３つの検査項目に付いて順番はいずれでも良い。探
査を中断してペレットを不良とするほど欠陥セルが多く
見つかる頻度の高い項目を先に行って検査の効率を上げ
ることができる。

【００２７】次に、この実施例における「０」又は
「１」のデータを書き込んだ後の電流が大きい欠陥セル
を見付ける探査方法を説明する。データ「０」の場合と
データ「１」の場合とはほとんど同じやり方なのでデー
タ「０」を書き込む場合を代表として説明する。先に、
「発明の実施の形態」の欄において、二つの探査方法に
付いて言及したが、この実施例の方法はそれらとは異な
り、最初に１個目の欠陥セルをなるべく少ない回路電流
測定の回数で見つけ出し、その次に、他に欠陥セルが有
るかどうかを確認する。他に無ければそれで探査をおえ
る。他にある場合は見つけ出した欠陥セルを除外した残
り全セルに対して前回と同様な手順で２個目の欠陥セル
を見つけ出し、以後同じことを繰り返す。この方法は欠
陥セルがただ１個のケースが多い場合は短い時間で処理
出来、検査プログラムも比較的簡単であるが、欠陥セル
が多い場合は却って非能率である。

【００２８】図２はこの実施例における「０」を書き込
み後電流の大きいセルを探査する方法を示すフローチャ
ートである。図に示すように、（１）全セルにデータ
「０」を書き込んだ後の回路電流が規格をはずれるペレ
ットが見つかった場合（４０１）には、まず、全セルを
対象セル群として扱い（４０２）、対象セル群を略２等
分して、電源を一旦ＯＦＦした後に再投入して一方のセ
ル群の全てにデータ「０」を書き込み、回路電流を測定
して、予め記憶していた電源投入後の回路電流と比較す
る（４０３）。そうして、基準値を超えて大きい（４０
４）場合は、これらのセル群の内に欠陥セルが含まれる
と判断でき、その欠陥セルを見付けるべく、それらのセ
ル群を次の対象セル群として（４０６）同様な処理を繰
り返して絞り込んで行く。

【００２９】ところが、対象セル群の一方に書き込みを
行って測定した回路電流が大きくなかった場合（４０
４）には、他方のセル群に欠陥セルが含まれているもの
と見なして、それらを次の対象セル群とする。

【００３０】絞り込みが進み、書き込んだセルが１個
で、回路電流が大きい場合（４０５）は直ちにそれが欠
陥セルであると、確定できる（４１０）。所が、他方側
に存在すると思われる状況（回路電流が大きくない）で
他方側のセルが１個に絞られた場合（４０７）は、電流
再立ち上げの後、そのセルのみ書き込みを行い回路電流
の測定を行い（４０８）、大きいことを確認して（４０
９）欠陥セルとして確定する。

【００３０】１個に絞られたセルのみに書き込みを行い
回路電流の測定を行った際に大きくない事が起こり得る
（４０９）。例えば、ペレットに特別に電流が大きいセ
ルは存在せず、異常とするほどでもないやや電流の大き
めのセルが多数あって、全体として回路電流規格にはず
れる場合である。このような場合はこの探査プログラム
では探査不能なので探査を中断して、このペレットを不
良とする。このようなペレットの場合判定の基準値を厳
しくして見つけ出せるようにすることも考えられるが、
欠陥セルとして多数のセルが見つけ出されても準備した
冗長セルを超えれば切り替えは不能である。

【００３１】このようにして、欠陥セルがまず１個確定
したならば、電源再立ち上げ後、欠陥セルと確定したセ
ルを除いて全セルに書き込みを行い、回路電流を測定し
て（４１１）、他に欠陥セルが有るかどうかを確認する
（４１２）。回路電流が大きくなく、欠陥セルが他にな
いと判定すれば探査を終了する。

【００３２】回路電流が大きく、欠陥セルが他にあると
判定すれば、改めて全セルを対象セル群として上記と同
様の探査を繰り返す。但し、２回目以降の探査において
対象セル群を２分して一方のセル群に書き込みを行う
（４０３）際に、すで確定されている欠陥セルには書き
込みは行わない。

【００３３】上記のように、複数の欠陥セルを有するペ
レットの場合は、探査を繰り返して順次確定してゆく
が、あまりにも多数の欠陥セルがあると、予め、備えて
いる冗長セルの数を超えては切り替えをすることが出来
ない。そこで、確定したセルの数とか、それらのアドレ
スとかが切り替え可能な限度に達していなければ繰り返
しの探査にもどり、限度に達していれば探査を中断して
そのペレットは不良とする（４１３）。

【００３４】上記の説明はデータ「０」を書き込んだ状
態で電流の大きい欠陥セルを探査する方法に付いて説明
したが、データ「１」を書き込んだ状態で電流の大きい
欠陥セルを探査する方法も書き込むデータが異なるだけ
で、同様であるので説明を略す。

【００３５】この実施例の欠陥セルの探査方法によれ
ば、欠陥セルがただ１個のケースが多ければ、探査の時
間が少なくて済む利点がある。そして、探査のプログラ
ムも比較的単純である。

【００３６】しかしながら、欠陥セルの数が多くなる
と、ロスが多いので、２個目以後の欠陥セルを見付ける
際の対象セル群を上記のように全セルとせず、前の探査
において欠陥セルを含まないと確認できたセル群（図２
の符号４０４において、Ｎｏとなったセル群）を除外し
た残りセルとするように変更すれば、プログラムは複雑
化するものの、効率はよくなる。

【００３７】上記実施例の検査方法によれば、従来冗長
セルとの切り替えによる修復の対象とせず、不良品とし
て捨てていたスタンバイ時の電流規格はずれ品の一部を
救い上げて修理するので歩留まりが向上する。

【００３８】

【発明の効果】以上の説明のように、この発明の検査方
法によれば、ＳＲＡＭ装置の製造工程において、スタン
バイ時の回路電流の規格はずれ品の内でセルの欠陥に起
因し、しかも冗長セルに切り替えれば修復できる可能性
のある欠陥セルを比較的容易に見つけ出して修復するの
で、歩留まりが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例の検査方法を示すフロー
チャート。

【図２】 その内に含まれ、欠陥セルを見つけ出す工程
（探査の方法）を示すフローチャート。

【図３】 ＳＲＡＭ装置のセルを示す回路図。

【図４】 電源投入後の電流は正常で、データ「０」を
書き込んだら電流が大きいようなセルを示す回路図。

【図５】 電源投入後の電流は正常で、データ「１」を
書き込んだら電流が大きいようなセルを示す回路図。

【符号の説明】

２０ 電源投入後で書き込みをする前の回路電流を含
む、セルの切り替えの対象としない各種検査項目の検査
工程 ３０ データ「０」（一方のデータ）を全てのセルに書
き込んだ後の回路電流を検査する工程 ４０ データ「０」（一方のデータ）を書き込んだ後の
電流の大きい欠陥セルを探査する工程 ５０ データ「１」（他方のデータ）を全てのセルに書
き込んだ後の回路電流を検査する工程 ６０ データ「１」（一方のデータ）を書き込んだ後の
電流の大きい欠陥セルを探査する工程 ７０ 全セルの機能を検査する工程

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＳＲＡＭペレットが備える冗長セルと切り
   替えるために前記ＳＲＡＭペレットにおける欠陥セルを
   見付け出す検査方法において、 電源投入後で書き込みをする前の回路電流を検査して、
   そのパス品に対して、「０」か「１」かの一方のデータ
   を全てのセルに書き込んだ後の回路電流を検査し、はず
   れ品に付いては前記一方のデータを書き込んだ後の電流
   が大きい欠陥セルを探査し、見つかればそのセルを要切
   り替えセルとすると共に、 他方のデータを全てのセルに書き込んだ後の回路電流を
   検査し、はずれ品に付いては前記他方のデータを書き込
   んだ後の電流が大きい欠陥セルを探査し、見つかればそ
   のセルを要切り替えセルとすることを特徴とするＳＲＡ
   Ｍペレットにおける冗長回路切り替えのための検査方
   法。
2. 【請求項２】ＳＲＡＭペレットが備える冗長セルと切り
   替えるために前記ＳＲＡＭペレットにおける欠陥セルを
   見付け出す検査方法において、 電源投入後で書き込みをする前の回路電流を含む、セル
   の切り替えの対象としない各種検査項目を検査する第１
   の検査工程と、 前記第１の検査工程のパス品に対して、「０」か「１」
   かの一方のデータを全てのセルに書き込んだ後の回路電
   流を検査する第２の検査工程と、 前記第２の検査工程のはずれ品があればそれに付いては
   前記一方のデータを書き込んだ後の電流が大きい欠陥セ
   ルを探査し、見つかればそのセルを要切り替えセルとす
   る第３の検査工程と、 前記第１の検査工程のパス品に対して、他方のデータを
   全てのセルに書き込んだ後の回路電流を検査する第４の
   検査工程と、 前記第４の検査工程のはずれ品があればそれに付いては
   前記他方のデータを書き込んだ後の電流が大きい欠陥セ
   ルを探査し、見つかればそのセルを要切り替えセルとす
   る第５の検査工程と、 前記第１の検査工程のパス品の全セル（前記第３の検査
   工程や前記第５の検査工程で見つかった要切り替えセル
   は除いても良い）に付いてデータ「０」とデータ「１」
   との書き込みおよび読み出しの機能を検査し、不機能の
   セルが見つかればそのセルを要切り替えセルとする第６
   の検査工程とを備えることを特徴とするＳＲＡＭペレッ
   トにおける冗長回路切り替えのための検査方法。
3. 【請求項３】前記一方のデータを書き込んだ後の電流が
   大きい欠陥セルを探査する方法又は前記他方のデータを
   書き込んだ後の電流が大きい欠陥セルを探査する方法
   が、探査対象セル群を２分し、一方の群にデータを書き
   込んで回路電流を測定し、その結果により欠陥セルが含
   まれていると推定できれば、次の探査対象セル群を前記
   一方の群とし、前記測定の結果が欠陥セルが含まれてい
   ないと推定できれば、次の探査対象セル群を他方の群と
   して、繰り返して絞り込み確定する方法である請求項１
   又は２に記載のＳＲＡＭペレットにおける冗長回路切り
   替えのための検査方法。