KR970003252A - 불휘발성 반도체 메모리의 전압 센싱 방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리의 전압 센싱 방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
동일한 데이터에 의해 각기 다른 값의 비트라인 레벨이 유기되어 센싱시 발생하는 오동작을 방지할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
불휘발성 반도체 메모리 장치내의 로우 디코더를 통하여 워드라인들을 제어하기 위해 패스전압 발생회로와 동일한 데이터에 의해 각기 다른 값의 비트라인 레벨이 유기되어 센싱시 발생하는 오동작을 방지하기 위해상기 워드라인에 차등화된 전압을 인가하는 다수개의 워드라인 전압 발생회로를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
워드라인을 제어하기 위한 불휘발성 반도체 메모리에 적합하게 사용된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리의 전압 센싱 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 불휘발성 반도체 메모리 장치내의 로우 디코더와 워드라인 전압 발생회로들을 간략하게 도시한도면이다, 제3도는 본 발명의 실시예에 따른 워드라인 전압 발생회로들의 구체 회로도이다.

Claims (3)

  1. 다수의 메모리 블록들을 가지며, 상기 각 메모리 블록은 행들과 열들의 매트릭스 형식으로 배열된 다수의셀 유닛을 가지며, 상기 다수의 셀 유닛은 미리 예정된 수의 직렬 접속된 메모리 트랜지스터들을 가지며, 각 메모리 트랜지스터들의 게이트들에 접속된 로우 디코더를 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서; 상기 로우 디코더를 제어하기 위한 패스전압 발생회로와, 상기 로우 디코더를 통해 상기 메모리 트랜지스터들을 제어하기 위해 상기 메모리 트랜지스터들의 개수만큼의 워드라인 전압 발생회로들을 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워드라인 전압 발생회로들은 차등화된 전압을 상기 로우 디코더에 인가함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 워드라인 전압 발생회로들은 동일한 전압을 상기 로우 디코더에 인가함을 특징으로하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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