KR970017666A - 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
비트라인간의 절연을 방지하고, 레이아웃 면적을 줄일 수 있는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 프르그램 방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
비트라인에는 제1전압을 인가하고, 상기 제1선택 트랜지스터의 게이트에는 상기 제1전압을 패스시킬 수 있는 제2전압을 인가하는 과정과; 상기 제1전압이 상기 메모리 쎌로 인가된 후 상기 제1선택 트랜지스터의 게이트에는 상기 제1전압을 인가하여 전류경로를 차단하는 과정과; 상기 차단 과정에 이어 프로그램하기 위해 선택된 상기 메모리 쎌의 워드라인에는 프로그램 전압을 인가하고, 비선택된 워드라인에는 상기 제1전압을 패스시킬수 있는 제3전압을 인가는 과정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
고집적 불휘발성 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 프로그램하기 위한 방법을 설명하기 위한 개략적인 회로도,
제2도는 본 발명에 따른 프로그램의 타이밍도이다.

Claims (2)

  1. 행과 열의 매트릭스 형태로 배열된 메모리 쎌들과 메모리 쎌들을 선택하기 위한 제1 및 제2선택 트랜지스터들로 구성된 메모리 쎌 어레이와, 상기 메모리 쎌들의 드레인을 공통으로 하여 접속된 복수개의 비트라인들과, 상기 메모리 쎌들의 제어게이트와 접속된 복수개의 워드라인들을 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법에 있어서; 상기 비트라인에는 제1전압을 인가하고, 상기 제1선택 트랜지스터의 게이트에는 상기 제1전압을 패스시킬수 있는 제2전압을 인가하는 과정과; 상기 제1전압이 상기 메모리 쎌로 인가된후 상기 제1선택 트랜지스터의 게이트에는 상기 제1전압을 인가하여 전류경로를 차단하는 과정과; 상기 차단 과정에 이어 프로 그램하기 위해 선택된 상기 메모리 쎌의 워드라인에는 프로그램 전압을 인가하고, 비선택된 워드라인에는 상기 제1전압을 패스 시킬수 있는 제3전압을 인가하는 과정을 구비하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전압은 전원전압보다 높은 전압임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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