KR960015595A - 데이타 보호용 메모리 장치 - Google Patents

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Abstract

비휘발성 강유전성 메모 장치는 전원과, 행 및 열에 배열된 복수개의 메모리 셀을 갖는 메모리 셀 어래이를 구비하며 플레이트-전압 레벨 발생기, 전원 전압 검출기, 및 보호 제어 회로를 더 구비한다. 플레이트 전압 레벨 발생기는 각 메모리 셀의 강유전성 캐패시터의 하나의 전극에 연결된 풀레이트 라인상에 플레이트 전압을 발생한다. 전원 전압이 임계 전압보다 낮을때, 전원 전압 검출기는 전원 전압을 검출하여 저 전압검출 신호를 발생한다. 저 전압 검출 신호에 응답하여 보호 제어 회로는 워드 라인의 전압 변화로부터 강유전성 캐패시터를 보호하기 위해 그라운딩 전압 레벨에서 워드 라인을 고정한다. 전윈 전압이 임계 전압보다 낮을때, 보호 제어 회로는 폴레이트 전압 레벨로 비트 라인을 고정한다.

Description

데이타 보호용 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 제1실시예의 비휘발성 메모리 장치의 회로 구성을 도시한 블럭 다이어그램,
제3도는 제1실시예에서 전원 전압 검출기 및 WL 선택 제어기의 상세한 회로를 도시한 블럭 다이어그램.

Claims (14)

  1. 데이타 보호용 메모리 장치에 있어서, 전력을 강유전성 메모리 장치에 공급하는 전원과; 복수의 메모리 셀을 구비하는 메모리 셀 어래이와; 제l설정된 전압을 셀 전극 라인상에 발생시키는 전압 발생 수단과; 전원 전압이 선정된 임계 전압 보다 낮을때, 저전압 검출 신호를 발생시키기 위해 전원 전압을 검출하는 검출 수단과; 전압 보호 신호에 응답해서 선택 라인의 전압 변화로부터 강유전성 캐패시터를 보호하기 의해 제2설정된 전압에서 선택라인을 고정시키는 보호 제어 수단을 구비하며, 각각의 상기 메모리 셀은 스위칭 트랜지스터 및 강유전성 캐패시터를 구비하며, 상기 강유전성 캐패시터는 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 전극에서 데이터 라인에 연결되고 다른 전극에서 셀 전극에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터는 제어 전극에서 선택 라인에 더 연결되고, 선택 신호가 상기 선택 라인에 나타날때 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되고, 비선택 신호가 상기 선택 라인에 나타날때 상기 스위칭 드랜지스터가 도통되지 않게 되는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호 제어 수단이, 상기 선택 신호 및 상기 비 선택 신호중 하나를 외부로부터 수신된 어드레스 신호에 따른 상기 선택 라인에 출력하는 선택 라인 제어기와; 상기 저전압 검출 신호에 응답해서 상기 어드레스 신호에 무관하게 상기 선택 라인에 상기 비선택 신호를 출력하는 보호수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보호 수단은, 상기 선택 라인에 연결된 제1메인 전극과 상기 비선택 신호의 전압 레벨에 연결된 제2메인 전극을 갖는 제2스위칭 트랜지스터를 구비하며, 상기 저전압 검출 신호는 상기 스위칭 트랜지스터의 온 및 오프 제어용 제3전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 보호 수단이, 상기 선택 라인 제어기 및 상기 저전압 검출 신호의 출력상에 논리 AND 기능을 수행하는 제1게이트 회로와; 상기 제1게이트 회로 출력상에 논리 역 기능을 수행하는 제2게이트 회로를 구비하며, 상기 저 전압 검출 신호는 상기 제2게이트 회로 출력을 상기 비 선택 신호의 전압 레벨로 낮추는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 보호 제어 수단이, 외부로부터 수신된 어드레스 신호를 기억하는 어드레스 버퍼와; 상기 선택 신호 및 상기 비선택 신호중 하나를 상기 어드레스 신호에 따른 상기 선택 라인에 출력하기 위해 상기 어드레스 신호를 디코딩하는 디코더와; 상기 저전압 검출 신호에 응답해서 상기 비선택 신호를 상기 어드레스 신호에 무관하게 상기 선택 라인에 출력하기 위해 상기 디코더를 제어하는 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 디코더는, 상기 디코더의 디코드된 신호 및 상기 제어기로부터 수신된 제어 신호상에서 논리 AND 기능을 수행하는 제1게이트 회로와; 상기 제1게이트 회로 출력상에 논리 역 기능을 수행하는 제2게이트 회로를 구비하여며, 상기 제어 신호는 상기 제2게이트 회로 출력을 사기 비 선택 신호의 전압 레벨로 낮추는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2설정된 전압이 그라운딩 전압 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  8. 제2 내지 제6중 어느 한 항에 있어서, 상기 비선택 신호가 그라운딩 전압 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  9. 데이타 보호용 메모리 장치에 있어서, 전력을 강유전성 메모리 장치에 공급하는 전원과; 복수의 메모리 셀을 구비하는 메모리 셀 어래이와; 제1설정된 전압을 셀 전극 라인상에 발생시키는 전압 발생 수단과; 전원 전압이 설정된 임계 전압 보다 낮을때, 저전압 검출 신호를 발생시키기 위해 전원 전압을 검출하는 검출 수단과; 전압 보호 신호에 응답해서 선택 라인의 전압 변화로부터 강유전성 캐패시터를 보호하기 위해 제2설정된 전압에서 데이타 라인을 고정시키는 보호 제어 수단을 구비하며, 각각의 상기 메모리 셀은 스위칭 트랜지스터 및 강유전성 캐패시터를 구비하여, 상기 강유전성 캐패시터는 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 전극에서 데이타 라인에 연결되고 다른 전극에서 셀 전극에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터는 제어 전극에서 선택 라인에 연결되고, 선택 신호가 상기 선택 라인에 나타날때 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되고, 비선택 신호가 상기 선택 라인에 나타날때 상기 스위칭 트랜지스터가 도통되지 않게 되는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호 제어 수단이, 상기 저전압 검출 신호에 응답하여 상기 데이타 라인의 전압 레벨을 상기 제2설정된 전압으로 등화시키는 전압 등화 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2설정된 전압이 상기 제1설정된 전압과 같은 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  12. 데이타 보호용 메모리 장치에 있어서, 전력을 상기 메모리 장치에 공급시키는 전원과; 1번 행 및 2번열에 배열된 복수의 메모리 셀을 구비하는 메모리 셀과; 제1설정된 전압을 상기 플레이트 라인상에 발생시키는 전압 발생 회로와; 상기 전원의 상기 전압이 설정된 임계 전압 보다 낮을때, 저전압 검출 신호를 발생시키기 위해 상기 전원 전압을 검출하는 전압 검출기와; 상기 선택 신호 및 상기 비선택 신호중 하나를 외부로부터 수신된 어드레스 신호에 따른 상기 워드 라인에 출력시키는 워드 라인 제어기와; 상기 저 전압 검출 신호에 응답하여 상기 어드레스 신호에 무관하게 상기 워드 라인에 상기 비선택 신호를 출력시키는 보호 회로를 구비하며, 각각의 상기 열의 상기 메모리 셀이 워드 라인에 공통으로 연결되고, 각각의 상기 행의 메모리 셀이 데이타 라인쌍중 하나의 교대로 연결되고, 각각의 상기 메모리 셀은 스위칭 트랜지스터 및 강유전성 캐패시터를 구비하며, 상기 강유전성 캐패시터는 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 전극에서 상기 데이타 라인에 연결되고 다른 전극에서 플레이트 라인에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터는 제어 전극에서 상기 워드 라인에 연결되고, 선택 신호가 상기 워드 라인에 나타날때 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되고, 비선택 신호가 상기 워드 라인에 나타날때 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되지 않고, 상기 제1번 감지 증폭기는 상기 데이타 라인쌍에 각기 연결되는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 비선택 신호가 그라운딩 전압 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
  14. 데이타 보호용 메모리 장치에 있어서, 전력을 상기 메모리 장치에 공급시키는 전원과; 1번 행 및 2번 열에 배열된 복수개의 메모리 셀을 구비하는 메모리 셀과; 제1설정된 전압을 상기 플레이트 라인상에 발생시키는 전압 발생 회로와; 상기 전원의 상기 전압이 설정된 임계 전압 보다 낮을때, 저전압 검출 신호를 발생시키기 위해 상기 전원 전압을 검출하는 전압 검출기와; 상기 선택 신호 및 상기 비선택 신호중 하나를 외부로부터 수신된 어드레스 신호에 따른 상기 워드 라인에 출력시키는 워드 라인 제어기와; 상기 저전압 검출 신호에 응답하여 상기 제1설정된 전압에 상기 데이타 라인의 전압 레벨을 등화시키는 전압 등화 회로를 구비하며, 각각의 상기 열의 상기 메모리 셀이 워드 라인에 공통으로 연결되고, 각각의 상기 행의 메모리 셀이 데이타 라인쌍중 하나의 교대로 연결되고, 각각의 상기 메모리 셀은 스위칭 트랜지스터 및 강유전성 캐패시터를 구비하며, 상기 강유전성 캐패시터는 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 전극에서 상기 데이타 라인에 연결되고 다른 전극에서 플레이트 라인에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터는 제어 전극에서 상기 워드 라인에 연결되고, 선택 신호가 상기 워드 라인에 나타날때 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되고, 비선택 신호가 상기 워드라인에 나타날때 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되지 않고, 상기 제1번 감지 증폭기는 상기 데이타 라인쌍에 각기 연결되는 것을 특징으로 하는 데이타 보호용 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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