KR880003329A - 씨 모오스 열 어드레스 리던던씨 - Google Patents
씨 모오스 열 어드레스 리던던씨 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880003329A KR880003329A KR1019860006932A KR860006932A KR880003329A KR 880003329 A KR880003329 A KR 880003329A KR 1019860006932 A KR1019860006932 A KR 1019860006932A KR 860006932 A KR860006932 A KR 860006932A KR 880003329 A KR880003329 A KR 880003329A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- logic
- transistor
- column
- redundancy
- normal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
- G11C29/808—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout using a flexible replacement scheme
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 씨 모오스 열어드레스 리던던씨의 적용한 회로도,
제5도는 본 발명에 따른 씨 모오스 열어드레스 리던던씨의 회로도,
제6도는 본 발명에 따른 제5도의 리세트 펄스의 동작 타이밍도.
Claims (2)
- 노말 메모리셀 어레이와 센스엠프 및 트랜스민슨 트랜지스터를 구비하는 노말블럭과, 스페어메모리셀 어레이와 센스엠프 및 트랜지스터를 구비하는 스페어 블럭을 가지는 반도체 메모리 소자의 디코오딩 장치에 있어서, 열 리던던트를 행하지 않을시와 열 리던던트를 행할시에 서로 상반되는 논리신호를 출력하여 래치하는 래치회로 (100)와, 다수의 트랜스미숀게이트(T1,T1-T8,T8)와 선택적으로 열 어드레스를 설정하는 휴우즈(F1,F1-F8,F8)를 직렬 접속하고 상기 휴우즈 쌍(F1,F1-F8,F8)의 공통접속점이 트랜지스터(43-44)를 각각 접속하여 열 리던던트를 행하지 않을시 상기 트랜지스터를 인에이블 하고 열 리던던트를 행할시에는 상기 트랜스미숀 게이트를 인에이블 하여 서로 상방된 논리 출력을 하는 스페어 열 디코오도(200)와, 상기 스페어 열디코오더의 출력에 따라 열리던던트 논리 제어 신호를 발생하는 논리수단(45,46)과, 상기 논리 제어신호와 노말 열 어드레스를 입력하여 노말 열 블럭의 선택제어 신호를 발생하는 수단(47)으로 구성함을 특징으로 하는 시모오스 열 리던던씨 회로.
- 제1항에 있어서 래치회로(100)가 모오스트랜지스터(31)와 씨모오르트랜지스터(33)(32)로 구성된 플립플롭과 상기 모오스 트랜지스트(31)과 병렬로 접속되어 리세트펄스를 게이트로 입력하는 트랜지스터(30)와, 상기 병렬접속점(400)에 전원전압을 선택적으로 공급하는 휴우즈(FM)와, 상기 씨모오스트랜지스터의 접속점(500) 직렬로 접속된 인버어터(34)를 구비하여 열 리던던트를 행할시에 상기 휴우즈(FM)를 끊고 상기 리세트 펄스에 의해 상기 점(500)과 인버어터(34)의 출력논리를 소정 논리로 래치함을 특징으로 하는 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019860006932A KR890003691B1 (ko) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 블럭 열 리던던씨 회로 |
JP62182412A JPS6353794A (ja) | 1986-08-22 | 1987-07-23 | 半導体メモリー装置 |
DE19873724509 DE3724509A1 (de) | 1986-08-22 | 1987-07-24 | Dynamischer ram |
FR878711801A FR2603129B1 (fr) | 1986-08-22 | 1987-08-21 | Circuit de redondance de colonne pour memoire a acces aleatoire dynamique en technologie cmos |
US07/088,151 US4829480A (en) | 1986-08-22 | 1987-08-21 | Column redundancy circuit for CMOS dynamic random access memory |
GB8719936A GB2195480B (en) | 1986-08-22 | 1987-08-24 | Column redundancy circuit for dynamic random access memory |
SG582/92A SG58292G (en) | 1986-08-22 | 1992-06-03 | Column redundancy circuit for dynamic random access memory |
HK183/93A HK18393A (en) | 1986-08-22 | 1993-03-04 | Column redundancy circuit for dynamic random access memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019860006932A KR890003691B1 (ko) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 블럭 열 리던던씨 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880003329A true KR880003329A (ko) | 1988-05-16 |
KR890003691B1 KR890003691B1 (ko) | 1989-09-30 |
Family
ID=19251841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019860006932A KR890003691B1 (ko) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 블럭 열 리던던씨 회로 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4829480A (ko) |
JP (1) | JPS6353794A (ko) |
KR (1) | KR890003691B1 (ko) |
DE (1) | DE3724509A1 (ko) |
FR (1) | FR2603129B1 (ko) |
GB (1) | GB2195480B (ko) |
HK (1) | HK18393A (ko) |
SG (1) | SG58292G (ko) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5426607A (en) * | 1988-04-27 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Redundant circuit for memory having redundant block operatively connected to special one of normal blocks |
KR910003594B1 (ko) * | 1988-05-13 | 1991-06-07 | 삼성전자 주식회사 | 스페어컬럼(column)선택방법 및 회로 |
US5687109A (en) * | 1988-05-31 | 1997-11-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit module having on-chip surge capacitors |
US5327380B1 (en) * | 1988-10-31 | 1999-09-07 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for inhibiting a predecoder when selecting a redundant row line |
NL8900026A (nl) * | 1989-01-06 | 1990-08-01 | Philips Nv | Matrixgeheugen, bevattende standaardblokken, standaardsubblokken, een redundant blok, en redundante subblokken, alsmede geintegreerde schakeling bevattende meerdere van zulke matrixgeheugens. |
KR910005601B1 (ko) * | 1989-05-24 | 1991-07-31 | 삼성전자주식회사 | 리던던트 블럭을 가지는 반도체 메모리장치 |
KR920009059B1 (ko) * | 1989-12-29 | 1992-10-13 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 병렬 테스트 방법 |
KR920010347B1 (ko) * | 1989-12-30 | 1992-11-27 | 삼성전자주식회사 | 분할된 워드라인을 가지는 메모리장치의 리던던시 구조 |
KR930000821B1 (ko) * | 1990-02-24 | 1993-02-05 | 현대전자산업 주식회사 | 메모리 소자의 저소비 전력 리던던시(Redundancy)회로 |
JP2575919B2 (ja) * | 1990-03-22 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置の冗長回路 |
US5293564A (en) * | 1991-04-30 | 1994-03-08 | Texas Instruments Incorporated | Address match scheme for DRAM redundancy scheme |
EP0514664A3 (en) * | 1991-05-20 | 1993-05-26 | International Business Machines Corporation | Dynamic random access memory with a redundancy decoder |
KR940006079B1 (ko) * | 1991-06-14 | 1994-07-06 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
KR940008211B1 (ko) * | 1991-08-21 | 1994-09-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체메모리장치의 리던던트 셀 어레이 배열방법 |
US6026505A (en) * | 1991-10-16 | 2000-02-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for real time two dimensional redundancy allocation |
US5295102A (en) * | 1992-01-31 | 1994-03-15 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor memory with improved redundant sense amplifier control |
US5471426A (en) * | 1992-01-31 | 1995-11-28 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Redundancy decoder |
US5278793A (en) * | 1992-02-25 | 1994-01-11 | Yeh Tsuei Chi | Memory defect masking device |
KR950000275B1 (ko) * | 1992-05-06 | 1995-01-12 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 |
US5301153A (en) * | 1992-06-03 | 1994-04-05 | Mips Computer Systems, Inc. | Redundant element substitution apparatus |
JP2870320B2 (ja) * | 1992-09-29 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ回路 |
US5392245A (en) * | 1993-08-13 | 1995-02-21 | Micron Technology, Inc. | Redundancy elements using thin film transistors (TFTs) |
JP3530574B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2004-05-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
KR0130030B1 (ko) * | 1994-08-25 | 1998-10-01 | 김광호 | 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로 및 그 방법 |
KR970001564U (ko) * | 1995-06-21 | 1997-01-21 | 자동차용 후부차체의 보강구조 | |
KR0167678B1 (ko) * | 1995-08-22 | 1999-02-01 | 김광호 | 컬럼 리던던시 회로를 가지는 반도체 메모리 장치 |
US5771195A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Circuit and method for replacing a defective memory cell with a redundant memory cell |
US5790462A (en) * | 1995-12-29 | 1998-08-04 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Redundancy control |
US6037799A (en) * | 1995-12-29 | 2000-03-14 | Stmicroelectronics, Inc. | Circuit and method for selecting a signal |
KR0179550B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-04-15 | 김주용 | 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로 |
US5612918A (en) * | 1995-12-29 | 1997-03-18 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Redundancy architecture |
US5841709A (en) * | 1995-12-29 | 1998-11-24 | Stmicroelectronics, Inc. | Memory having and method for testing redundant memory cells |
KR100224774B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로 |
KR100228533B1 (ko) * | 1997-06-23 | 1999-11-01 | 윤종용 | 반도체 집적회로의 용단가능한 퓨즈 및 그 제조방법 |
US5999463A (en) * | 1997-07-21 | 1999-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Redundancy fuse box and semiconductor device including column redundancy fuse box shared by a plurality of memory blocks |
KR100542696B1 (ko) * | 2003-11-13 | 2006-01-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 리페어 퓨즈 박스 |
WO2010041336A1 (ja) | 2008-10-10 | 2010-04-15 | 株式会社壽 | 筆記具のクリップ取付構造 |
US10134486B2 (en) * | 2016-09-13 | 2018-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device including a redundancy column and a redundancy peripheral logic circuit |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS555698B2 (ko) * | 1972-06-14 | 1980-02-08 | ||
US4228528B2 (en) * | 1979-02-09 | 1992-10-06 | Memory with redundant rows and columns | |
JPS5677997A (en) * | 1979-11-28 | 1981-06-26 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
US4281398A (en) * | 1980-02-12 | 1981-07-28 | Mostek Corporation | Block redundancy for memory array |
US4346459A (en) * | 1980-06-30 | 1982-08-24 | Inmos Corporation | Redundancy scheme for an MOS memory |
US4389715A (en) * | 1980-10-06 | 1983-06-21 | Inmos Corporation | Redundancy scheme for a dynamic RAM |
JPS59104791A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS59119743A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積回路の冗長構成方式 |
JPS59121699A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Toshiba Corp | 冗長性回路変更装置 |
US4556975A (en) * | 1983-02-07 | 1985-12-03 | Westinghouse Electric Corp. | Programmable redundancy circuit |
US4601019B1 (en) * | 1983-08-31 | 1997-09-30 | Texas Instruments Inc | Memory with redundancy |
JPS61217993A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリ |
JPS632351A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Sharp Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-08-22 KR KR1019860006932A patent/KR890003691B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-07-23 JP JP62182412A patent/JPS6353794A/ja active Granted
- 1987-07-24 DE DE19873724509 patent/DE3724509A1/de active Granted
- 1987-08-21 US US07/088,151 patent/US4829480A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-21 FR FR878711801A patent/FR2603129B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-24 GB GB8719936A patent/GB2195480B/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-06-03 SG SG582/92A patent/SG58292G/en unknown
-
1993
- 1993-03-04 HK HK183/93A patent/HK18393A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8719936D0 (en) | 1987-09-30 |
GB2195480B (en) | 1990-12-12 |
HK18393A (en) | 1993-03-12 |
JPH0535520B2 (ko) | 1993-05-26 |
FR2603129A1 (fr) | 1988-02-26 |
KR890003691B1 (ko) | 1989-09-30 |
SG58292G (en) | 1992-07-24 |
GB2195480A (en) | 1988-04-07 |
FR2603129B1 (fr) | 1990-08-17 |
US4829480A (en) | 1989-05-09 |
JPS6353794A (ja) | 1988-03-08 |
DE3724509A1 (de) | 1988-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR880003329A (ko) | 씨 모오스 열 어드레스 리던던씨 | |
KR960016427B1 (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR950012729A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
KR0180265B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR880014577A (ko) | 리던던트 저장공간을 갖고 있는 메모리 | |
KR890008837A (ko) | 바이폴라 콤프리멘타리 금속산화막 반도체를 사용하는 논리회로와 그 논리회로를 갖는 반도체 메모리장치 | |
KR890015270A (ko) | 반도체메모리장치 | |
KR0161306B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR970063278A (ko) | 반도체 메모리 | |
KR930008850A (ko) | 분할된 판독 데이타 버스 시스템을 갖는 반도체 메모리 디바이스 | |
KR890012319A (ko) | 반도체 집적 회로장치 | |
KR970016535A (ko) | 어드레스 디코더 | |
KR860006875A (ko) | 반도체 장치 | |
JPH0766669B2 (ja) | デコーダバッファ回路 | |
KR960025787A (ko) | 플래쉬 메모리 장치 | |
KR930022384A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
JPH06338189A (ja) | カラムアドレス遷移検出回路 | |
JPH0574158B2 (ko) | ||
KR930003164A (ko) | 반도체메모리 리던던시 장치 | |
KR950009724A (ko) | 반도체메모리장치의 버퍼회로 | |
JPH0785696A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR980011454A (ko) | 라이트 제어회로 | |
KR970003280A (ko) | 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로 | |
KR100271625B1 (ko) | 어드레스 천이 합성회로 | |
KR970060242A (ko) | 플래쉬 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050802 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Expiration of term |