JPS59119743A - 集積回路の冗長構成方式 - Google Patents

集積回路の冗長構成方式

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JPS59119743A
JPS59119743A JP57234295A JP23429582A JPS59119743A JP S59119743 A JPS59119743 A JP S59119743A JP 57234295 A JP57234295 A JP 57234295A JP 23429582 A JP23429582 A JP 23429582A JP S59119743 A JPS59119743 A JP S59119743A
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津田 伸生
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哲司 佐藤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、欠陥を許容する集積回路の冗長構成方式に関
し、とくに同一機能を有する回路ブロックと該回路ブロ
ックを複数個含む回路ブロックとを階層化してなる集積
回路の冗長構成方式に関する。
技術の背景 集積回路は、シリコン単結晶等の基板に導体パターン形
成や絶縁層形成等の工程を介してトランジスタや配線か
らなる所定の規模の回路を作シつけ、この回路を単位と
して基板を切断したチップとして製造される。通常、こ
れらの工程は極めて清浄″゛なi境のもとで行われるが
、全工程を通して基板−法面にわたって回路が欠陥とな
ることを防止できないため、無欠陥のチップを選別して
使用に供せられる。
今日、集積回路は1個のチップ内によシ多くの機能を組
み込む大規模化の途をたどシつつあるが、その背景には
回路を集積化することによって機能当シの生産性が向上
することと、外部接続点数が減少するため装置の小形化
と高信頼化をはか如得ることがねらいとなっている。
ところで、集積回路の大規模化をはかるには、トランジ
スタや配線のパターン寸法を微細化する方法とチップ面
積を拡大する方法とがある。このうち、パターン寸法を
微細化するにあたっては、トランジスタの構造上の問題
を解決し製造機器の精度を向上させることが必要なため
、現状の技術レベルを超えてパターン寸法を微細にする
ことはできない。また、こうした技術レベルの進歩に伴
い従来よシもパターン寸法の微細化を施した集積回路を
製造するにあたっては、従来無視できた塵埃や欠陥が回
路の欠陥をひき起すため、妥当なチップの製造歩留シを
得るに至るには技術の習熟と製造環境の整備を必要とし
てきた。一方、チップ面積についてもパターン寸法の微
細化と同様に技術レベルの進歩に伴って徐々に大面積化
の傾向をたどシつつある。しかし、不用意に大面積化を
行うと必然的に回路が欠陥となる確率が大となる。
したがって、一般には製造歩留シを考慮して妥当なチッ
プ面積が決定され、積極的に大規模イヒに適にかつ高歩
留シで製造するには、回路力(欠陥でおる場合でも正常
な機能を可能にする欠陥救済技術が必要となる。
従来技術と問題点 欠陥救済の従来技術としては、メモリ集積回路において
セルアレイを基本部分と冗長部分とに分け、基本部分に
欠陥を含む場合には冗長部分へ切替えて使用する冗長構
成が既知でh k” o第1図は、従来の冗長構成を示
す概念図である。第1図中、IS、IRは第1階層の回
路ブロック、2は第2嘴層の回路ブロックである。第1
図に示す従来の冗長構成は、同一機能を有する複数個の
第1階層の回路ブロックのうち一部をSで示す基本ブロ
ック1S、残りをRで示す冗長ブロック1Rとする冗長
イヒを実施し、基本ブロック1Sが欠陥である場合には
この基本ブロック1Sを冗長ブロック1Rへ切替える操
作を実施することによシ、基本ブロック1Sの個数に等
しい無欠陥の基本ブロック1Sもしくは冗長ブロック1
Rをもって第2階層の回路ブロックの所定の正常な機能
を可能にする。
第1図では基本ブロック1Sが4個で冗長ブロック1R
が1個の場合を示したが、とれらの個数は任意であシ、
一般に基本ブロック1Sかに個で冗長ブロック1Rが(
n−り個の場合にはk out of n 冗長構成と
呼ばれる。また、特に基本ブロック1Sの個数と冗長ブ
ロック1Rの個数を等しくし、個々の基本ブロック1S
に対応する冗長ブロック1Rへ切替える操作を実施する
場合は2重化構成と呼ばれる。
以上説明した第1図の従来の冗長構成をメモリ集積回路
に適用した場合には、第1階層の回路ブロックIS、1
7?はセルアレイを例えはピット線を単位として区分し
たブロック、第2階層の回路ブロック2はセルアレイン
周辺回路からなる集積回路全体に相当する。
次に、第2図もまた従来の冗長構成を示す概念図である
。第2°図で1cLおよび1bは同一回路に対して区分
の仕方を変えた2種類の第1階層の回路ブロックでS、
Rは第1図と同様基本ブロック、冗長ブロックである。
2は第2階層の回路ブロックである。第2図の従来の冗
長構成は、第1図の従来の冗長構成の変形であシ、2種
類の第1階層の回路ブロック1αおよび1bのそれぞれ
において一部をSで示す基本ブロック、残シをRで示す
冗長ブロックとする冗長化を実施し、第1階層の基本ブ
ロック1αSが欠陥である場合には冗長ブロック1αR
へ切替える操作を実施し、基本ブロック1bSが欠陥で
ある場合には冗長ブロック1bRへ切替える操作を実施
することによシ、それぞれ基本ブロック1αs、’+b
sの個数に等しい個数の無欠陥の第1階層の回路ブロッ
ク1αおよび1bをもって第2階層の回路ブロックの所
定の正常な機能を可能にする。以上説明した第2図の従
来の冗長構成をメモリ集積回路に適用した場合には、2
種類の第1階層の回路ブロック1aおよび1bはセルア
レイを例えばビット線およびワード線を単位として区分
したブロック、第2階層の回路ブロック2はセルアレイ
と周辺回路からなる集積回路全体に相当する。
以上説明した第1図および第2図の従来の冗長構成では
、欠陥救済の対象となるのは第2階層の回路ブロック内
に含まれる冗長化を実施した第1階層の回路ブロックで
ある。したがって、第2階層の回路ブロックの所定の正
常な機能を可能にするには、第1階層の回路ブロックに
おいて欠陥である基本ブロックが全て無欠陥である冗長
ブロックへ切替えられ、かつ第2階層の回路ブロック内
で第1階層の回路ブロックを除いた部分が無欠陥である
ことが必要である。このうち、冗長化を実施した第1階
層の回路ブロックについては回路を細分化して切替単位
となる回路規模を小さくし、かつ基本ブロックの個数に
刻して冗長ブロックの個数を多くすることによって欠陥
救済効果を高めることができる。しかし、このような冗
長化を実施することは、基本ブロックを冗長ブロックへ
切替える操作を具体的に実施するための切替回路等の付
加回路量を増加させることになる。しかもこれらの付加
回路は欠陥救済の対象となる第1階層の回路ブロックを
除いた第2階層の回路ブロックに属するため、逆にこの
部分が欠陥となる確率を増大させることになる。したが
って、これらの従来の冗長構成の適用目的は、数ミ’)
メートル角のチップを対象として冗長化を実施しない場
合よシも製造歩留シを改善することにあシ、チップ面積
を拡大して集積回路の大規模化をはかる目的には、いか
に基本ブロックの個数に対して冗長ブロックの個数を増
大しても集積回路全体のJ造歩留シを向上し得ない問題
があった。また、これらの従来の冗長構成は、メモリ集
積回路のように、セルアレイに対して周辺回路の回路規
模が少なくかつセルアレイの細分化が可能な集積回路に
は適用し得るが、プロセッサ集積回路など任意に回路を
区分することが困難でかつ制御回路など繰シ返し性に乏
しい回路を有する集積回路では適用に限界があった。
発明の目的 本発明の目的は、従来技術の問題点や限界を除去し、集
積回路内において冗長構成の切替単位を階層的に設定し
、少い冗長度で集積回路のほとんどの箇所の欠陥を効率
良く救済することを特徴とし、チップ面積の拡大によυ
大規模化をはかった集積回路を歩留シ良く製造可能とす
る高い欠陥救済能力で、かつ自動的な欠陥救済に適する
集積回路の冗長構成方式を提供するにある。以下本発明
を実施例によシ詳細に説明する。
発明の実施例 第3図は本発明の一実施例である冗長構成を示す概念図
である。第3図で、1は第1階層の回路ブロック、2は
第2階層の回路ブロック、6は第3階層の回路ブロック
である。本iに示すように、本実施例では同一機能を有
する第1階層の回路ブロック1を複数個含んで第2階層
の回路ブロックゐ。すなわち、本実施例は第1階層の回
路ブロックをもとにして2回の階層化を実施してなる第
3階層の回路ブロックをもって集積回路の一部もしくは
全体を構成する場合を示している。次に本実雄側では、
第2階層の回路ブロックの各々に含まれる第1階層の回
路ブロックのうち一部をSで示す基本ブロック、残シを
Rで示す冗長ブロックとする冗長化を実施し、第3階層
の回路ブロックに含まれる第2階層の回路ブロックのう
ち一部をSで示す基本ブロック、残シをRで示す冗長ブ
ロックとする冗長化を実施している。なお、本実施例で
は第2階層の回路ブロックの各々に含まれる第1階層の
回路ブロックが5個で、これらりうち4個が基本ブロッ
ク1S、1個が冗長ブロック1Rの場合で、かつ第3階
層の回路ブロックに含まれる第2階層の回路ブロックが
5個で、これらのうち4個が基本ブロック2S、1個が
冗長ブロック2Rの場合を示している。次に本実施例の
冗長構成では、第2階層の回路ブロックの各々に含まれ
る第1階層の回路ブロックにおいて基本ブロックが欠陥
であシ正常に機能し得ない場合には冗長ブロックへ切替
える操作を実施する。この操作において欠陥である基本
ブロックが全て無欠陥である冗長ブロックへ切替えられ
、かつ第2階層の回路ブロック内の第1階層の回路ブロ
ック以外の部分が無欠陥であれば、この第2階層の回路
ブロックは基本ブロックと同数の無欠陥の第1階層の回
路ブロックをもって正常に機能し得るため無欠陥と等価
になる。そこで本実施例の冗長構成では、第3階層の回
路ブロックに含まれる第2階層の回路ブロックにおいて
、基本ブロックが欠陥であシ正常に機能し得ない場合に
は冗長ブロックへ切替える操作を実施する。この操作に
おいて欠陥である基本ブロックが全て無欠陥もしくは無
欠陥と等価な冗長ブロックへ切替えられ、かつ第6階層
の回路ブロック内の第2階層の回路ブロック以外の部分
が無欠陥であれば、この第3階層の回路ブロックは基本
ブロックと同数の無欠陥もしくは無欠陥と等価な第2階
層の回路ブロックをもって所定の正常な機能を可能にす
る。
以上説明した本実施例の冗長構成では、第1階層の回路
ブロックに関して切替える操作によって第2階層の回路
ブロックの欠陥救済が行われ、かつ第2階層の回路ブロ
ックに関して切替える操作が実施されるため、第3階層
の回路ブロックが欠陥となる確率を著しく小さくできる
。また、第1階層の回路ブロックに関して切替える操作
を具体的に実施するだめの切替回路等の付加回路は欠陥
救済の対象である第2階層の回路ブロック内に含めるこ
とができるため、これらの回路の欠陥にも対処すること
ができ高い欠陥救済効果が得られる。
以上説明した本実施例の冗長構成において、基本ブロッ
クと冗長ブロックとを切替える操作(以下切替操作と称
する。)の具体的な方法を本発明の冗長構成を適用した
例について説明する。
第4図は、第6図に示した本発明の一実施例である冗長
構成を適用した一次元接続マルチプロセツザ集積回路の
ブロック構成図である。以下第4図に従って集積回路の
構成を説明する。第4図で1は第1階層の回路ブロック
であるプロセッサユニット、2は第2階層の回路ブロッ
クであるユニット群、3は第3階層の回路ブロックであ
るモジュールであシ本集積回路全体を構成している。こ
こで第1階層および第2階層の回路ブロックに付記した
SおよびRは基本ブロックおよび冗長ブロックであるこ
とを示している。4はデータバスであシ、第1階層の回
路ブロックであるプロセッサユニットを基本的には一次
元で接続している。5はユニット切替回路、6はユニッ
ト群切替回路であり、前者のユニット切替回路5は第1
階層の回路ブロックであるプロセッサユニットに関して
、後者のユニット群切替回路6は第2階層の回路ブロッ
クであるユニット群に関して、後に説明する欠陥モード
に従ってデータバスの接続状態を切替えることができる
。7は切替情報発生回路でsb、第1階層の回路ブロッ
クであるプロセッサユニットから欠陥であるか否かを示
すフラグ情報を得てこれを保持し、このフラグ情報にも
とづいて前記ユニット切替回路5とユニット群切替回路
乙に付与する切替情報を発生する機能を有している。8
はユニット制御回路であシ、第1階層の回路ブロックで
あるプロセッサユニットの演算動作および前記フラグ情
報を発生する試験動作を制御する制御情報を発生する機
能を有している。なおユニツト制御回路8は、たとえば
通常のマイク四コンピュータ用の順序制御回路が適用さ
れる。これらの回路を接続している配線のうち、9はフ
ラグ情報線、10はユニット切替情報線、11はユニッ
ト群切替情報線、12はユニット制御情報線である。ま
た、第4図中の論理シンボル16および14はOR回路
と反転回路であシ、これらの回路によってユニット群切
替情報伝達回路を構成している。以上説明した本集積回
路の構成は、第3図に示した本実施例の冗長構成の概念
図とそれぞれの階層の回路ブロック数および冗長化の仕
方において同一である。しかし、第4図では、第2階層
の回路ブロックであるユニット群のうち第6図における
左端の基本ブロック2個と右端の冗長ブロック1個を示
し残シは省略している。また、配線については本発明を
説明するにあたって必要なもののみを示し、データバス
4やユニット制御情報線12については1本で代表して
示している。
次に、本集積回路の切替操作にかかわる回路の構成の詳
細を説明する。
第5図は、第4図の要部の拡大図であシ、第4図におけ
る左端から2番目の第2階層の回路ブロックであるユニ
ット群の上部付近を示している。
第5図に示すように、ユニット切替回路5およびユニッ
ト群切替回路6は、反転回路14′と双方向性スイッチ
回路15とで構成されている。 この双方向性スイッチ
回路15は、矢印の配線を情報の′1″に付勢すると導
通状態となシ、情報の・0”に付勢すると遮断状態とな
る。切替情報発生回路7は、AND回路16、レジスタ
回路17、それにOR回路13′で構成されている。ま
た、配線18は1き込み信号線である。この切替情報発
生回路7は、第2階層の回路ブロックである二ニット群
において、第1階層の回路ブロックであるプロセッサユ
ニットの各々において発生する7ラグ情報EFOか、ら
EF4の保持手段と、これらの第1階層の回路ブロック
であるプロセッサユニットの切替情報CHOからCH4
および第2階層の回路ブロックであるユニット群の切替
情報CGの発生手段を構成している。なお、フラグ情報
EFQからEF4の発生手段は第1階層の回路ブロック
であるプロセッサユニット内に具備している。以上説明
した第2階層の回路ブロックであるユニット群の構成は
他のユニット群についても同一である。ただし、第5図
中でOR回路16のみが示されているユニット群切替情
報伝達回路は、第4図に示したように左端と右端のユニ
ット群を除いて第5図と同一である。
以上の構成をもって本集積回路を動作させるには、電源
投入後、データの演算処理を行う通常動作による運用開
始に先行して試験モード時を設け、以下に説明する手順
に従って切替操作を実施する。
はじめに第1階層の回路ブロックである個々のプロセッ
サユニットにおいて、ユニット制御回路8から付与され
る制御情報に従って試験動作を実施する。この試験動作
によって所定の結果が得られたか否かを個々の第1階層
の回路ブロックであるプロセッサユニットの演算機能と
ユニット制御回路8によるユニット制御機能等からなる
フラグ情報発生手段によシ検出し、所定の結果が得られ
た場合は無欠陥であると判定してフラグ情報の10”を
発生し、所定の結果が得られなかった場合は欠陥である
と判定してフラグ情報の1”を発生する。
フラグ情報の′1″が発生した欠陥であるプロセッサユ
ニットでハ、データバス4がプロセッサユニットに内蔵
している図示しないスイッチ回路(たとえばトライステ
ートバッファ回路)によ、b+;IJ離される。第2階
層の回路ブロックであるユニット群の各々においては、
ユニット群内に含まれる第1階層の回路ブロックである
プロセッサユニット5個に対応したフラグ情報EFOか
らEF4がフラグ情報線9を介して切替情報発生回路7
へ伝送される。この切替情報発生回路7では、書き込み
信号線18に情報の′1″を付勢することによってこれ
らのフラグ情報EFOからEF4を5個のレジスタ回路
17に書き込み保持する。これとともに読み出されゆフ
ラグ情報にもとづいて、第1階層の回路ブロックである
プロセッサユニットに関するユニット切替情報CHOか
らCH4とこれらのプロセッサユニットを含む第2階層
の回路ブロックであるユニット群に関するユニット群切
替情報CGを発生する。
次に、第6図を参照してフラグ情報からこれらの切替情
報を発生する仕方を説明する。
第6図は、第4図および第5図に示す集積回路の第2階
層の回路ブロックであるユニット群において、第1階層
の回路ブロックであるプロセッサユニット5個に関する
フラグ情報EFOからEF4とユニット切替情報CHO
からCH4およびユニット群切替情報CGとの論理関係
の一例を示す図である。
個々のユニット群にはそれぞれ5個の第1階層の回路ブ
ロックでおるプロセッサユニットが含まれている。した
がって、これらのプロセッサユニットの欠陥状況によっ
て、フラグ情報EFDからEF4は第6図に示す32通
シの欠陥モード#0がら#61までのいずれか一つに該
当する値をとる。ここで、。
フラグ情報が′1”である場合は対応するプロセッサユ
ニットが欠陥であシ、′0”である場合は無欠陥である
。なお第6図では、32通シの欠陥モードのうち代表的
な9通シを示し、残シは省略している。本集積回路では
、フラグ情報EFOがらEF3に対応するプロセッサユ
ニットが第1階層の回路ブロックにおける基本ブロック
であシ、フラグ情報EF4に対応する残91個が冗長ブ
ロックである。
したがって、フラグ情報EFOからEF4の全てが′0
″である欠陥モード#0と、1個のみが′1″で残シが
g OHである欠陥モード、たとえば#1.#2゜#4
 、#16などの場合には、この第2階層の回路ブロッ
クであるユニット群は無欠陥であるかもしくは無欠陥と
等価にできる。一方、フラグ情報EFOからEF4のう
ち“1”が2個以上である欠陥モード、たとえば#3 
、#5 、#17 、#31 などの場合には、このユ
ニット群は欠陥となる。そこで、これらの欠陥モードに
対応して切替操作を実施するにあたシ、ユニット切替情
報CHOからClI4は、対応するフラグ情報EFOか
らEF4が第6図の下方から最初に11”となるビット
以下を全て10”とし当該ピット以上は全て11′とす
る仕方で発生する。また、ユニット群切替情報CGは、
フラグ情報EFOからEF4において#1”が2個以下
の場合には′0”とし、・1″が2個以上の場合には1
1”とする仕方で発生する。以上説明したユニット切替
情報CHOからCH4とユニット群切替情報CGは、そ
れぞれユニット切替情報線10とユニット群切替情報線
11を介してユニット切替回路5とユニット群切替回路
6へ伝送される。これらの回路では、以下に説明する仕
方によシデータバス4を切替えて具体的な切替操作を実
施する。
第7図は第2階層の回路ブロックでおるユニット群内お
よび隣接するユニット群間におけるデータバスの接続状
態を示す概念図である。なお、第7図では第6図に示し
た欠陥モードに対応してユニット群を配置しておシ、第
4図および第5図に示した集積回路の実際の構成を示し
てはいない。
第7図中、(×)を付記した第1階層の回路ブロックで
おるプロセッサユニットは欠陥であることを示している
。第7図に示すように、第1階層の回路ブロックの基本
ブロックが全て無欠陥である欠陥モード#0と#16で
は、とれらの基本ブロックによって第2階層の回路ブロ
ックが機能し得るため切替操作が実施されずデータバス
はこれらの基本ブロックに接続された状態となる。基本
ブロック中の1個が欠陥でおる欠陥モード、たとえば#
 11 ie 21 # 4等においては、欠陥である
基本ブロックに替って冗長ブロックが使用されるように
データバスの接続を切替えて切替操作が実施される。
一方、欠陥である第1階層の回路ブロックが2個以上で
ある欠陥モード、たとえば#3.#51#17.#31
等においては第2階層の回路ブロックが機能し得ないた
め欠陥となる。そこで全ての第1階層の回路ブロックを
迂回するようにデータバスの接続を切替えて第2階層の
回路ブロックに関する切替操作が実施される。以上説明
した切替操作により、第2階層の回路ブロックであるユ
ニット群のうち欠陥であるユニット群が1個を超えない
場合には、本集積回路を構成している第3階層の回路ブ
ロックであるモジュールは、欠陥の存在を許容して所、
廓の機能を実行することが可能となる。なお、本!′集
積回路では第2階層の回路ブロックであるユニット群の
うち、基本ブロックであるユニット群の全てが無欠陥も
しくは無欠陥と等価である場合には、冗長ブロックであ
るユニット群は先に説明したユニット群切替情報伝達回
路によってデータバスが迂回した状態となシ使用されな
い。
以上説明した実施例では、2回の階層化を実施した集積
回路を示したが、本発明の冗長構成ではさらに階層化を
実施することも可能である。
第8図もまた本発明の他の実施例である冗長構成を示す
概念図である。第8図中、1は第1階層の回路ブロック
、2は第2階層の回路ブロック、6は第6階層の回路ブ
ロック、19は第4階層の回路ブロックである。第8図
に示すように、本実施例では同一機能を有する第1階層
の回路ブロックを複数個含んで第2階層の回路ブロック
を構成し、この第2階層の回路ブロックを複数個含んで
第3階層の回路ブロックを構成し、この第3階層の回路
ブロックを複数個含んで第4階層の回路ブロックを構成
している。すなわち、本実施例は第3図に示した前記実
施例の冗長構成よシも1回多い3回の階層化を実施して
なる第4階層の回路ブロックをもって集積回路の一部ま
たは全体を構成する場合を示している。なお、第8図中
、SおよびRを付記して示す冗長化の仕方ならびに欠陥
である基本ブロックを冗長ブロックへ切替える切替操作
の仕方については第6図に示した前記実施例と同様であ
る。本実施例の冗長構成の応用例としては、前記の一次
元接続マルチプロセッサー集積回路において、プロセッ
サユニット内の主要部分を3個のビットスライス形回路
で構成し、2個を基本ブロック、残シ1個を冗長ブロッ
クとした場合に相当している。すなわちJ第1階層の回
路ブロックをビットスライス形回路、第2階層の回路ブ
ロックをプロセッサユニット、第3階層の回路ブロック
をユニット群、第4階層の回路ブロックをモジュールと
することにょシ本実施例の冗長構成を応用している。ま
た本実施例においては、少くとも第1階層の回路ブロッ
クであるピットスライス形回路に対応してこれらの回路
が欠陥であるか否かを示すフラグ情報の発生子−を具備
することにょシ、第4図および第5図に示した前記実施
例の応用例と同様の方法で具体的な切替操作を実施する
ことができる。以上説明した本実施例の冗長構成は、た
とえばプロセッサユニットの回路規模が大きい場合には
第6図に示した前記実施例の冗長構成よシも欠陥救済効
果を向上させることができ、プロセッサユニット数を増
大してよシ犬規模化をはかる場合にも有効である。
第9図もまた本発明の他の実施例である冗長構成を示す
概念図である。第9図中、1αおよび1bは機能が異な
る2種類の第1階層の回路ブロック、2αおよび2bは
それぞれ第1階層の回路ブロック1αおよび1bを複数
個含んでなる2種類の第2階層の回路ブロック、3は第
3階層の回路ブロックである。また第9図中に付記した
SおよびRは基本ブロックと冗長ブロックであることを
示している。本実施例の冗長構成は第3図に示した前記
実施例の冗長構成の変形であシ、2種類の第1階層の回
路ブロック複数個をもって互いに独立して第2階層の回
路ブロックを構成し、これら2種類の第2階層の回路ブ
ロックそれぞれ複数個をもって第6階層の回路ブロック
を構成している。本実施例においても冗長化の仕方およ
び切替操作の仕方は、第3図に示した前1己実施例の場
合と同様に実施できる。本実施例の冗長構成の応用例と
しては、第1階層の回路ブロック1αと1bをそれぞれ
プロセッサユニットとメモリユニット、第2階層の回路
ブロック2αと2bをそれぞれプロセッサユニット群と
メモリユニット群とすることにょシフモリ内蔵形プロセ
ッサ集積回路に適用できる。なお、第9図に示した本実
施例の冗長構成では、第2階層の回路ジローツク2αお
よび2bは互いに独立しているが一体化した場合も考え
られる。このような場合の応用例としては、第5図に示
した前記実施例の冗長構成の応用例である第4図の一次
元接続マルチプロセッサ集積回路において、例えばユニ
ット制御回路8を2個設は一方を基本ブロック互、残シ
を冗長ブロックRとした場合に相当する。以上説明した
本実施例の冗−長椙成は、機能が異なる複数種の回路ブ
ロックからなる集積回路の欠陥救済効果を向上すること
ができる。
発明の詳細 な説明したように、本発明の集積回路の冗長構成方式に
よれば、従来技術ではなし得なかった切替操作を実施す
るための付加回路をも欠陥救済の対象とすることができ
、かつ欠陥の波及f841MAに応じて切替単位となる
回路規模を選択できるため、少い冗長度で高い欠陥救済
効果を得ることができる。しだがって、チップ面積の拡
大によシ犬規模化をはかった集積回路を歩留シ良く生産
可能にする利点が得られる。また、フラグ情報の発生手
段と保持手段、切替情報の発生手段を集積回路内に具備
したことによシ自動的な欠陥救済が可能になシ、運用開
始後に発生する欠陥についても試験モード時における切
替操作を実施することにょシ対処できる。また、本発明
は階層化が可能な集積回路であれば、論理集積回路およ
びメモリ集積(9)路を問わずいかなる集積回路にも応
用できる。
本発明の実施例では2回および3回の階層化を実施した
場合を示したがさらに階層化を実施することも可能でア
シ、冗長化の仕方についても幾多の変形は可能である。
また、本発明の実施例ではフラグ情報の発生手段と保持
手段を第1階層の回路ブロックに対応して具備する場合
を示したが、さらに上位階層の回路ブロックに対応して
具備するなど幾多の変形が可能である。またこれらフラ
グ情報の発生手段と保持手段、切替情報の発生手段につ
いては実施例で説明した以外の方法や他の回路構成を適
用することも可能である。一方、本発明の実施例では全
て自動で切替操作を実施する場合を示したが、例えばヒ
ユーズ素子によるプログラミングなど外部的な切替操作
と併用することももちろん可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来の冗長構成の概念図、第3図
は本発明の一実施例の冗長構成の概念図、第4図は第3
図の冗長構成を応用した一次元接続マルチプロセッサ集
積回路のブロック構成図、第5図は第4図の切替操作に
かかわる部分の要部拡大図、第6図はフラグ情報、ユニ
ット切替情報およびユニット群切替情報との論理関係の
一例を示す図、第7図は第4図の集積回路における具体
的な切替操作を示す概念図、第8図および第9図はそれ
ぞれ第6図とは異なる本発明の他の実施例の冗長構成の
概念図である。 1・・・第1階層の回路ブロック、2・・・第2階層の
回路ブロック、6・・・第6階層の回路ブロック、4・
・・データバス、5・・・ユニット切替回路、6・・・
ユニット群切替回路、7・・・切替情報発生回路、8・
・・ユニット制御回路、9・・・フラグ情報線、10・
・・ユニット切替情報線、11・・・ユニット群切替情
報線、12・、ユニット制御情報線、13.13’・・
・OR回路、14゜14′・・・反転回路、15・・・
双方向性スイッチ回路、16・・・AND回路、17・
・・レジスタ回路、18・・・書き込み信号線、19・
・・第4階層の回路ブロック、S・・・基本ブロック、
R・・・冗長ブロック。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 玉蟲久五部 (外6名)′ 第8図 第9図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  同一機能を有する回路ブロックと該回路ブロ
    ックを複数個含む回路ブロックとを階層化してなる集積
    回路において、前記同一機能を有する第4階層(iは任
    意の正の整数)の回路ブロックを複数個含んで第(j−
    1−1)階層の回路ブロックを構成する階層化を、第1
    階層の回路ブロックをもとにして(n−1)回(n≧6
    )実施してなる第n階層の回路ブロックをもって前記集
    積回路の一部または全゛体を構成し、前記第1階層から
    第(n−1)階層の回路ブロックのそれぞれについて前
    記第(j−+−1)階層の回路ブロックのそれぞれに含
    まれる第4階層の回路ブロックのうち一部を基本ブロッ
    ク、他の残シを冗長ブロックとする冗長化を実施し、前
    記第1階層から第(n−4)階層の回路ブロックについ
    て前記第(z+1 )階層の回路ブロックのそれぞれに
    含まれる第4階層の回路ブロックの基本ブロックが欠陥
    でかつ正常に機能し得ない場合冗長ブロックへ切替える
    ことを特徴とする集積回路の冗長構成方式。
  2. (2)  前記階層化してなる集積回路の第4階層の回
    路ブロックのうち少くとも第1階層の回路ブロックに対
    応して該回路ブロックが欠陥であるか否かを示すフラグ
    情報の発生手段と、該フラグ情報の保持手段と、該第1
    階層から第(s−1)階層の回路ブロックのそれぞれに
    対応して基本ブロックを冗長ブロックへ切替える切替情
    報の発生手段とを具備し、前記フラグ情報の発生手段に
    よシフラグ情報を発生し、該フラグ情報を前記フラグ情
    報の保持手段に保持し、該フラグ情報の保持手段から読
    み出されるフラグ情報にもとづいて前記切替情報の発生
    手段を介して切替情報を発生し、該切替情報により基本
    ブロックを冗長ブロックへ切替えることを特徴とする特
    許請求の範囲等1項記載の集積回路の冗長構成方式。
JP57234295A 1982-12-25 1982-12-25 集積回路の冗長構成方式 Granted JPS59119743A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6286743A (ja) * 1985-10-02 1987-04-21 インタ−ナシヨナル・スタンダ−ド・エレクトリツク・コ−ポレイシヨン 大規模集積回路で使用するのに適したアレイ再形成装置および方法
JPS62173700A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS6353794A (ja) * 1986-08-22 1988-03-08 サムサン エレクトロニクス シーオー.,エルティーディー. 半導体メモリー装置
JPH01101652A (ja) * 1987-09-22 1989-04-19 Siemens Ag Vlsiシステムの構成を確立するための方法および装置
WO1992007362A1 (en) * 1990-10-16 1992-04-30 Fujitsu Limited Semiconductor memory unit having redundant structure

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6286743A (ja) * 1985-10-02 1987-04-21 インタ−ナシヨナル・スタンダ−ド・エレクトリツク・コ−ポレイシヨン 大規模集積回路で使用するのに適したアレイ再形成装置および方法
JPS62173700A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPH0467279B2 (ja) * 1986-01-28 1992-10-27 Fujitsu Ltd
JPS6353794A (ja) * 1986-08-22 1988-03-08 サムサン エレクトロニクス シーオー.,エルティーディー. 半導体メモリー装置
JPH0535520B2 (ja) * 1986-08-22 1993-05-26 Sansei Electronics Corp
JPH01101652A (ja) * 1987-09-22 1989-04-19 Siemens Ag Vlsiシステムの構成を確立するための方法および装置
WO1992007362A1 (en) * 1990-10-16 1992-04-30 Fujitsu Limited Semiconductor memory unit having redundant structure
US5307316A (en) * 1990-10-16 1994-04-26 Fujitsu Limited Semiconductor memory unit having redundant structure

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