KR910005321A - 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 기억장치 Download PDF

Info

Publication number
KR910005321A
KR910005321A KR1019900012671A KR900012671A KR910005321A KR 910005321 A KR910005321 A KR 910005321A KR 1019900012671 A KR1019900012671 A KR 1019900012671A KR 900012671 A KR900012671 A KR 900012671A KR 910005321 A KR910005321 A KR 910005321A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test
memory cells
blocks
bits
semiconductor memory
Prior art date
Application number
KR1019900012671A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940003154B1 (ko
Inventor
가즈다미 아리모도
가즈야스 후지시마
요시오 마쓰다
쓰가사 오오이시
마사끼 쓰구데
Original Assignee
시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시기 모리야, 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤 filed Critical 시기 모리야
Publication of KR910005321A publication Critical patent/KR910005321A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940003154B1 publication Critical patent/KR940003154B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38Response verification devices
    • G11C29/40Response verification devices using compression techniques
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/26Accessing multiple arrays
    • G11C29/28Dependent multiple arrays, e.g. multi-bit arrays

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 제1의 실시예에 의한 반도체 기억장치의 전체의 구성을 표시하는 블록도.
제2도는 이 발명의 제2의 실시예에의한 반도체 기억장치의 주요부의 구성을 표시하는 블록도.
제3도는 이 발명의 제3의 실시예에 의한 반도체 기억장치의 전체의 구성을 표시하는 블록도.

Claims (3)

  1. 메트릭스상으로 배치된 복수의 메모리셀을 포함하고, 복수의 블록으로 분할된 메모리 어레이 상기 복수의 블록에 대응하여 설치되어, 각각이 대응하는 블록의 복수의 메모리 셀을 동시에 테스트하는 복수의 테스트수단 및 상기 복수의 테스트수단에 의한 복수의 테스트결과에 대해 소정의 논리연산을 행하여, 모든 블록에 대해서의 테스트결과를 출력하는 논리수단을 비치한 반도체기억장치.
  2. 복수비트로되는 어구성의 정보를 판독 또는 기록가능한 반도체기억장치에 있어서, 매트릭스 상으로 배치된 복수의 메모리셀을 포함하고, 상기 복수비트에 대응하여 블록으로 분할된 메모리어레이, 상기 복수의 블록에 대응하여 설치되어, 각각이 대응하는 블록내의 복수의 메모리셀을 동시에 테스트하는 복수의 테스트수단 및 상기 복수의 테스트수단에 의한 복수의 테스트결과를 각각 출력하는 복수의 테스트결과 출력수단을 비치한 반도체기억장치.
  3. 복수비트로되는 어구성의 정보를 판독 또는 기록가능한 반도체기억장치에 있어서, 매트릭스 상으로 배치된 복수의 메모리셀을 포함하고, 복수의 블록으로 분할된 메모리어레이 및 상기 복수비트에 대응하여 설치된 복수의 입출력 수단을 비치하고, 상기 각 블록에 포함되는 각 메모리셀은, 상기 복수의 입출력수단의 어느 건가에 접속되어, 상기 복수의 입출력수단에 대응하여 설치되어, 각각이 대응하는 입출력 수단에 접속되는 복수의 메모리셀을 동시에 테스트하는 복수의 테스트수단 및 상기 복수의 입출력수단에 대응하여 설치되어, 상기 복수의 테스트수단에 의한 복수의 테스트결과를 각각 출력하는 복수의 테스트결과를 출력수단을 더욱 비치한 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012671A 1989-08-18 1990-08-17 반도체 기억장치 KR940003154B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1213560A JP2717712B2 (ja) 1989-08-18 1989-08-18 半導体記憶装置
JP1-213560 1989-08-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910005321A true KR910005321A (ko) 1991-03-30
KR940003154B1 KR940003154B1 (ko) 1994-04-15

Family

ID=16641233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900012671A KR940003154B1 (ko) 1989-08-18 1990-08-17 반도체 기억장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5185744A (ko)
JP (1) JP2717712B2 (ko)
KR (1) KR940003154B1 (ko)
DE (1) DE4011987A1 (ko)
GB (2) GB2235073B (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04356799A (ja) * 1990-08-29 1992-12-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
TW200603B (en) * 1991-04-11 1993-02-21 Hitachi Seisakusyo Kk Semiconductor memory device
US5457696A (en) * 1991-08-08 1995-10-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory having internal test circuit
JP3251637B2 (ja) * 1992-05-06 2002-01-28 株式会社東芝 半導体記憶装置
JPH0676598A (ja) * 1992-08-28 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH06203597A (ja) * 1992-09-25 1994-07-22 Nec Corp ダイナミックram
JPH06275693A (ja) * 1993-03-20 1994-09-30 Hitachi Ltd ダイナミック型ram
JPH06295599A (ja) * 1993-04-09 1994-10-21 Nec Corp 半導体記憶装置
ATE173111T1 (de) * 1994-04-29 1998-11-15 Texas Instruments Inc Verfahren und vorrichtung zur prüfung eines speichers mit einer parallelen block-schreib- operation
US5471189A (en) * 1994-12-14 1995-11-28 International Business Machines Corp. Comparator circuitry and method of operation
US5666368A (en) * 1996-01-30 1997-09-09 Sun Microsystems, Inc. System and method for testing the operation of registers in digital electronic systems
US5920573A (en) * 1996-07-22 1999-07-06 Texas Istruments Incorporated Method and apparatus for reducing area and pin count required in design for test of wide data path memories
US5822513A (en) * 1996-09-27 1998-10-13 Emc Corporation Method and apparatus for detecting stale write data
DE19647159A1 (de) * 1996-11-14 1998-06-04 Siemens Ag Verfahren zum Testen eines in Zellenfelder unterteilten Speicherchips im laufenden Betrieb eines Rechners unter Einhaltung von Echtzeitbedingungen
US5996106A (en) 1997-02-04 1999-11-30 Micron Technology, Inc. Multi bank test mode for memory devices
US5913928A (en) * 1997-05-09 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Data compression test mode independent of redundancy
US6295618B1 (en) * 1998-08-25 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for data compression in memory devices
JP3484388B2 (ja) * 2000-02-08 2004-01-06 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP2001220780A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流体供給装置
KR100347069B1 (ko) * 2000-07-13 2002-08-03 삼성전자 주식회사 테스트기능을 가진 불휘발성 반도체메모리장치
US6973404B1 (en) * 2000-09-11 2005-12-06 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for administering inversion property in a memory tester
DE10338678B4 (de) * 2003-08-22 2006-04-20 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten
US7707472B1 (en) * 2004-05-17 2010-04-27 Altera Corporation Method and apparatus for routing efficient built-in self test for on-chip circuit blocks
KR100694418B1 (ko) * 2004-11-15 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 메모리 장치의 병렬 압축 테스트 회로
US7431250B2 (en) * 2005-11-28 2008-10-07 Supa Technology Co., Ltd. Fixture for a communication device
US7505342B2 (en) * 2006-10-30 2009-03-17 Qualcomm Incorporated Memory bus output driver of a multi-bank memory device and method therefor
CN101689858B (zh) * 2007-06-25 2012-08-22 太阳诱电株式会社 半导体器件
US8006147B2 (en) * 2009-03-16 2011-08-23 Arm Limited Error detection in precharged logic
KR20130131992A (ko) * 2012-05-25 2013-12-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치의 테스트 회로 및 테스트 방법
US11710531B2 (en) * 2019-12-30 2023-07-25 Micron Technology, Inc. Memory redundancy repair

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57105897A (en) * 1980-12-23 1982-07-01 Fujitsu Ltd Semiconductor storage device
US4541090A (en) * 1981-06-09 1985-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device
JPS60115099A (ja) * 1983-11-25 1985-06-21 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4654827A (en) * 1984-08-14 1987-03-31 Texas Instruments Incorporated High speed testing of semiconductor memory devices
US4670878A (en) * 1984-08-14 1987-06-02 Texas Instruments Incorporated Column shift circuitry for high speed testing of semiconductor memory devices
US4654849B1 (en) * 1984-08-31 1999-06-22 Texas Instruments Inc High speed concurrent testing of dynamic read/write memory array
US4686456A (en) * 1985-06-18 1987-08-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory test circuit
JPS62250593A (ja) * 1986-04-23 1987-10-31 Hitachi Ltd ダイナミツク型ram
JPS62298100A (ja) * 1986-06-17 1987-12-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPS6337894A (ja) * 1986-07-30 1988-02-18 Mitsubishi Electric Corp ランダムアクセスメモリ
JPS6337269A (ja) * 1986-08-01 1988-02-17 Fujitsu Ltd モ−ド選定回路
DE3634352A1 (de) * 1986-10-08 1988-04-21 Siemens Ag Verfahren und anordnung zum testen von mega-bit-speicherbausteinen mit beliebigen testmustern im multi-bit-testmodus
EP0264893B1 (en) * 1986-10-20 1995-01-18 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor memory
JPS63184996A (ja) * 1987-01-27 1988-07-30 Nec Corp 半導体メモリ装置
JPH073757B2 (ja) * 1987-02-25 1995-01-18 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPS63241791A (ja) * 1987-03-27 1988-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
JPS63257999A (ja) * 1987-04-15 1988-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH01106400A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH02146199A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置のテスト回路
JP2779538B2 (ja) * 1989-04-13 1998-07-23 三菱電機株式会社 半導体集積回路メモリのためのテスト信号発生器およびテスト方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2266610B (en) 1994-02-16
GB9313568D0 (en) 1993-08-18
DE4011987A1 (de) 1991-02-21
GB2235073A (en) 1991-02-20
US5185744A (en) 1993-02-09
JP2717712B2 (ja) 1998-02-25
DE4011987C2 (ko) 1991-08-29
JPH0378200A (ja) 1991-04-03
GB9005268D0 (en) 1990-05-02
KR940003154B1 (ko) 1994-04-15
GB2266610A (en) 1993-11-03
GB2235073B (en) 1994-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910005321A (ko) 반도체 기억장치
KR910003670A (ko) 정적형 반도체 기억장치
KR890017706A (ko) 다이나믹형 반도체 기억장치
KR850004684A (ko) 반도체 기억 장치
KR870009384A (ko) 반도체 기억 장치
KR870010551A (ko) 다이나믹 ram
KR920015370A (ko) 반도체 기억장치
KR910017766A (ko) 프로그램가능 논리 장치용 sram- 기본 셀
KR910010534A (ko) 반도체 기억장치의 용장회로
KR890008570A (ko) 전역 사상 검정 시스템
KR970067348A (ko) 향상된 동기식 판독 및 기록 가능한 반도체 메모리
KR920013472A (ko) 반도체 기억장치
KR910013274A (ko) 이중 포트 dram 및 그 동작 방법
KR950009279A (ko) 메모리 시험을 실시하는 반도체 메모리 장치
KR910013287A (ko) 반도체 메모리장치의 병렬 테스트방법
KR950015399A (ko) 비트 단위 데이타의 입력 및 출력용 반도체 메모리 장치
KR920001545A (ko) 반도체 기억장치
KR920015374A (ko) 반도체 기억장치
DE3784209D1 (de) Verfahren und anordnungen zum testen von mega-bit-speicherbausteinen mit beliebigen testmustern im multi-bit-testmodus.
KR970076884A (ko) 반도체 메모리 장치의 멀티비트 테스트 회로 및 그 테스트 방법
KR860003605A (ko) 반도체 메모리 장치
KR910020724A (ko) 반도체 기억장치
KR880000960A (ko) 반도체 메모리
KR890015270A (ko) 반도체메모리장치
KR890004333A (ko) 반도체 메모리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080411

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee