KR930003159A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR930003159A KR1019920002376A KR920002376A KR930003159A KR 930003159 A KR930003159 A KR 930003159A KR 1019920002376 A KR1019920002376 A KR 1019920002376A KR 920002376 A KR920002376 A KR 920002376A KR 930003159 A KR930003159 A KR 930003159A
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훗타 야수히로
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쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 마스크ROM의 계통구성을 표시하는 블록도,
제2도는 제1도의 실시예의 구성을 더욱 상세하게 표시하는 블록도.

Claims (6)

  1. 로우선택선과 컬럼선택선의 매트릭스로 배열되는 메모리셀을 포함하고, 상기 메모러셀의 2개 또는 그 이상이 상기 로우 선택선중의 하나와 상기 컬럼선택중의 하나를 지정하는 것에 의해 동시에 선택되고, 상기 메모리셀의 각 그룹을 위해, 데이터선에 접속되는 부하회로와, 센스앰프, 그리고 상기 센스앰프에, 동시에 선택되는 상기 데이터선중의 하나를 선택적으로 접속하는 스위칭회로를 더욱 포함하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부하회로는 상기 데이터선에 접속되는 각 트랜지스터를 포함하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀은 각 상기 메모리 셀 그룹을 위해 적어도 하나의 의사메모리셀을 포함하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 의사셀의 의사데이터션은 상기 센스앰프의 1입력에 접속되고, 그리고 상기 데이터선의 다른 것은 상기 스위칭회로를 통하여 상기 센스앰프의 다른 입력에 접속되는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 등화회로는 상기 의사데이터선과 상기 데이터선 사이에 접속되는 반도체 기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 어드레스가 유효될때, 상기 등화 회로는 소정시한에 상기 데이터선으로 상기 의사 데이터선을 접속하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920002376A 1991-07-02 1992-02-18 반도체 기억장치 KR950010306B1 (ko)

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