KR930003159A - 반도체 기억장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 마스크ROM의 계통구성을 표시하는 블록도,
제2도는 제1도의 실시예의 구성을 더욱 상세하게 표시하는 블록도.
Claims (6)
- 로우선택선과 컬럼선택선의 매트릭스로 배열되는 메모리셀을 포함하고, 상기 메모러셀의 2개 또는 그 이상이 상기 로우 선택선중의 하나와 상기 컬럼선택중의 하나를 지정하는 것에 의해 동시에 선택되고, 상기 메모리셀의 각 그룹을 위해, 데이터선에 접속되는 부하회로와, 센스앰프, 그리고 상기 센스앰프에, 동시에 선택되는 상기 데이터선중의 하나를 선택적으로 접속하는 스위칭회로를 더욱 포함하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 부하회로는 상기 데이터선에 접속되는 각 트랜지스터를 포함하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리셀은 각 상기 메모리 셀 그룹을 위해 적어도 하나의 의사메모리셀을 포함하는 반도체 기억장치.
- 제3항에 있어서, 상기 의사셀의 의사데이터션은 상기 센스앰프의 1입력에 접속되고, 그리고 상기 데이터선의 다른 것은 상기 스위칭회로를 통하여 상기 센스앰프의 다른 입력에 접속되는 반도체 기억장치.
- 제4항에 있어서, 등화회로는 상기 의사데이터선과 상기 데이터선 사이에 접속되는 반도체 기억장치.
- 제5항에 있어서, 어드레스가 유효될때, 상기 등화 회로는 소정시한에 상기 데이터선으로 상기 의사 데이터선을 접속하는 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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