KR920017101A - 반도체 메모리 장치의 워드라인 드라이버단 배치방법 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 워드라인 드라이버단 배치방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치의 워드라인 드라이버단 배치방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4 도는 본 발명에 따른 반도체메모리장치의 구성의 일실시예. 제 6 도는 본 발명에 따른 반도체메모리장치의 구성의 다른 실시예.

Claims (6)

  1. 복수개의 워드라인과 복수개의 비트라인과 복수개의 메모리셀과 상기 메모리셀을 선택하는 워드라인드라이버단을 가지는반도체메모리어레이에 있어서, 상기 워드라인드라이버단을 최소한 3회 이상 분할하여 배치하고, 상기 하나의 워드라인드라이버단에 연결된 하나의 워드라인은 상기 하나의 워드라인드라이버단에 이웃한 다른 하나의 워드라인드라이버단에는 연결되지 않으며, 상기 하나의 워드라인에 이웃한 다른 하나의 워드라인은 상기 다른하나의 워드라인드라이버단에 연결됨을특징으로 하는 워드라인드라이버단 배치방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 분할된 각각의 워드라인드라이버단이 인접한 메모리셀어레이내에 있는 워드라인의 일부를 선택할수 있음을 특징으로 하는 워드라인드라이버단배치방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 워드라인의 길이가 상기 워드라인드라이버단의 분할된 횟수에 반비례함을 특징으로 하는 워드라인드라이버단배치방법.
  4. 복수개의 워드라인과 복수개의 비트라인과 복수개의 메모리셀과 상기 워드라인을 선택하기 위한 컬럼디코더를 구비하는 반도체메모리어레이에 있어서, 상기 복수개의 메모리셀을 최소한 소정갯수이상의 그룹으로 분할하고, 상기 각 메모리셀그룹에 최소한 두개의 워드라인드라이버단을 가지게 하고, 상기 하나의 워드라인드라이버단에 연결된 하나의 워드라인은 상기 하나의 워드라인드라이버단에 이웃하는 다른 하나의 워드라인드라이버단에는 연결하지 않고, 상기 하나의 워드라인에 이웃하는 다른 하나의 워드라인은 상기 다른 하나의워드라인드라이버단에 연결하고, 상기 하나 및 다른 하나의 워드라인드라이버단을 상기 반도체메모리어레이의 하부영역에서 상기 로우디코더와 각각 연결시킴을 특징으로 하는 워드라인드라이버단 배치방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 워드라인드라이버단이 인접한 메모리셀그룹내에 있는 워드라인들 중에서 일부만을 선택함을 특징으로 하는 워드라인드라이버단배치방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 메모리셀그룹이 워드라인신장방향으로 분할되어 있고, 상기 워드라인드라이버단이 상기 분할된메모리셀그룹의 수보다 하나 더 많은 수로 분할되어 있음을 특징으로 하는 워드라인드라이버단배치방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US07/726,180 US5319605A (en) 1991-02-05 1991-07-05 Arrangement of word line driver stage for semiconductor memory device
FR9109511A FR2672418B1 (fr) 1991-02-05 1991-07-26 Agencement d'un etage de circuits de commande de lignes de mot pour dispositif de memoire a semiconduteurs.
DE4126050A DE4126050C2 (de) 1991-02-05 1991-08-06 Anordnung von Wortleitungstreiberstufen in einer Halbleiterspeicheranordnung
ITRM910645A IT1250088B (it) 1991-02-05 1991-08-29 Disposizione per stadio pilota di linea di parola per dispositivi di memoria a semiconduttori.
JP3242317A JPH0812757B2 (ja) 1991-02-05 1991-08-29 半導体メモリ装置のワードラインドライバの配置方法
GB9118641A GB2252650B (en) 1991-02-05 1991-08-30 Word line driver stages for semi-conductor memory devices

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446410A (en) * 1992-04-20 1995-08-29 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP3333352B2 (ja) * 1995-04-12 2002-10-15 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP3411129B2 (ja) * 1995-07-03 2003-05-26 沖電気工業株式会社 半導体メモリ
KR100204542B1 (ko) * 1995-11-09 1999-06-15 윤종용 멀티 서브워드라인 드라이버를 갖는 반도체 메모리장치
KR100205007B1 (ko) * 1995-12-04 1999-06-15 윤종용 멀티-워드라인 드라이버를 갖는 반도체 메모리장치
KR0172376B1 (ko) * 1995-12-06 1999-03-30 김광호 서브워드라인 드라이버 구조를 가지는 반도체 메모리장치
KR100635195B1 (ko) * 2000-12-29 2006-10-16 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 장치
US7123537B2 (en) * 2002-03-15 2006-10-17 Macronix International Co., Ltd. Decoder arrangement of a memory cell array
US7170783B2 (en) * 2005-04-01 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Layout for NAND flash memory array having reduced word line impedance
JP4679964B2 (ja) * 2005-05-17 2011-05-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置
KR102109416B1 (ko) * 2013-05-21 2020-05-12 삼성전자주식회사 서브 워드라인 드라이버를 갖는 반도체 메모리 장치 및 그것의 구동방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5567993A (en) * 1978-11-14 1980-05-22 Fujitsu Ltd Semiconductor memory unit
JPS5975488A (ja) * 1982-10-20 1984-04-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
JPS61110459A (ja) * 1984-11-02 1986-05-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体メモリ
KR900006221B1 (ko) * 1984-11-15 1990-08-25 후지쓰 가부시끼가이샤 반도체 메모리 장치
JPS61283162A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Nippon Denso Co Ltd 半導体記憶装置
JPS62165788A (ja) * 1986-01-16 1987-07-22 Sharp Corp 半導体集積回路装置
JP2511415B2 (ja) * 1986-06-27 1996-06-26 沖電気工業株式会社 半導体装置
US5172335A (en) * 1987-02-23 1992-12-15 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory with divided bit load and data bus lines
JPS63225991A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP2629697B2 (ja) * 1987-03-27 1997-07-09 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JPH0828421B2 (ja) * 1987-08-27 1996-03-21 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JPH01245489A (ja) * 1988-03-25 1989-09-29 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS6464192A (en) * 1988-03-26 1989-03-10 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory
JPH077808B2 (ja) * 1988-03-29 1995-01-30 株式会社東芝 集積回路
JPH077809B2 (ja) * 1988-03-29 1995-01-30 株式会社東芝 集積回路
JP2547615B2 (ja) * 1988-06-16 1996-10-23 三菱電機株式会社 読出専用半導体記憶装置および半導体記憶装置
JPH0233799A (ja) * 1988-07-22 1990-02-02 Toshiba Corp 半導体記録装置のデコード方法およびその装置
JPH0766666B2 (ja) * 1988-08-29 1995-07-19 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH02156666A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH02203488A (ja) * 1989-02-02 1990-08-13 Oki Electric Ind Co Ltd ダイナミックｒａｍ
US5148401A (en) * 1989-02-02 1992-09-15 Oki Electric Industry Co., Ltd. DRAM with split word lines
JPH03235290A (ja) * 1990-02-09 1991-10-21 Mitsubishi Electric Corp 階層的な行選択線を有する半導体記憶装置

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FR2672418A1 (fr) 1992-08-07
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KR930008310B1 (ko) 1993-08-27
GB9118641D0 (en) 1991-10-16
DE4126050C2 (de) 1996-01-18
US5319605A (en) 1994-06-07
IT1250088B (it) 1995-03-30
GB2252650A (en) 1992-08-12
JPH04278289A (ja) 1992-10-02
ITRM910645A0 (it) 1991-08-29
ITRM910645A1 (it) 1993-03-01

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