KR900003889A - 반도체 메모리회로 - Google Patents

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KR900003889A
KR900003889A KR1019890010821A KR890010821A KR900003889A KR 900003889 A KR900003889 A KR 900003889A KR 1019890010821 A KR1019890010821 A KR 1019890010821A KR 890010821 A KR890010821 A KR 890010821A KR 900003889 A KR900003889 A KR 900003889A
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bit
dummy cell
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KR1019890010821A
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쪼 시주오
우에수기 마사루
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고스기 노부미쓰
오끼덴끼교오가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells

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  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 반도체 메모리회로의 실시예의 설명을 위한 도면이며 그 일부를 개략적으로 표시하는 평면도.
제2도는 실시예의 반도체 메모리회로의 등가회로.
제3도는 실시예의 반도체 메모리회로의 레이아웃예를 표시하는 도면.

Claims (3)

  1. 다수의 비트선대, 다수의 워드선 및 다수의 메모리셀을 구비하고 비트선마다에 양 비트선을 군데군데 교차시키고 있는 투위스트 비트선방식의 반도체 메모리 회로에 있어서 각 비트선대마다에 비트선의 교차부와 해당 교차부에 인접하는 교차부와의 사이에 각각 더미셀을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체메모리회로.
  2. 제1항에 있어서, 비트선대의 끝단부와 해당 끝단부에 가장 가까운 비트선의 교차부와의 사이에 메모리셀이 있는 경우에는 이 동안에도 더미셀을 각각 구비하는 반도체 메모리회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서 각 비트선대에 있어서 비트선의 교차부의 배치 및 더미셀의 배치가 하나 컬러의 비트선대에서는 같은 배치로 되어 있어 또한 인접하는 비트선대끼리를 보았을 때 한쪽의 비트선대의 교차부와 다른 쪽의 비트선대의 더미셀이 상기 워드선 방향에서 거의 직선상에 배치되어 있는 반도체 메모리 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010821A 1988-11-23 1989-07-29 단일 트랜지스터 메모리 셀과 함께 사용하는 고속 자동 센스 증폭기 KR0137768B1 (ko)

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5237534A (en) * 1989-04-27 1993-08-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Data sense circuit for a semiconductor nonvolatile memory device
IT1246241B (it) * 1990-02-23 1994-11-17 Sgs Thomson Microelectronics Circuito per la lettura dell'informazione contenuta in celle di memoria non volatili
FR2665792B1 (fr) * 1990-08-08 1993-06-11 Sgs Thomson Microelectronics Memoire integree pourvue de moyens de test ameliores.
EP0491105B1 (en) * 1990-12-13 1996-05-01 STMicroelectronics S.r.l. Improved sense circuit for storage devices such as non-volatile memories, with enhanced sensing discrimination
JP2723695B2 (ja) * 1991-07-02 1998-03-09 シャープ株式会社 半導体記憶装置
DE69224125T2 (de) * 1991-09-26 1998-08-27 St Microelectronics Srl Leseverstärker
US5245574A (en) * 1991-12-23 1993-09-14 Intel Corporation Apparatus for increasing the speed of operation of non-volatile memory arrays
FR2690751B1 (fr) * 1992-04-30 1994-06-17 Sgs Thomson Microelectronics Procede et circuit de detection de fuites de courant dans une ligne de bit.
JPH0612860A (ja) * 1992-06-29 1994-01-21 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US5349302A (en) * 1993-05-13 1994-09-20 Honeywell Inc. Sense amplifier input stage for single array memory
US5463586A (en) * 1993-05-28 1995-10-31 Macronix International Co., Ltd. Erase and program verification circuit for non-volatile memory
EP0714546B1 (en) * 1993-05-28 2000-02-02 Macronix International Co., Ltd. Erase and program verification circuit for non-volatile memory
US5414664A (en) * 1993-05-28 1995-05-09 Macronix International Co., Ltd. Flash EPROM with block erase flags for over-erase protection
US5521874A (en) * 1994-12-14 1996-05-28 Sun Microsystems, Inc. High speed differential to single ended sense amplifier
US5638322A (en) * 1995-07-19 1997-06-10 Cypress Semiconductor Corp. Apparatus and method for improving common mode noise rejection in pseudo-differential sense amplifiers
US5608681A (en) * 1996-01-22 1997-03-04 Lsi Logic Corporation Fast memory sense system
US5726934A (en) * 1996-04-09 1998-03-10 Information Storage Devices, Inc. Method and apparatus for analog reading values stored in floating gate structures
US5818764A (en) * 1997-02-06 1998-10-06 Macronix International Co., Ltd. Block-level wordline enablement to reduce negative wordline stress
JP3088340B2 (ja) * 1997-06-18 2000-09-18 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 半導体記憶装置
US6021083A (en) * 1997-12-05 2000-02-01 Macronix International Co., Ltd. Block decoded wordline driver with positive and negative voltage modes
US5949728A (en) * 1997-12-12 1999-09-07 Scenix Semiconductor, Inc. High speed, noise immune, single ended sensing scheme for non-volatile memories
US6906951B2 (en) * 2001-06-14 2005-06-14 Multi Level Memory Technology Bit line reference circuits for binary and multiple-bit-per-cell memories
US7123537B2 (en) * 2002-03-15 2006-10-17 Macronix International Co., Ltd. Decoder arrangement of a memory cell array
KR100843947B1 (ko) * 2007-07-04 2008-07-03 주식회사 하이닉스반도체 1-트랜지스터형 디램

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS601712B2 (ja) * 1980-12-04 1985-01-17 株式会社東芝 半導体記憶装置
US4725984A (en) * 1984-02-21 1988-02-16 Seeq Technology, Inc. CMOS eprom sense amplifier
JPS60191499A (ja) * 1984-03-09 1985-09-28 Toshiba Corp ダイナミツク型ランダムアクセスメモリ
JPS613390A (ja) * 1984-06-15 1986-01-09 Hitachi Ltd 記憶装置
US4654831A (en) * 1985-04-11 1987-03-31 Advanced Micro Devices, Inc. High speed CMOS current sense amplifier
JPS62197996A (ja) * 1986-02-24 1987-09-01 Toshiba Corp 半導体メモリのセンスアンプ
US4903237A (en) * 1988-08-02 1990-02-20 Catalyst Semiconductor, Inc. Differential sense amplifier circuit for high speed ROMS, and flash memory devices

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