KR910010715A - 반도체 메모리 - Google Patents

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KR910010715A
KR910010715A KR1019900019179A KR900019179A KR910010715A KR 910010715 A KR910010715 A KR 910010715A KR 1019900019179 A KR1019900019179 A KR 1019900019179A KR 900019179 A KR900019179 A KR 900019179A KR 910010715 A KR910010715 A KR 910010715A
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KR
South Korea
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semiconductor memory
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contact holes
line
power
Prior art date
Application number
KR1019900019179A
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English (en)
Inventor
마사노리 노다
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시끼가이샤
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Filing date
Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • G—PHYSICS
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    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G11C17/126—Virtual ground arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본 발명의 제1 및 제2실시에에 따른 반도체 메모리를 각각 도시하는 평면도.

Claims (6)

  1. 반도체 메모리에 있어서, 반도체 기판상의 활성 영역과 반도체 기판상의 전원 라인을 접속하는 콘택트 홀이 2개의 인접한 전원라인에서 서로 엇갈려 위치하고, 상기 2개의 인접한 전원 라인중 한 라인의 각 콘택트 홀의 양쪽에 뻗은 2개의 워드 라인이, 한 전원 라인의 콘택트 홀로부터 엇갈려 위치한, 다른 전원 라인의 2개의 인접한 콘택트 홀 사이에 뻗어 있도록 구성된 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워드 라인이 선형으로 되어있는 반도체 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 다수의 상기 워드 라인이 상기 활성 영역에 대해서 비스듬하게, 서로 평행하게 뻗어있는 반도체 메모리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전원 라인이 선형으로 되어있는 반도체 메모리.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다수의 전원 라인이 서로에 대해서는 평행하고, 상기 활성 영역에 대해서는 비스듬하고, 상기 워드 라인에 대해서는 직각이 되도록 구성된 반도체 메모리.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 영역과 상기 워드 라인 사이의 교차점에 있는, 상기 활성 영역과 상기 워드 라인 사이의 중간층이 플로팅 게이트를 형성하도록 구성된 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900019179A 1989-11-27 1990-11-26 반도체 메모리 KR910010715A (ko)

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JP1306821A JPH03166762A (ja) 1989-11-27 1989-11-27 半導体メモリ
JP306821 1989-11-27

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ID=17961663

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EP0430191B1 (en) 1997-01-15
JPH03166762A (ja) 1991-07-18
EP0430191A2 (en) 1991-06-05
DE69029714T2 (de) 1997-07-31
DE69029714D1 (de) 1997-02-27
US5195054A (en) 1993-03-16
EP0430191A3 (en) 1992-04-08

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