KR960036052A - 로우리던던시기능을 가지는 반도체메모리장치 - Google Patents

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KR960036052A
KR960036052A KR1019950007529A KR19950007529A KR960036052A KR 960036052 A KR960036052 A KR 960036052A KR 1019950007529 A KR1019950007529 A KR 1019950007529A KR 19950007529 A KR19950007529 A KR 19950007529A KR 960036052 A KR960036052 A KR 960036052A
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김광호
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    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
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Abstract

본 발명은, 다수개의 데이타라인들과, 다수개의 서부메모리셀어레이들과, 서부메모리셀어레이들의 사이에 위치하여 상기 서브메모리셀어레이들을 상기 데이타라인들에 연결하여 상기 데이타라인들을 공유하는 적어도 하나의 센스앰프블럭을 가지는 다수개의 센스앰프블럭들을 가지는 반도체메모리장치에 관한 것으로서, 상기 서브메모리셀어레이들 중에서 상기 데이타라인들을 공유하는 상기 센스앰프블럭에 인접한 서브메모리셀어레이를 제외한 나머지의 서브메모리셀어레이들 중 어느 하나에 포함되며 상기 데이타라인들의 수만큼의 갯수로 된 다수개의 리던던트메모리셀어레이들을 가진다.

Description

로우리던던시기능을 가지는 반도체메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 다른 반도체메모리장치에서 로우리던던시를 위한 메모리셀어레이와 센스앰프 및 데이타라인의 구성을 보여주는 도면.

Claims (3)

  1. 다수개의 데이터라인들과, 다수개의 서브메모리셀어레이들과, 서브메모리셀어레이들의 사이에 위치하여 상기 서브메모리셀어레이들을 상기 데이타라인들에 연결하며 상기 데이타라인들을 공유하는 적어도 하나의 센스앰프블럭을 가지는 다수개의 센스앰플블럭들을 가지는 반도체메모리장치에 있어서, 상기 서브 메모리셀어레이들 중에서 상기 데이타라인들을 공유하는 상기 센스앰프블럭에 인접한 서브메모리셀어레이를 제외한 나머지의 서브메모리셀어레이들 중 어느 하나에 포함되며 상기 데이타라인들의 수만큼의 갯수로 된 다수개의 리던던트 메모리셀어레이들을 가짐을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  2. 다수개의 데이터라인들과, 다수개의 서브메모리셀어레이들과, 서브메모리셀어레이들의 사이에 위치하여 상기 서브메모리셀어레이들을 상기 데이타라인들에 연결하며 상기 데이타라인들을 공유하는 적어도 하나의 센스앰프블럭을 가지는 다수개의 센스앰프블럭들을 가지는 반도체메모리장치에 있어서, 상기 서브 메모리셀어레이들이 상기 데이타라인들의 각각에 종속하는 다수개의 그룹으로 구분되고, 상기 서브메모리셀어레이그룹들의 각각에는 하나의 리던던트메모리셀어레이가 배치되어 있음을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 반도체메모리장치에 있어서, 다수개의 데이타라인들과, 상기 데이타라인들의 수에 따라 다수개의 그룹으로 구분된 다수개의 서브메모리셀어레이들과, 상기 서브메오리셀어레이들의 사이에 위치하며 상기 다수개의 데이터라인을 공유하는 하나의 센스앰프블럭을 포함하는 다수개의 센스앰프블럭들과, 상기 다수개의 서브메모리셀어레이그룹들의 각각에 배치된 다수개의 리던던트메모리셀어레이들을 구비함을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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