KR890002888A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
제 1도는 본 발명의 1실시예에 의한 스테이틱 RAM의 전체구성을 도시한 평면도, 제 2도는 제 1도에 도시한 스테이틱 RAM의 주요부를 확대해서 도시한 평면도, 제 3도는 제 1도에 도시한 스테이틱 RAM의 고저항 부하형 메모리셀의 등가회로를 도시한 회로도.
본 건은 외부공개 건이므로 전문 내용을 수록하지 않았음
Claims (12)
- 반도체 칩, 상기 반도체칩상에 행 및 열 방향으로 여러개 형성되고, 장방형의 메모리 셀 어레이를 구성하는 다수의 메모리 셀, 상기 주변회로와 상기 메모리 셀 어레이로 장방형 영역을 구성하고. 메모리 셀 어레이의 긴변과 장방형 영역의 긴변이 대용하는 상기 반도체 칩상에 형성된 주변회로, 상기 장방형 영역의 바깥 둘레를 따라서 연장하는 제 1의 전원배선(3a,3b), 상기 장방형 영역의 대향하는 짧은 변을 따라서 연장하는 제 1의 전원배선을 연결하도록 상기 장방형 영역의 긴변방향으로 마련되고, 메모리 어레이 상에 서로 간격을 두고 여러개 마련되며, 상기 메모리 셀에 전원전위 및 접지전위를 공급하는 제 3의 전원 배선(5a,5b)보다 윗 층의 도전층에 의해 형성되는 제 2의 전원배선(4a,4b)를 포함하는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 1항에 있어서. 상기 제 2의 전원배선(4a,4b)는 2층의 알루미늄막으로 형성되는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 제 2의 전원배선은 전원전위 Vcc공급용 배선(4a) 및 접지전위 Vee공급용배선(4b)로 되는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 메모리 셀은 데이타선과 워드선의 교차부에 배치되어 있는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이 상에 워드선 보강용 배선(6)이 마련되어 있는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 5항에 있어서, 상기 워드선 보강용 배선(6)은 2충의 알루미늄막으로 되는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 제 1의 전원배선(3a,3b)는 전원 전위 Vcc 공급용 배선(3a) 및 접지전위 Vee공급용 배선(3b)로 되는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 7항에 있어서, 상기 제 1의 전원배선과 상기 제 2의 전원배선은 서로 접속되어 있는 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이를 구성하는 메모리 셀은 고저항 부가형 메모리 셀인 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 반도체집적회로 장치는 스테이틱 RAM인 반도체 집직회로장치.
- 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 스테이틱 RAM은 바이폴라 CMOSLSI에 의한 스테이틱 RAM인 반도체집적회로장치.
- 특허청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 반도체 집적회로장치는 다이나믹 RAM인 반도체 집적회로장치.※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
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