JPS6281743A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6281743A
JPS6281743A JP22183385A JP22183385A JPS6281743A JP S6281743 A JPS6281743 A JP S6281743A JP 22183385 A JP22183385 A JP 22183385A JP 22183385 A JP22183385 A JP 22183385A JP S6281743 A JPS6281743 A JP S6281743A
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JP
Japan
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power
power supply
pad
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source
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JP22183385A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Otani
博志 大谷
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Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置に係り、特に電源系の低インピーダ
ンス化に好適な半導体装置に関するものである。
〔背景技術〕
従来の半導体装置、特にマスタースライス(ゲートアレ
イ)LSIでは、LSIチップの周辺部に、給電線が配
置され、これに沿って、ポンディングパッド列及び入出
力バッファ回路が配置されている。そして入出力バッフ
ァ回路は電力消費が多いので、その電源は、例えば、前
記給を線から直接取り出している。そしてマスタースラ
イス製品ではLSIチップの電源用パッドの位置は固定
され、給電線とパターン接続されている。
しかしながら、このようなマスタースライスLSIチッ
プでは、前記給′区腺の電力供給能力が予め決まってい
るので、その能力よりも消費電力を大きくすることはで
きないため、入出力バッファ回路の素子(トランジスタ
)の使用が制限される場合があった。また、このように
給電線の太さに限りがあるため、電源電圧の変動により
ノイズが発生したり、それを流れる電流が増大しエレク
トロマログレージョン現象が起るなどの問題があった。
なお、ゲートアレイについては、例えば、日経マグロウ
ヒル社発行、日経エレクトロニクス、1981年4月1
3日号、P2O3〜212に示されている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、電源配線のインピーダンスの低下を図
るようにした半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示されろ発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、チップの外周部に内側′電源幹線と外側電源
幹線とを配置し、この両電源幹線間にパッドを配置し、
任意のパッドを電源用パッドとし℃用い、その任意のパ
ッドを介して前記内側電源幹線と前記外側電源幹線とを
電気的に接続(配線接続)するようにしている。これに
より、電源配線のインピーダンスを低下させることがで
き、もって電力消費の多い人出カバソファ回路の素子の
使用に特別の制限を加える必要もなく、また電源電圧が
安定することにより電源変動にもとづくノイズの発生も
防止することができ、更にエレクトロマイグレーション
も防止することができるものである。
〔実施例〕
第1図及び第2図は本発明による半導体装置の一実施例
を示し、第1図はゲートアレイLSIの入出力部分のレ
イアウトを示し、第2図はチップ全体のレイアウトの概
略を示している。
LSIチップ1の外周部に、その辺に略沿って、電源供
給量を多くするため、第1の固定電位電源電位Vcc 
(5V)のための給電線として内側電源幹線11と外側
電源幹線12とが配置される。両電源幹線11.12間
にポンディングパッド6が直線状に配置されている。最
も電力の消費が多い入出力バッ7ア回路九対す6電源電
位VCCは、図示しないが、内側電源幹線11より供給
されている。両電源線11.12は、パッド6人に接続
される。パッド6Aは電源電位VCCをチップ1にその
外部から供給するための外部端子であり、その位置は固
定されている。5Cは使用される入出力バッ7ア領域で
あり、従って基本(マスタ)パターンに対し配線パター
ンが施され入出力バッファ回路5Cが構成されている。
この人出カバソファ回路5Cは内側電源幹線11と接続
され、かつ図示しないが信号用パッド6Cと接続されて
いるっ信号用パッド6Cの夫々の機能は任意に設定され
る。5Bは不使用の入出カバソファ領域であり入出力バ
ッファ回路を構成する回路素子(マスターパターン)に
配線が施されておらず、入出力バッファ回路が構成され
℃いない。そし℃、不使用の人出力バッファ領域を利用
して、パッド6Bは追加の′電源用パッドとして両電源
幹線11と12とを接続する。
電源線11のさらに内側に、これに沿って、第2の固定
電位、つまり回路の接地電位Vss  (OV)を供給
するための給電線13が配置されている。入出力バッフ
ァ5に対する回路の接地電位Vssは、図示しないが、
接地配線13から供給されている。接地線13はパッド
6Dに接続される。パッド6Dは回路の接地電位VSs
をチップ1にその外部から供給するための外部端子であ
り、その位置は固定されている。
パッド6のうちパッド6A、6Bを除くパッド6Cは、
入出力バッファ領域の入出力バッファ回路5CとkAパ
ターン(配線)で配線接続されている。しかし、人出力
バッファ領域5Bは不使用のためAt配線は施されてお
らず、入出力バッファ回路は構成されない。このバンド
6Bを電源用パッドとして積極的に有効利用し、内側電
源幹線11と外側電源幹線12とをこのパッド6Bを介
してA/、パターン16と17で配線接続する。これに
より内、外側電源幹線11と12が並列接続されること
になり、その電源配線の抵抗(インピーダンス)を大巾
に低下させろことができる。
第2図において、2は基本セル、3は基本セル列、4は
基本セル列3間に設けられた配線チャネルである。基本
セルはMISFET(絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ)からなり、例えば周知の2人力NAND (ナンド
)ゲートを構成し得るようなセルからなる。
第2図に示すチップ1において、基本設計(マスター)
部分は、基本セル2を構成するためのMISFET及び
入出力バラフッ回路5を構成するためのMISFETで
ある。
一方、マスタ一部分を用いて所望の論理回路及び入出力
回路を形成するために、例えば、第1層及び第2Jf7
5の導電層が用いられる。
すなわち、第1層の導電層はアルミニウム層からなり、
MISFET上に層間絶縁膜をはさんで形成される。第
1アルミニウム層は、例えば所望の論理を構成するため
の基本セA/2及び入出力バッファ5内の配線、基本セ
ル2に対する電源電位及び接地電位供給のための配線、
配線11,12及び13のために用いられる。また、基
本セ/L/2や入出力回路5等の間を結ぶ配線のうち、
第2図中横方向(配線チャネル4の方向)に延びる配線
のために用いられる。
第2層の導電層はアルミニウム層からなり、第1アルミ
ニウム層上に層間絶縁膜をはさんで形成される。第2ア
ルミニウム層は、例えば、基本セル2や入出力回路5等
の間を結ぶ配線のうち、第2図中縦方向に延びる配線の
ために用いられる。
また、ボンディングパノド6のために用いられる。
したがって、所望の論理及び入出力バラフッ回路を構成
したとき、使用されない入出カバソファ回路5B上には
、第1アルミニウム層からなる配線11.13があるだ
けである。したがって、使用されない入出力回路5B上
に第1又は第2のアルミニウム層を配線16として形成
することによって、配線11と13のいずれか一方をパ
ッド6Bと接続できる。この実施例では、パッド6Bと
配線11を結んでいる。バンド6Bと配線12は第1ま
たは第2のアルミニウム層である配線17によって接続
される。この配線17の領域は、本来、他の配線が設け
られない部分であるので、配線17を形成することに何
ら支障はない。
これによって配線12は、配線11と同一の第一の固定
電位とされる。配線12は配線13と同一の第二の固定
電位としてもよい。
なお、パッド6Aの数及び位置は任意である。
又、パッド6と入出力バッファ回路6とは対応して設け
られる必要はない。
未使用となる人出力バッファ回路の領域を利用してこの
領域に配線を形成することにより、その近傍の未使用と
なるパッドと固定電位配線とを接続し、この未使用パッ
ドと他のチップ周辺に設けられた配線とを接続すること
により、他の配線に固定電位を印加するものである。
以上のようにして電源幹線(lit源系統)のインピー
ダンスを大巾に低下させることができるので、消費電力
の多い入出力バッファ回路がいくつも並設されていても
電源電圧の低下を抑制(防止)し、安定化させることが
できる。そして前記その箇所の人出カバソファ回路の素
子(トランジスタ)の使用に特別の制限を加える必要が
なくなる。また電源(電圧)の変動にもとづくノイズの
発生を防止することができる。
更にまた必要に応じ任意のパッド(6B)を中継して両
電源幹線11と12をAt配線パターンで接続して並列
回路を構成することにより、電源幹線11に流れる電流
密度を減らすことができエレクトロマイグレーションの
防止を図ることができる。
〔効果〕
(1)  マスターパターンの電源用パッド以外の任意
のパッドを必要に応じて電源用パッドとして用いること
ができ、この電源用パッドを中継して内。
外画電源幹線を配線接続する(電気的に接続する)こと
により、両電源幹綜が並列接続されろため電源系統のイ
ンピーダンスを大巾に下げろことができろ。
(2)内、外電源幹線に消費電力が多い入出カッくノフ
ァ回路などが複数並設され、消費電力の多い箇所があっ
ても、上記(1)によりその箇所の電源系統の低インピ
ーダンス化を図ることができろ。
(3)従って、上記(2)のように電力消費の多い箇所
があっ℃も、電源電圧の低下を抑制(防止)することが
でき電源電圧が安定化されるので、その箇所の入出力バ
ラフッ回路の素子(トランジスタ)の実際の使用条件に
特別の制限を加えろ必要がなくなる。更に電源変動にも
とづくノイズの発生も防止されろ。
(4)上記(1)によりエレクトロマイグンーションの
防止(電流密度の低下)を図ることができろ。
(5)不使用の空きパッドがある場合、これを積極的に
電源用バンドとして有効利用し、このパッドと内、外側
電源幹線とを配線接続して上記(1)のように電源系統
の低インピーダンス化を図ることができろ。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、内、外側電
源幹線11.12を給電線(VDD)として用いている
が、接地電位線(Vss)として用いることもできる。
この場合も、前述したと同様に任意のパッドを介して内
、外側電源幹線を接続することにより、1に、源系統の
低インピーダンス化を図ることができる。
また、パッド列を内、外側電源幹線11.12間に配設
した場合について言及したゆれども、パッド列を外側電
源幹線12の外側に配設した場合にも本発明を適用でき
る。この場合、内、外側電源幹線11と12をAtパタ
ーン接続することで、電源系統の低インピーダンス化を
図ることができるが、その箇所のパッドと外側電源幹線
12ともA4パターン接続しておくことで、このバンド
を電極取り出し用のパッドとして利用することもできる
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるマスタースライスL
SIチップに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、半導体装置全般やその他の電
源系統の低インピーダンス化を図りたい箇所に広く適用
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体装置の一実施例を示す部分
レイアウト図、 第2図は本発明の半導体装置の全体のレイアウトの概略
を示す平面図である。 11・・・内側電源線、12・・・外側電源線、13・
・・接地電位線、6A・・・電源用パッド、6B・・・
空きパッド(電源用パッド)、6C・・・信号用パッド
、5C・・・使用するバッファ領域、5B・・・不使用
のバッファ領域、16.17・・・kAパターン。 へ 代理人 弁理士  小 川 勝 男 第   1  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体基板上に同一の電位の印加される外側電源線
    と内側電源線と複数のパッドを有し、前記パッドの任意
    のパッドと前記外側電源幹線と前記内側電源幹線とを配
    線接続してなることを特徴とする半導体装置。 2、前記内側電源幹線と前記外側電源幹線との間にパッ
    ド列が配置されてなる特許請求の範囲第1項記載の半導
    体装置。
JP22183385A 1985-10-07 1985-10-07 半導体装置 Pending JPS6281743A (ja)

Priority Applications (1)

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JP22183385A JPS6281743A (ja) 1985-10-07 1985-10-07 半導体装置

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JP22183385A JPS6281743A (ja) 1985-10-07 1985-10-07 半導体装置

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JPS6281743A true JPS6281743A (ja) 1987-04-15

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ID=16772906

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JP22183385A Pending JPS6281743A (ja) 1985-10-07 1985-10-07 半導体装置

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JP (1) JPS6281743A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984058A (en) * 1987-07-30 1991-01-08 Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
EP1179848A3 (en) * 1989-02-14 2005-03-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Supply pin rearrangement for an I.C.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984058A (en) * 1987-07-30 1991-01-08 Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
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