KR920702555A - 반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치

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KR920702555A
KR920702555A KR1019920700826A KR920700826A KR920702555A KR 920702555 A KR920702555 A KR 920702555A KR 1019920700826 A KR1019920700826 A KR 1019920700826A KR 920700826 A KR920700826 A KR 920700826A KR 920702555 A KR920702555 A KR 920702555A
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KR
South Korea
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cell
complementary
wiring
semiconductor device
misfets
Prior art date
Application number
KR1019920700826A
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English (en)
Inventor
마사오 미즈노
Original Assignee
아이자와 스스무
세이꼬 엡슨 가부시끼가이샤
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Publication date
Application filed by 아이자와 스스무, 세이꼬 엡슨 가부시끼가이샤 filed Critical 아이자와 스스무
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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    • H01L27/118—Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
    • H01L27/11807—CMOS gate arrays
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 관한 반도체 장치의 기능 셀의 배치를 나타내는 평면도, 제2도는 본 발명에 대하여 종래의 배선 방법을 사용한 가능 셀의 배치를 나타내는 평면도, 제3도는 본 발명의 실시예에 관한 반도체 장치의 개요를 나타내는 설명도.

Claims (7)

  1. 복수의 상보형 MISFET에서 되는 기본 셀을 가지고, 매트릭스 상에 배열된 그 기본 셀내의 상기 상보형 MISFET에 의하여 기능 셀을 구성하고, 복수의 기능 셀 사이를 접속하여 소정의 회로를 구성하는 반도체 장치에 있어서, 적어도 1개의 기본 셀이 복수의 상기 기능 셀에 공유되는 공유 셀인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공유 셀은 상기 복수의 기능 셀의 경계로 되고, 공유 셀을 구성하고 있는 복수의 상기 상보형 MISFET를 접속하는 중간 드레인에 전원 콘택트를 구비하고, 상기 복수의 기능 셀은, 이 전원콘택트에 대하여 대칭인 적어도 2개의 반전 배치의 어느 것인가에 의하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 기능 셀은 상기 기본 셀을 구성하는 상보형 MISFET 조수의 비정수배의 상보형 MISFET에 의하여 구성되는 복수의 기능 셀인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기본 셀은 2조의 상기 상보형 MISFET에 의하여 구성되어 있으며, 상기 복수의 기능 셀은 홀수조의 상보형 MISFET에 의하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 복수의 상호형 MISFET에서 되는 기본 셀을 가지고, 매트릭스 상에 배열된 기본 셀 내의 상기 상보형 MISFET에 의하여 기능 셀을 구성하고, 복수의 그 기능 셀 사이를 접속하여 소정의 회로를 구성하는 반도체 장치에 있어서, 상기 상보형 MISFET의 출력 끼리를 접속하는 출력 배선이, 그 반도체 장치의 표면상에 형성된 제1배선층상에 절연층을 거쳐 적층된 제2의 배선층을 주로 사용하여 배선되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 상보형 MISFET의 출력끼리를 접속하는 출력 배선이, 그 반도체 장치의 표면상에 형성된 제1배선층상에 절연층을 거쳐 적층된 제2의 배선층을 주로 사용하여 배선되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 상보형 MISFET를 접속하는 배선 및 상기 기능 셀을 접속하는 배선은 상기 상보형 MISFET의 전원 배선과 평행한 평행배선이 주로 상기 제1의 배선층을 사용하여 형성되고, 상기 전원 배선과 직교하는 직교 배선이 주로 상기 제2의 배선층을 사용하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920700826A 1990-08-10 1991-08-05 반도체 장치 KR920702555A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90-213207 1990-08-10
JP21320790 1990-08-10
PCT/JP1991/001044 WO1992002957A1 (en) 1990-08-10 1991-08-05 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920702555A true KR920702555A (ko) 1992-09-04

Family

ID=16635314

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Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920700826A KR920702555A (ko) 1990-08-10 1991-08-05 반도체 장치

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EP (1) EP0495990A4 (ko)
KR (1) KR920702555A (ko)
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EP0495990A1 (en) 1992-07-29
WO1992002957A1 (en) 1992-02-20
EP0495990A4 (en) 1993-05-05

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