KR940020414A - 다이나믹 램(dram) 가변 행선택회로와 그 출력제어방법 - Google Patents
다이나믹 램(dram) 가변 행선택회로와 그 출력제어방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (19)
- 복수의 어드레스비트와 제어신호를 수신하도록 연결된 입력을 가지고, 또한 출력을 가지며, 어드레스비트중 최소한 1개는 상기 제어신호에 응답하여 블록킹 또는 통과되는 가변 비트선택회로와, 상기 출력을 수신하여 메모리데이터로의 엑세스를 가능하게 하도록 연결된 어드레스디코더로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제1항에 있어서, 또한 상기 어드레스비트를 수신하여 래치하고, 상기 가변 비트선택회로에 어드레스비트를 공급하도록 연결된 어드레스래치로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제1항에 있어서, 또한 상기 가변 비트선택회로의 출력과 허용신호를 수신하도록 연결된 출력허용회로로 이루어지고, 이 출력허용회로에서는 허용신호에 응답하여 출력을 상기 어드레스디코더로 보내는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제1항에 있어서, 상기 가변 비트선택회로는 최소한 1개의 블록킹된 어드레스비트를 활성신호로 치환하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제1항에 있어서, 상기 가변 비트선택회로는 최소한 1개의 어드레스비트와 제어신호를 수신하도록 연결된 최소한 1개의 블록/패스소자를 포함하고, 최소한 1개의 블록/패스소자는 제어신호에 응답하여 최소한 1개의 어드레스비트를 블록킹하거나 통과시키는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제1항에 있어서, 또한 허용신호를 수신하도록 연결되며 가변 비트선택회로에 연결된 가변 비트선택콘트롤러로 이루어지고, 이 가변 비트선택콘트롤러는 허용신호에 응답하여 최소한 1개의 허용신호를 상기 가변 비트선택회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제5항에 있어서, 최소한 1개의 블록/패스소자는 각각 제어전극과 소스-드레인경로를 가지는 선택트랜지스터와 풀업트랜지스터를 포함하고, 선택 및 풀업트랜지스터의 제어전극은 상기 제어신호에 연결되고, 선택트랜지스터의 소스-드레인경로는 최소한 1개의 어드레스비트를 수신하도록 연결되며 출력라인에 연결되고, 상기 최소한 1개의 어드레스비트는 제어신호의 제1의 상태에 응답하여 출력라이네 선택적으로 연결되고, 풀업트랜지스터의 소스-드레인경로는 전원 및 출력라인에 연결되고, 제어신호의 제2의 상태에 응답하여 전원을 출력라인에 선택적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 출력을 공급하기 위하여 복수의 어드레스비트중 상기 제어신호에 응답하여 블록킹되거나 통과되는 최소한 1개의 어드레스비트와 제어신호를 수신하도록 연결된 가변 비트선택회로를 포함하는 복수의 어드레스비트를 수신하도록 연결된 복수의 어드레스버퍼와, 메모리데이터로의 액세스를 허용하기 위하여 출력을 수신하도록 연결된 어드레스디코더로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리용 비트선택회로.
- 제8항에 있어서, 상기 가변 비트선택회로는 최소한 1개의 어드레스비트와 제어신호를 수신하도록 연결된 최소한 1개의 블록/패스소자를 포함하고, 최소한 1개의 블록/패스소자는 제어신호에 응답하여 최소한 1개의 어드레스비트를 블록킹하거나 통과시키는 것을 특징으로 하는 메모리용 비트선택회로.
- 제8항에 있어서, 상기 가변 비트선택회로는 최소한 1개의 블록킹된 어드레스비트를 활성신호로 치환하는 것을 특징으로 하는 메모리용 비트선택회로.
- 제8항에 있어서, 상기 회로는 메모리의 행어드레스에 대하여 사용되는 것을 특징으로 하는 메모리용 비트선택회로.
- 제9항에 있어서, 최소한 1개의 블록/패스소자는 각각 제어전극과 소스-드레인경로를 가지는 선택트랜지스터와 풀업트랜지스터를 포함하고, 선택 및 풀업트랜지스터의 제어전극은 상기 제어신호에 연결되고, 선택트랜지스터의 소스-드레인경로는 최소한 1개의 어드레스비트를 수신하도록 연결되며 출력라인에 연결되고, 상기 최소한 1개의 어드레스비트는 제어신호의 제1의 상태에 응답하여 출력라인에 선택적으로 연결되고, 풀업트랜지스터 소스-드레인경로는 전원 및 출력라인에 연결되고, 제어신호의 제2의 상태에 응답하여 전원을 출력라인에 선택적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 메모리용 비트선택회로.
- 제8항에 있어서, 또한 최소한 1개의 신호를 수신하도록 연결되며 가변 비트선택회로에 연결된 가변 비트선택콘트롤러로 이루어지고 이 가변 비트선택콘트롤러는 최소한 1개의 신호에 응답하여 최소한 1개의 허용신호를 상기 가변 비트선택회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 메모리용 비트선택회로.
- 복수의 어드레스비트를 수신하도록 연결된 버퍼회로와, 상기 버퍼래치회로의 출력을 수신하도록 연결된 버퍼래치회로와, 상기 버퍼래치회로의 출력을 수신하도록 연결된 가변 비트선택되회로와, 상기 가변 비트선택회로의 출력을 수신하도록 연결된 버퍼출력허용회로와, 상기 버퍼출력허용회로의 출력을 수신하고, 상기 가변 비트선택회로의 출력에 응답하여 메모리데이터로의 액세스를 허용하는 출력을 공급하도록 연결된 어드레스디코더회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제14항에 있어서, 상기 가변 비트선택회로는 메모리장치의 리프레시모드에 응답하는 최소한 1개의 신호를 수신하도록 연결된 가변 비트선택콘트롤러를 포함하고, 리프레시모드에 응답하여 상기 가변 비트선택회로에 제어신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 비트선택회로.
- 제어전극과 소스-드레인경로를 가지는 최소한 1개의 선택트랜지스터로서, 이 선택트랜지스터의 제어전극은 제어신호에 연결되고, 선택트랜지스터의 소스-드레인경로을 최소한 1개의 어드레스비트를 수신하도록 연결되며 출력라인에 연결되고, 최소한 1개의 어드레스비트는 제어신호의 제1의 상태에 응답하여 출력라인에 선택적으로 연결되는 최소한 1개의 선택트랜지스터와, 제어전극과 소스-드레인경로를 가지는 최소한 1개의 풀업트랜지스터로서, 이 풀업트랜지스터의 제어전극은 상기 제어신호를 연결되면 출력라인에 연결되고, 제어신호의 제2의 상태에 응답하여 다른 신호를 출력라인에서 선택적으로 연결시키는 최소한 1개의 풀업트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 비트선택회로.
- 제16항에 있어서, 또한 최소한 1개의 어드레스비트를 수신하도록 연결되고, 상기 최소한 1개의 선택트랜지스터에 연결된 어드레스버퍼와, 출력라인에 연결되고, 디코드된 출력을 공급하는 디코더회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 비트선택회로.
- 제어신호의 제1의 상태에 응답하여 모든 어드레스비트를 통과시키고, 제어신호의 제2의 상태에 응답하여 어드레스비트중 최소한 1개를 블록킹하고, 임의의 블록킹된 어드레스비트를 신호로 치환하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 어드레스회로의 출력제어방법.
- 제18항에 있어서, 또한 상기 통과단계 또는 블록킹단계 전에 상기 어드레스비트를 버퍼저장 및 래치하고, 상기 통과 또는 치환된 어드레스비트를 어드레스로 디코드하고, 디코드된 어드레스에 해당하는 메모리셀을 액세스하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 어드레스회로의 출력제어방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13,333 | 1993-02-04 | ||
US08/013,333 US5331601A (en) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | DRAM variable row select |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940020414A true KR940020414A (ko) | 1994-09-16 |
KR100263273B1 KR100263273B1 (ko) | 2000-08-01 |
Family
ID=21759428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940001963A KR100263273B1 (ko) | 1993-02-04 | 1994-02-03 | 다이나믹램(dram) 가변행선택회로와그 출력제어방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5331601A (ko) |
EP (1) | EP0609577B1 (ko) |
JP (1) | JPH06318393A (ko) |
KR (1) | KR100263273B1 (ko) |
DE (1) | DE69322947T2 (ko) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6570794B1 (en) | 2001-12-27 | 2003-05-27 | Infineon Technologies North America Corp. | Twisted bit-line compensation for DRAM having redundancy |
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US6618314B1 (en) | 2002-03-04 | 2003-09-09 | Cypress Semiconductor Corp. | Method and architecture for reducing the power consumption for memory devices in refresh operations |
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US6862238B1 (en) | 2003-09-25 | 2005-03-01 | Infineon Technologies Ag | Memory system with reduced refresh current |
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CN109817257B (zh) * | 2018-12-27 | 2020-10-13 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 一种动态存储器刷新操作下的省电方法和动态存储器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63152096A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2617779B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1997-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体メモリ装置 |
EP0484760A3 (en) * | 1990-11-08 | 1992-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory refresh control system upon connection of extension unit |
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-
1993
- 1993-02-04 US US08/013,333 patent/US5331601A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-09 EP EP93203125A patent/EP0609577B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-09 DE DE69322947T patent/DE69322947T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-03 KR KR1019940001963A patent/KR100263273B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-02-04 JP JP6033139A patent/JPH06318393A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0609577B1 (en) | 1999-01-07 |
US5331601A (en) | 1994-07-19 |
KR100263273B1 (ko) | 2000-08-01 |
EP0609577A3 (en) | 1995-07-19 |
EP0609577A2 (en) | 1994-08-10 |
JPH06318393A (ja) | 1994-11-15 |
DE69322947D1 (de) | 1999-02-18 |
DE69322947T2 (de) | 1999-09-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19940203 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19970828 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19940203 Comment text: Patent Application |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20000229 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20000515 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20000516 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20030320 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20040423 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20050315 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20060327 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20070313 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080416 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090303 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100305 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110330 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120423 Year of fee payment: 13 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120423 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130429 Year of fee payment: 14 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130429 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
EXPY | Expiration of term | ||
PC1801 | Expiration of term |
Termination date: 20140803 Termination category: Expiration of duration |