KR930017026A - 블럭라이트 기능을 갖는 반도체 메모리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수개의 비트라인들로 각 블럭을 형성하는 복수개의 셀어레이블럭; 상기 복수개의 셀어레이블럭의 복수개의 비트라인들을 각각 선택하기 위한 복수개의 컬럼선택 트랜지스터들; 외부에서 입력된 컬럼어드레스신호의 일부 비트들을 디코딩하여 상기 각 셀어레이블럭을 선택하기 위한 제1선택신호를 발생하는 제1디코더; 상기 컬럼어드레스신호의 나머지 비트들을 디코딩하여 상기 각 셀어레이블럭의 각 비트라인들을 선택하기 위한 제2선택신호를 발생하는 제2디코더; 블럭라이트모드 지정신호에 응답하여 상기 제2선택신호 또는 외부에서 입력된 블럭라이트신호를 선택적으로 출력하는 선택수단; 및 상기 제1선택신호에 의해서 제어되고 상기 복수개의 컬럼선택트랜지스터들을 제어하기 위하여 상기 선택수단의 출력신호를 전송하는 복수개의 전송트랜지스터들을 구비한 것을 특징으로 한다. 따라서, 트랜지스터의 수가 줄어듬으로 인해 레이아웃 면적을 줄일 수 있다.

Description

블럭라이트 기능을 갖는 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 따른 블럭라이트 기능을 수행하기 위한 열 어드레스 디코더의 계통도이다.

Claims (3)

  1. 복수개의 비트라인들로 각 블럭을 형성하는 복수개의 셀어레이블럭; 상기 복수개의 셀어레이블럭의 복수개의 비트라인들을 각각 선택하기 위한 복수개의 컬럼선택 트랜지스터들; 외부에서 입력된 컬럼어드레스신호의 일부 비트들을 디코딩하여 상기 각 셀어레이블럭을 선택하기 위한 제1선택신호를 발생하는 제1디코더; 상기 컬럼 어드레스신호의 나머지 비트들을 디코딩하여 상기 각 셀어레이블럭의 각 비트라인들을 선택하기 위한 제2선택신호를 발생하는 제2디코더; 블럭라이트모드 지정신호에 응답하여 상기 제2선택신호 또는 외부에서 입력된 블럭라이트신호를 선택적으로 출력하는 선택수단; 및 상기 제1선택신호에 의해서 제어되고 상기 복수개의 컬럼선택트랜지스터들을 제어하기 위하여 상기 선택수단의 출력신호를 전송하는 복수개의 전송트랜지스터들을 구비한 것을 특징으로 하는 블럭라이트기능을 가지는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 블럭은 니블모드 단위의 비트라인들을 구비한 것을 특징으로 하는 블럭라이트 기능을 가지는 반도체 메모리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 선택수단은 상기 블럭라이트모드 지정신호의 제1상태에 응답하여 상기 제2선택신호를 전송하기 위한 CMOS 전송게이트들과, 상기 블럭라이트모드 지정신호의 제2레벨에 응답하여 상기 외부에서 입력된 블럭라이트신호를 전송하기 위한 CMOS전송게이트들로 이루어진 것을 특징으로 하는 블럭라이트 기능을 가지는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920000265A 1992-01-10 1992-01-10 블럭라이트 기능을 갖는 반도체 메모리장치 KR950000503B1 (ko)

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